- 9月10日消息，据WinFuture报道，三星UFS存储卡现身IFA2019展会，它被装在了海信T91手机上。
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三星 存储卡 UFS
- Mar. 20, 2019 ----
集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查指出，受到服务器需求疲弱、智能手机换机周期延长、苹果新机销售不如预期等终端需求不佳冲击，2019年第一季各类NAND
Flash产品合约价综合季跌幅近20%，是自2018年初NAND Flash转为供过于求以来跌幅最剧的一季。 展望第二季，DRAMeXchange分析师叶茂盛表示，历经第一季的需求低谷之后，智能手机、笔记本电脑及服务器等主要需求较第一季有所改善。另一方面，NAND
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NAND UFS SSD
- 在半导体业，有非常多与接口标准、性能规格、功能特性和设计的真实可能性有关联的假设、术语和误解。因此，弄清事实很重要。本文将阐明关于NAND闪存的错误观念。 在使用期的性能恒定。 固态硬盘(SSD)写入数据愈多，特别是随机数据，而控制器背后需处理的工作就越多。智慧量和您实际的读取或写入处理可以为应用于交叉存取后台管理工作的控制器开创新局。对于在内部存储器或硬件加速器方面资源较少的廉价控制器，可能会表现差劲，不是导致系统的使用寿命缩短就是性能大幅下降。 随着PCIe销售额的增加，SATA逐渐消失不见
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NAND eMMC UFS
- 在半导体业，有非常多与接口标准、性能规格、功能特性和设计的真实可能性有关联的假设、术语和误解。因此，弄清事实很重要。本文将阐明关于NAND闪存的错误观念。 在使用期的性能恒定。 固态硬盘(SSD)写入数据愈多，特别是随机数据，而控制器背后需处理的工作就越多。智慧量和您实际的读取或写入处理可以为应用于交叉存取后台管理工作的控制器开创新局。对于在内部存储器或硬件加速器方面资源较少的廉价控制器，可能会表现差劲，不是导致系统的使用寿命缩短就是性能大幅下降。 随着PCIe销售额的增加，SATA逐渐消失不见
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NAND UFS
- 在高速数字接口中，并行总线越来越少。原因很简单，随着系统频率的提升，并行总线在板级建置时已经遭遇到实体瓶颈，抖动、串扰、信号偏移、传输路径不
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UFS emmc 数字接口
- 相较于处理器芯片，存储性能这些年在智能手机上的重要性也开始逐渐凸显。据Android Authority总结，LPDDR5 RAM、UFS 3.0 ROM和SD Express存储卡将会成为新一轮旗舰智能机将要占领的技术之制高点。 具体来说，LPDDR5的速度将达到6400Mbps，比LPDDR4翻番，比LPDDR4X(4266Mbps)提升50%。按照IC厂商Synopsys透露的，LPDDR5将引入WCK差分时钟，类似于GDDR5，从而在不增加引脚的情况下提升频率。 此外，LPDDR5还将引入
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LPDDR5 UFS 3.0
- 2月26日，美光发布了专为安卓旗舰机打造的UFS 2.1标准闪存，容量设计为64GB、128GB和256GB。
颗粒选用TLC，3D 64层堆叠，美光强调基于人工智能技术进行了APP打开、运行有关的性能优化。
由于是第二代3D闪存，美光称性能提升了50%。
单Die面积59.341mm2，32GB，号称业内最小。因此，在同样芯片面积下的总容量翻番。
新闪存将于今春发货，2018年下半年开始出现在智能机中。
由于此前，UFS2.1能稳定供货的只有三星和东芝，导致价格较高，美
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三星 UFS
- 三星电子(Samsung Electronics)于2018年2月宣布最新256GB嵌入式通用快闪储存(embedded Universal Flash Storage, eUFS) 2.1解决方案已开始量产， 是业界首款将固态技术协会(JEDEC)的UFS 3.0标准导入汽车应用的储存设备。
