- 曾经看来大有希望的远紫外(EUV)光刻技术面临着重重困难,193纳米沉浸式技术似乎成为了必然的选择,但成本高昂,而且很难延伸到16纳米节点以下。半导体光刻工艺正面临着技术和成本方面的双重压力。 半导体光刻工艺面临技术和成本压力 光刻行业正遭到双重打击:对用于集成电路生产的远紫外光刻技术而言,机会窗口在慢慢关闭;而最有希望的一项替代技术即193纳米沉浸式光刻技术却成本高昂,于是行业陷入一片混乱当中。成本增加会对芯片尺寸的继续缩小带来严重的影响。 在近期国际
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光刻行业 下一代技术 消费电子 其他IC 制程 消费电子
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