- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出6款用于消费电子应用的FRED Pt™超快恢复整流器。新的600V、8A器件在额定电流下具有1V的超低典型压降，在硬开关条件下的快速恢复时间只有16ns，在125℃下的典型泄漏电流低至30μA。
新整流器适用于70W～400W的开关电源，为笔记本电脑和打印机适配器、桌面电脑、电视机和显示器、游戏控制器，以及DVD和蓝光播放器中的AC-DC电源提供了高能效的功率因数校正(PF
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Vishay 整流器
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款4线VCUT05A4-05S-G-08双向对称(BiSy)ESD保护阵列，可保护PC和便携式消费电子产品中的USB 2.0等数据端口应用。
新的保护阵列在0V时具有16pF的低容值，在5V工作电压下的泄漏电流小于0.1μA。器件使用广为采用的SOT23-5L封装，在生产过程中很容易进行处理，0.7mm的超薄厚度可节省电路板空间。
VCUT05A4-05S-G-08能够对4条数据线提供瞬态保护，保护等级达到pe
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Vishay ESD保护 USB2.0
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出通过新DSCC Drawing 10011认证的超高容值液钽电容器 --- 10011。Vishay的新款DSCC 10011器件具有高达72,000µF的容值，采用A、B和C外形编码。对于高可靠性应用，10011器件采用玻璃至金属的密封结构，可以在-55℃～+85℃的温度范围内工作，电压降额情况下的温度可达+125℃，1kHz时的最大ESR低至0.035Ω。
10011器件的特殊阴极系统具有单位体积的最高容
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Vishay 液钽电容器 DSCC
- Vishay在官方网站上发布Power Metal Strip®分流电阻如何应用在定制产品中的解决方案的视频介绍
宾夕法尼亚、MALVERN — 2010 年 5 月 6 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，为帮助客户了解如何将Vishay Dale电阻技术用于定制产品，满足特定用户的需求，Vishay在其网站(http://www.vishay.com)新增加了一个介绍Power Metal Stri
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Vishay Power Metal Strip 分流电阻
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAK® 1212-8封装的30V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si7625DN。在这种电压等级和3.3mmx3.3mm占位面积的P沟道MOSFET中，该器件的导通电阻是最低的。
新款Si7625DN可用于笔记本电脑、上网本和工业/通用系统中的适配器、负载和电池开关。适配器开关(在适配器、墙上电源和电池电源之间切换)通常是开启并且吸收电流。Si7625DN更低的
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Vishay MOSFET PowerPAK TrenchFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，其CWR06和CWR16 TANTAMOUNT®固态钽电容器现可满足MIL-PRF-55365为宇航级应用制定的“T”-level要求。
为达到T级的可靠性，Vishay的CWR06和CWR16进行了额外测试，对原材料和产品批次定义进行严格控制，并达到Weibull C或D故障率，在-55℃、+0℃和+85℃下进行了100%的C浪涌试验。此外，电容器进行了完备的视觉和
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Vishay 电容
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片级MICRO FOOT®封装的P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占位面积内，这款20V器件提供业内P沟道MOSFET最低的导通电阻。
新的Si8499DB是采用第三代TrenchFET P沟道技术的首款芯片级产品。这种最先进的技术能够实现超精细、亚微米的节距工艺，将业内P沟道MOSFET所能实现的最低导通电阻减小了一半：在4.5V、2
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Vishay MOSFET TrenchFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用1212外形尺寸的新款IHLP®小尺寸、高电流电感器 --- IHLP-1212BZ-11。IHLP-1212BZ-11是迄今为止Vishay最小的IHLP器件，具有3.0mm x 3.6mm的占位、2.0mm的超小尺寸以及0.22µH至1.5µH的标准感值，其最高频率可达1.0MHz。