三星电子在2017年9月宣布首款128GB eUFS技术有所突破之后，于近日发布量产256GB eUFS 2.1车用内存。 该储存设备将为下一代驾驶辅助系统(ADAS)、车用娱乐系统与仪表板应用带来更好的
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三星 UFS
- TrendForce研究指出，明年上半年步入淡季，NANDFlash价格有机会走跌，下半年需求回升，可能再次供不应求，预估2018年NANDFlashASP(平均销售单价)将较2017年缩减10%-20%。
相对而言，TrendForce预计，2018年DRAM产能扩增效益有限，价格趋势与供给状况持续看涨、看紧。
TrendForce表示，就移动存储来看，智能手机应用的存储零组件价格从2016年第三季开始不断攀升，以主流规格而言，到今年第四季价格平均上升40%，不仅影响各大品牌在智能手机的
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UFS NANDFlash
- NAND Flash解决方案供应商群联9、10月连续两月份的固态硬盘(SSD)出货量都破历史新高，上月更达到100万组的水准，另一个好消息是，群联在下一代的嵌入式快闪存储器新款的UFS芯片PS8313上，已经通过手机芯片大厂高通(Qualcomm)和海思等智能手机芯片平台的测试，新产品布局有成。
群联今年全力冲刺SSD和嵌入式存储器解决方案eMMC产品线，继9月SSD出货量突破90万片后，10月再创新高达100万片水准。
以第3季表现来看，群联第3季获利创下单季历史新高，主要是受惠多项主流
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UFS 海思
- eMMC使命完成，UFS时代来临，如何快速从eMMC转移到UFS-在高速数字接口中，并行总线越来越少。原因很简单，随着系统频率的提升，并行总线在板级建置时已经遭遇到实体瓶颈，抖动、串扰、信号偏移、传输路径不完美等因素，都将大幅降低并行总线持续建立时间窗口，从而限制系统带宽的进一步提升。
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emmc ufs 数字接口
- 智能手机体验优秀与否，除了处理器芯片，闪存芯片也是一大影响因素，目前手机上常搭载的闪存有UFS 2.1、UFS 2.0及eMMC 5.1等标准。其中UFS标准于2011年诞生，升级到2.0版本是在2013年，2.1版本则是在2016年发布的，而近日据网友爆料其下一代标准3.0也已经在研发了。
根据网友爆料使用的图片显示，UFS 3.0的速度最高达2666MB/s，较UFS 2.1最高1333MB/s的速度整整快了一倍。
除了快到飞起的速度外，USF 3.0占据的
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UFS
- 车内信息娱乐系统(IVI)越来越普及，先进驾驶辅助系统(ADAS)、无人驾驶技术亦逐渐成熟，车载系统突飞猛进造就日益庞大的数据处理需求，所需内存容量、输出/入带宽不得不随之升级。 不仅如此，车用储存组件相较3C电子等一般应用，更须考虑车辆要求之极高可靠性、安全性，进一步纳入完善的硬/韧体除错与实时反馈等相应机制。
内存控制芯片主力供货商慧荣(SMI)产品企划部项目经理胡文基表示，从早期所用之SD卡、光罩式ROM、PATA/SATA硬盘等演进至今，目前车载系统是以16G起跳之内嵌式多媒体记忆卡(e
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ADAS UFS
- UFS普及并不缺乏机会，Flash产能的困境能否早日抒解，成为真正影响UFS茁壮的关键因素了。
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Flash UFS
- 华为P10“闪存门”其实就是一些消费者在购买P10手机后，经过测试发现，华为P10系列手机闪存速度出现了明显差异的情况。用户测试结果显示，有部分手机的闪存速度约为200MB/秒，而根据网上公布的评测参数来看，以华为官方配置的P10实际速度应该可以达到800MB/秒左右。而最终测试的结论就是华为P10的闪存存在UFS和eMMC混用的问题。
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闪存 UFS eMMC
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