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EEPW首页 >> 主题列表 >> 电流倒灌、热插拔、过流保护、过压保护、上电时序

电流倒灌、热插拔、过流保护、过压保护、上电时序 文章 进入电流倒灌、热插拔、过流保护、过压保护、上电时序技术社区

热插拔的原理、特性与应用

  • 随着人类生活对现代通信技术的依赖程度越来越高,人们对电源系统的可靠性也提出了越来越严苛的要求,工作系统短暂的中断,也会给我们造成无法估量的损失。若系统部件发生了故障或是需要升级,它必须在不中断系统其余部分的情况下进行替换,在系统维持运转的情况下,发生故障的电路板或模块将被移除,同时替换部件被插入。为了达到这一目的,就必须将电源设备设计成具有可在带电状态下插入和拔出,同时不影响设备其他部分正常工作的特性,也就是我们常说的“热插拔” 特性。热插拔热插拔(HotSwap、HotPlug)即带电插拔,是允许用户在
  • 关键字: 热插拔  连接器  

如何准确监测两个不同量程的负载电流?

  • 当存储、处理或网络接口卡用于高可用性(始终保持工作状态)系统时,必须采用热插拔控制器。负载卡插入系统或从系统拔出时,这种热插拔电路控制其电源的打开和关闭。它还防止系统在板卡故障条件下发生过流。一些更先进的热插拔控制器还具有负载电压、电流监测功能,可用于计算负载功率。这种信息对于优化效率、制冷及分配有限的电源输出非常有用。随着板卡设计规模越来越大、系统越来越复杂,把输入与板卡之间的功率划分为两级或多级“域”有助于系统监测,其中一个“域”作为辅助电源监测,功率要求比较小;另一个“域”则为板卡的主电源供电。这种
  • 关键字: 热插拔  控制器  电源输出  

如何使用开关浪涌抑制器替代传统的线性浪涌抑制器

  • 在工业电子设备中,过压保护是确保设备可靠运行的重要环节。本文将探讨如何使用开关浪涌抑制器替代传统的线性浪涌抑制器,以应对长时间的过压情况。与传统线性浪涌抑制器不同,开关浪涌抑制器能够在持续浪涌的情况下保持负载正常运行,而传统线性浪涌抑制器则需要在电源路径中的 MOSFET 散热超过其处理能力时切断电流。可靠的工业电子设备通常配备保护电路,以防止电源线路出现过压,从而保护电子设备免受损坏。过压现象可能在电源线路负载快速变化时发生,线路中的寄生电感可能导致高电压尖峰。这个问题可通过输入保护电路来解决,比如图
  • 关键字: 过压保护  开关浪涌  MOSFET  

英飞凌推出OptiMOS™ Linear FET 2 MOSFET,赋能先进的热插拔技术和电池保护功能

  • 为了满足AI服务器和电信领域的安全热插拔操作要求,MOSFET必须具有稳健的线性工作模式和较低的 RDS(on) 。英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出的新型OptiMOS™ 5 Linear FET 2解决了这一难题,这款MOSFET专为实现沟槽 MOSFET的RDS(on)与经典平面 MOSFET 的宽安全工作区(SOA)之间的理想平衡而设计。该半导体器件通过限制高浪涌电流防止对负载造成损害,并因其低RDS(on
  • 关键字: 英飞凌  OptiMOS  MOSFET  热插拔  

电路设计要考虑的异常情况

  • 电路设计要考虑的异常情况:电流倒灌、热插拔、过流保护、过压保护、上电时序一、异常情况的思考异常情况的思考1、 电流倒灌集成电路的典型模型如下:1、 D1在大多数CMOS集成电路中起着防静电功能.同时辅助起着输入端限幅作用。但是在ABT,LVT,LVC和AHC/AHCT类集成电路中无此二极管。2、D2是半导体集成所产生的寄生二极管(存在于所有数字集成电路),其辅助功能为对线路反射的下冲信号进行限幅,提供一些放电保护功能。3、D3用于保护CMOS电路在放电时的干扰。在大多数双极性器件中也存在此二极管,但为寄生
  • 关键字: 电路设计  电路保护  电流倒灌、热插拔、过流保护、过压保护、上电时序  

过流过压过温保护设计

  • 一、过流保护我们知道电路板损坏的重要现场之一就是过流导致器件烧毁,有的甚至起火冒烟引发事故。因此必须要进行功率保护设计,如常用的保险丝或者热敏电阻就属于其中简单的一种,但是这种保护属于粗略保护,如果需要针对性的进行电流检测保护还是需要设计电路结构。利用采样电阻是我们常用的设计方式,通过采样电阻进行电流检测然后输出控制信号。现在也有很多集成的IC专门来进行高低边电流检测的,如LT6100等。过流保护主要在于电流检测上,下面是利用电流镜的方式采样,IC内部设计采用此方式进行偏置电流设置,因为晶体管的电流是和沟
  • 关键字: 过流保护  电路设计  

过流保护的电路方案——限制的电流1A是怎么来的?

