- 标签：电源 谐振转换器 高压电源 直流电源 MOSFET现代电子设备功能越来越多，设备功能的高功耗对环境的影响也越来越大。提高电源效率是降低功耗的方法之一。谐振拓扑具有较高效率，很多大功率消费电子产品和计算机
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同步 MOSFET 控制 方案 检测 电压 电源 转换 效率 定时
- 过去15到20年间，汽车用功率MOSFET已从最初的技术话题发展到蓬勃的商业领域。选用功率MOSFET是因为其能够耐受汽车电子系统中常遇到的掉载和系统能量突变等引起的瞬态高压现象，且其封装简单，主要采用TO220 和 TO247
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MOSFET 功率器件 汽车电子
- 金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)是由一个金氧半(MOS)二机体和两个与其紧密邻接的P-n接面(p-n junction)所组成。自从在1960年首次证明后，MOSFET快速的发展
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MOSFET 双峰效 方法
- 瑞萨电子公司 (TSE: 6723)，高级半导体解决方案的主要供应商，日前宣布推出三款新型超级结金属氧化物场效应三极管(超级结MOSFET)，具有如下的特点：600V功率半导体器件中的导通电阻X栅极电荷，适用于高速电机驱动、DC-DC转换器和DC-AC逆变器应用。
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瑞萨 MOSFET
- 我们先来看看MOS关模型：
Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。
Cgd：是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠，第二是
耗尽区电容
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MOSFET 驱动器 功耗计算 方法
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款8V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA436DJ。该器件采用占位面积2mm x 2mm的热增强型PowerPAK® SC-70封装，具有N沟道器件中最低的导通电阻。
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Vishay MOSFET SiA436DJ
- 前言近年来，产业的发展、有限的资源及日益严重的地球暖化现象，促使环保节能的观念逐渐受到重视，更造...
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高效能 Power MOSFET
- 本文详细分析计算开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子工程师知...
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MOSFET 开关损耗 主导参数
- 日本知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)面向服务器、笔记本电脑以及平板电脑等所使用的低耐压DC/DC转换器，开发出了功率MOSFET。
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罗姆 MOSFET DC/DC
- 恩智浦半导体(纳斯达克代码：NXPI)日前推出业内首款2 mm x 2 mm、采用可焊性镀锡侧焊盘的超薄DFN (分立式扁平无引脚)封装MOSFET。这些独特的侧焊盘提供光学焊接检测的优势，与传统无引脚封装相比，焊接连接质量更好。
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恩智浦 MOSFET
- 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出采用坚固耐用TO-220 fullpak封装的车用功率MOSFET系列，适合包括无刷直流电机、水泵和冷却系统在内的各类汽车应用。
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- 工程师在为汽车电子设计电源系统时可能会遇到在设计任何电源应用时都会面临的挑战。因为功率器件MOSFET必须能够承受极为苛刻的环境条件。环境工作温度超过120℃会使器件的结点温度升高，从而引发可靠性和其它问题。在
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- 开关电源由于体积小、重量轻、效率高等优点，应用已越来越普及。MOSFET由于开关速度快、易并联、所需驱动功率低等优点已成为开关电源最常用的功率开关器件之一。而驱动电路的好坏直接影响开关电源工作的可靠性及性能
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