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英飞凌率先开发全球首项300 mm氮化镓功率半导体技术，推动行业变革

• ●   凭借这一突破性的 300 mm GaN技术，英飞凌将推动GaN市场快速增长●   利用现有的大规模300 mm硅制造设施，英飞凌将最大化GaN生产的资本效率●   300 mm GaN的成本将逐渐与硅的成本持平300mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆 英飞凌科技股份公司近日宣布，已成功开发出全球首项300 mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆技术。英飞凌是全球首家在现有且可扩展的大规模生产环境中掌握这一突破性技术的企业。
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