  • 工程师在开发一些电子项目,不知道是否遇到过类似这样的问题——设计的PCBA电路板,内部有5V电源电路,除了给各个功能电路供电之外,比如MCU单片机供电、PM2.5传感器供电、喇叭供电,还需要给外部电路供电。5V电源给内部电路供电还好处理,但给外部电路供电,就不那么简单了,因为工程师需要考虑各种不同的情况出现,如外部电路如果短路怎么办?外部电路,如果电压超过了5V怎么办?还有就是如果外部电路,发生了异常,内部的电路该怎么判断呢?本文转载自“电路一点通”账号,原作者介绍了安森美(onsemi)一款专门用来进行
  • 关键字: 安森美  过流保护  

Bourns扩展Multifuse® PPTC可复位保险丝产品线 推出四款60V产品

  • 全新可复位保险丝具备广泛保持电流选项,可于 2920 封装尺寸中提供更多设计选择2023年12月26日 - 美国柏恩 Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商,扩展其 Multifuse® 聚合物 PTC 可复位保险丝产品线,全新推出四款 MF-LSMF 系列。Bourns® MF-LSMF 具备 60 VDC 高额定电压 Vmax 满足在更大工作电压应用中日益增长的过电流保护需求。全新 Bourns 高额定功率 PPTC 同时具备 0.3 A 至 1.1
  • 关键字: Bourns  PPTC  可复位保险丝  过压保护  

电机的过流保护元件如何选择?

  • 一,电机保护电路在什么情况下选择采用电流保险丝?在电路的保护应用中,当发生单一故障失效,或是并联器件发生的短路情况下,让保险丝的及时动作断开,保护人身安全,保护高价重要的元器件是一种十分必要的选择。二,电机保护线路对保险丝的技术参数要求① FUSE的额定电压要求大于线路电压保险丝根据线路的电流I的大小会工作在三种工作状态下:即正常工作区域,工作盲区和熔断保护区域,当I值小于1倍保险丝额定电流值In,则保险丝是要求不能断的,我们称之为正常工作区;而1x In<I<2x ln时,则视为盲区,保险丝
  • 关键字: 电机  过流保护  

NPC2三电平拓扑横管过压保护开关逻辑

  • NPC2三电平拓扑因为其效率高,谐波含量低,在光伏逆变器设计中应用非常广泛。由下图可以看到,NPC2由四个开关管构成,包含竖管T1/T4,横管T2/T3。在市电异常或者逆变器系统故障时,逆变器是否需要特殊的开关逻辑,对NPC2拓扑中的横管进行过压保护呢?我们以横管T2/3采用50A 650V H5 IGBT IKW50N65H5,竖管T1/4为40A 1200V S6 IGBT IKW40N120CS6为例子。当市电异常时,逆变器启动保护机制,如下图,从波形上看,T1与T2同时开始关断,但因为H5芯片开关
  • 关键字: NPC2  过压保护  

MIKROE推出新开源软硬件解决方案使数百个Click板能够热插拔到Linux开发环境中

  • 2023年11月16日:  MikroElektronika(MIKROE) ,作为一家通过提供基于成熟标准的创新式硬软件产品来大幅缩短开发时间的嵌入式解决方案公司,今天宣布推出一款基于单线设备的软硬件开源解决方案ClickID,允许Click™板或任何其他mikroBUS™热插拔到运行嵌入式Linux或类似操作系统的开发环境中。  ClickID为嵌入式工具提升了自动化和自诊断水平。当在嵌入式系统上集成了Click板后,它允许软件识别附加板外围设备配置,使复杂的操作变得简单
  • 关键字: MIKROE  Click  热插拔  Linux  

了解热插拔:热插拔电路设计过程示例

  • 高可用性系统(如服务器、网络交换机、独立磁盘冗余阵列 (RAID) 存储和其他形式的通信基础结构)需要设计为在其整个使用寿命期间几乎为零停机时间。如果此类系统的某个组件出现故障或需要更新,则必须在不中断系统其余部分的情况下更换该组件。在系统保持正常运行的同时,必须卸下电路板或模块并插入其替换件。此过程称为热插拔,或在某些情况下称为热插拔(模块与系统软件交互)。高可用性系统(如服务器、网络交换机、独立磁盘冗余阵列 (RAID) 存储和其他形式的通信基础结构)需要设计为在其整个使用寿命期间几乎为零停机时间。如
  • 关键字: 热插拔  电路设计  

输出过压保护电路的设计思路

  • 介绍了五种输出过压保护电路的设计思路,并根据每种方案的优缺点,分析如何在实际应用中选择最合适的输出过压保护电路。
  • 关键字: 202304  过压保护  电源  可靠性  电路对比  

Vishay推出新型具备可调电流极限和过压保护(OVP)的,在2.8V至23V工作的电子保险丝

  • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出四款小型3 mm x 3 mm TDFN封装,具有可调电流极限和过压保护(OVP)功能的新型电子保险丝---SiP32433A/B和SiP32434A/B。3.5 A SiP32433A/B和6 A SiP32434A/B在2.8 V至23 V输入电压范围内工作——最高达28 VIN DC ——集成多种控制和保护功能,简化设计,减少所需外部组件。日前发布的Vishay Siliconix单通道负载开关输入电压范围宽,可用于广
  • 关键字: Vishay  过压保护  OVP  电子保险丝  

过压保护:TDK推出具有超低电容和钳位电压的超小型TVS二极管

  • TDK株式会社推出具有超低电容和钳位电压的ULC 系列TVS(瞬态电压抑制)二极管,扩展了其用于双向过压保护的 TVS二极管的产品组合。凭借二极管的超低电容值的特点,新推出的SD01005SL-ULC101 (B74111U0033M060) 型和SD0201SL-ULC101 (B74121U0033M060) 型在1 MHz 时的最小电容分别为 ~0.5 pF和 ~0.6 pF。新ULC系列的特点是超低残压的防护性能。启动电压6.3V的产品,在峰值电流8A的条件下,残压水平~3.8V;峰值电流16A,
  • 关键字: 过压保护  TDK  TVS二极管  
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电流倒灌、热插拔、过流保护、过压保护、上电时序介绍

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