- 2023年12月9日,英特尔在IEDM 2023(2023 IEEE 国际电子器件会议)上展示了多项技术突破,为其未来的制程路线图提供了丰富的创新技术储备,充分说明了摩尔定律仍在不断演进。具体而言,英特尔研究人员在大会上展示了结合背面供电和直接背面触点(direct backside contacts)的3D堆叠CMOS晶体管,分享了近期背面供电研发突破的扩展路径(如背面触点),并率先在同一块300毫米晶圆上,而非封装中,成功实现了硅晶体管与氮化镓(GaN)晶体管的大规模单片3D集成。 英特尔公
- 关键字:
英特尔 晶体管微缩技术
晶体管微缩技术介绍
您好,目前还没有人创建词条晶体管微缩技术!
欢迎您创建该词条,阐述对晶体管微缩技术的理解,并与今后在此搜索晶体管微缩技术的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司

京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案:1101082052 京公网安备11010802012473