IHLP-1212BZ-11具有0.22µH~1.5µH的感值范围，饱和电流范
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Vishay IHLP 电感器
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出为钻井和航空等极端高温环境优化的新系列打线式、裸芯片贴片式电阻 --- Vishay Sfernice RMKHT和电阻网络。
新的Vishay Sfernice RMKHT打线式贴片电阻的工作温度范围为-55℃～+215℃，最高储存温度可达+230℃，是业界首款达到如此高温范围的薄膜电阻。该器件甚至在215℃的高温下经过1000小时后的负载寿命稳定率依然可达0.5%，并同时保持严格的TCR和容差。
新款分立电阻的
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Vishay 贴片电阻 电阻元件
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出采用0402、0603、0805和1206外形尺寸的电阻器件，扩充了MC AT系列专用薄膜贴片式电阻。此外，该系列中具有更低TCR和容差的新款精密版本也已经发布了。
越来越多的电子设计要求器件能够耐受高温和潮湿效应，因为这些效应会影响到器件的稳定性和性能。Vishay的MC AT专业和精密电阻能够在这些应用当中提供稳定的性能。
今天发布的新款专业系列器件可在175℃的高温下工作1000小时
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Vishay 电阻器
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出通过了DSCC Drawing 10004认证的超高容值液钽电容器 --- DSCC 10004。Vishay的新款DSCC 10004器件具有业内最高的容值，采用轴向T1、T2、T3和T4外形编码。对于高可靠性应用，扩展的SuperTan® 10004采用玻璃至金属的密封封装，工作温度范围为-55℃~+85℃，电压降额情况下的温度可达+125℃，在120Hz下的最大ESR低至0.25Ω。
10004
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Vishay 液钽电容器 DSCC
- 日前，Vishay宣布推出新款500V N沟道功率MOSFET --- SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比，该器件的开关速度和损耗均得到了改善。SiHF8N50L-E3适用于ZVS拓扑，具有低至63ns的trr和114nC的Qrr，栅极电荷为34nC。
SiHF8N50L-E3改善了反向恢复特性，从而能够更好地抵御EMI，实现更高的效率，同时避免出现导致MOSFET烧毁的内部体二极管恢复故障。
Vishay今天推出的新MOSFET具有500V电压等级，在10V栅极驱动下的最大导通电
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Vishay MOSFET
- 日前，Vishay宣布，推出采用6767外形尺寸、低外形、高电流的新款IHLP®电感器 --- IHLP-6767DZ-01。IHLP-6767DZ-01具有4.0mm的超薄外形，具有高最高频率、高达92A的饱和电流和0.22μH至10.0μH的标准感值。
新款IHLP-6767DZ-01的频率范围达2MHz，是终端产品中电压调节模块(VRM)和DC-DC应用的高效能、节省空间和低功耗的解决方案，这些应用领域包括下一代移动设备、桌面电脑、服务器、图形卡和汽车电子系统，低外形、
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Vishay 电感器 IHLP
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出两款新的集成功率光敏，分别是输出电流为0.9A的VO2223和输出电流为1A的VO2223A，扩充了其光电产品组合。这些新款功率光敏集成了以往需要由光敏和电源TRIAC两个器件完成的功能。由于不需要采用外部功率TRIAC，这些器件可节省电路板空间和降低成本。这些光耦产品采用8引脚的DIP封装，可保护人体免受电击，在家电和很多其他系统中，可对低压控制电路与高压电源进行光电隔离，避免出现过流情况。
VO2223和VO2223A的
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Vishay 功率光敏 VO2223 VO2223A
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出2010年的“Super 12”高性能产品。这些系列器件具有业内领先的标准，如容值电压、电流等级和导通电阻。这些创新产品在http://www.vishay.com/landingpage/super12/2010/进行展示，是很多关键应用的理想选择，也是Vishay广泛的产品线组合的典型代表产品。
2010年将要发布的Super 12产品是：
597D和T97多模钽电容：对于+28V应
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Vishay 电容 导通电阻 MOSFET
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