日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用SOT-923封装的60V N沟道功率MOSFET --- SiM400。该器件为业界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封装能节约更多的空间。
SiM400是迄今为止最小的60V功率MOSFET，其SOT-923封装的尺寸为1mm x 0.6mm，最大厚度仅有0.43mm。器件的占位尺寸比SC-89小77%，厚度则薄了26%。
在VGS为10V、4.5V和3.5V的情况下，新器件的导通电阻分别
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Vishay MOSFET SiM400
日前，Vishay Intertechnology, Inc.今天宣布，推出新系列增强型高电流密度PowerBridge整流器。整流器的额定电流高达30A~45A，最大峰值反向额定电压为600V~1000V，外壳绝缘强度高达1500V。该系列45A器件是业界首款采用PowerBridge封装的单列直插桥式整流器，产品尺寸为30mm x 20mm，厚度为3.8mm。
与市场上其他更大尺寸的桥式整流器相比，PowerBridge器件先进的导热结构使热量能更有效地散发出去。因此，PowerBrid
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Vishay 整流器 PowerBridge
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出用于线焊组装的新系列RF螺旋电感器 --- Vishay Electro-Films PSC系列电感器 --- 具有低DCR、高Q值和宽感值范围，提供RF等效电路模型，使得设计者可以对器件性能进行高度精确的计算机仿真。
PSC电感器是针对需要线焊器件的RF电路而设计的，包括在通信系统及测试测量仪器中的阻抗调谐电路、集总元件滤波器和混合RF集成电路。
螺旋电感具有1nH~100nH的宽感
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Vishay RF 螺旋电感器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位面积的热增强PowerPAK SC-70®封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。新款SiA433EDJ是采用第三代TrenchFET® P沟道技术的最新器件，使用了自矫正的工艺技术，在每平方英寸的硅片上装进了1亿个晶体管。这种最先进的技术实现了超精细、亚微米的间距工艺，将目前业界最好的P沟道MOSFET
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Vishay MOSFET SiA433EDJ
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，扩大了符合美军标MIL-PRF-55342认证的E/H薄膜贴片电阻的阻值范围，推出增强型E/H贴片电阻。该系列电阻采用紧凑的2208、2010和2512外形尺寸。增强后的器件使高可靠性应用能够用上更低阻值的电阻，在±25ppm/℃ TCR下的阻值为49.9Ω，容差为0.1%，10Ω电阻的容差为1.0%。
增强型E/H贴片电阻适用于对性能有严格要求的高可靠性军
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Vishay 贴片电阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有业内1.1mm最薄厚度的新系列1500W表面贴装TransZorb瞬态电压抑制器(TVS) --- SMPC系列。SMPC系列具有6.7V～42.4V的击穿电压和10.0V～58.1V的优异钳位能力。
今天发布的TVS器件采用eSMP TO-277A封装，比传统SMC封装的占位面积小27%。SMPC系列的峰值前向浪涌电流高达200A，工作温度为-55℃～+105℃。
TVS器件可用来保护通信和普通应用中的敏感设备，
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Vishay TVS 瞬态电压抑制器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款经济、长寿命的面板电位计 --- P11L，该电位计具有四种模块和12.5mm的紧凑外形。
标准的低成本面板电位计的循环寿命只有50000次，而Vishay的P11L的寿命则长达2百万次循环。对设计者来说，P11L的长寿命可减少对替换零件的需求，提高可靠性和降低维护成本。
Vishay的这款多功能面板电位计针对焊接机、空调单元、加工机械、医疗系统、X光设备、卡车和拖车，以及军用和航天系统中的CMOS放大器增益、
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Vishay 电位计 P11L
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出高容值、高纹波电流，并可在+105℃高温下工作的径向铝电容器 --- 142 RHS系列。
142 RHS系列提供从5mm x 11mm至18mm x 40mm的15种外形尺寸，105℃的最高温度等级使器件能在更高的温度下工作，或是具有比标准的85℃系列更长的器件寿命。其他特性包括在105℃下高达3100A的额定纹波电流，在10V～450V电压范围内的容值为1μF～22,000μF。
做为一款采用非固态电解
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Vishay 电容
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出用于遥控系统的新款系列超小型SMD红外接收器。该系列器件是业界首个采用两个光敏二极管及专利技术内部金属EMI屏蔽的产品，超薄封装的厚度仅为2.35mm。TSOP75xxxW采用无镜片设计，实现了业界最佳的敏感度尺寸比，在在±75°宽的角度内，辐照度为0.3mW/m2～0.7mW/m2。
今天发布的器件中有三款是自动增益控制(AGC)版本。TSOP752xxW兼容于所有常用红外遥控数据格式。TSOP7
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Vishay SMD 红外接收器
日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出VBPW34x和VBP104x系列高速SMD PIN光敏二极管，新器件采用鸥翼和倒鸥翼型封装，提供透明环氧树脂封装和具有日光阻断滤波功能的版本。八款新器件针对烟雾探测、光栅中的探测器，以及各种消费类和工业应用中的数据传输进行了优化。
VBPW34FAS、VBPW34FASR、VBP104FAS和VBP104FASR光敏二极管具有与红外发射器相匹配的日光阻断滤波器，例如波长为870nm或950nm的Vishay TSFFxxxx
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Vishay 二极管
日前，Vishay宣布推出两款MICRO FOOT功率MOSFET --- Si8461DB和Si8465DB，最大尺寸为1mm x 1 mm x 0.548mm，是迄今为止业界最小的芯片级功率MOSFET。
在种类繁多的便携式设备中，20V的P沟道Si8461DB和Si8465DB可用于负载开关、电池开关和充电开关应用。器件的小尺寸和薄厚度有助于减少电源管理电路所占用的空间，以及/或是实现更多的功能。与市场上尺寸与之最接近的芯片级功率MOSFET相比，1mm x 1mm x 0.548mm的M
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Vishay MOSFET Si8461DB Si8465DB
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用glass-to-tantalum新型密封的新系列钽外壳液钽电容器 --- 136D。对于高可靠性应用，136D器件可在-55℃～+85℃温度范围内工作，在电压降额的情况下可在+200℃下工作，在120Hz和+25℃条件下的ESR低至0.44Ω。
商用的136D电容器等同于军用型的CLR90和CLR91器件，军用型器件是按照军标MIL-PRF-39006/30和39006/31的性能要求设计的。另外，今天发布
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Vishay 电容器 电子元件
2009年4月23日—日前，VishayIntertechnology,Inc.(NYSE股市代号：VSH)宣布，推出两款新型液钽电容器---M34和M35，新器件是业界首款采用真正可表面贴装的模压封装产品。
M34和M35液钽电解芯片电容器集中了所有电解电容器的优点，摒弃了大多数缺点。在相似的电容量和外壳尺寸的情况下，新器件可耐受比其他类型电解电容器更高的纹波电流。此外，M35系列在+85℃温度下可承受3V的反向电压。
新器件可以使目前使用Vish
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Vishay 钽电容器
近日，Vishay Intertechno logy,Inc.宣布推出新系列径向铝电容器---EKX系列，这些器件可实现+105°C的高温运行，且具有低阻抗值以及高电容值及纹波电流。
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Vishay 电容器 EKX
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