- 图1中电路会根据一个脉冲，切换一个DPDT（双刀双掷）锁存继电器的状态。它包括一个瞬动开关至步进电压信号发生器，一个差分脉冲转换器，一个继电器驱动器，以及一个继电器线圈。 瞬动开关提供驱动电路的步进电压信
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研究 电路 CMOS 继电器
- 我们发现日益改进的静电学及晶体管传输有助于形成一种成熟的方法，这种方法能够降低有源和待机功耗。要做到这一点，新型晶体管结构和材料拓展了性能?功耗设计空间，使之超跃了传统的本体硅晶体管。最终，通过构成一个由多层系统-电路-器件电源管理生态系统构成的底层，晶体管的创新将会继续在定义下一代提高功效的策略时发挥关键作用。
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CMOS 器件 功效 功率 提高 MOSFET 方案 非传统
- 摘要：设计了一种基于0．25 mu;m CMOS工艺的低功耗片内全集成型LDO线性稳压电路。电路采用由电阻电容反馈网络在LDO输出端引入零点，补偿误差放大器输出极点的方法，避免了为补偿LDO输出极点，而需要大电容或复杂补偿
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稳压器 设计 线性 LDO 成型 CMOS 全集
- 摘要：采用TSMC 0．18 mu;m 1P6M工艺设计了一个12位50 MS／s流水线A／D转换器(ADC)。为了减小失真和降低功耗，该ADC利用余量增益放大电路(MDAC)内建的采样保持功能，去掉了传统的前端采样保持电路，采用时间常数匹配
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流水线 转换器 CMOS MS 12位 一种
- PMM8731是日本三洋电机公司生产的步进电机脉冲分配器。而SI-7300则是日本三青公司生产的高性能步进电机集成功率放大器。它们和单片机一起可构成一种高效电机控制驱动电路。文中介绍了PMM8713与SI-7300的功能，给出了
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驱动 电路 电机 步进 PMM8731 SI-7300 基于
- 力科公司，作为示波器、协议分析仪、串行数据测试解决方案和网络分析仪领导厂商，今天宣布推出其信号完整性产品线的创新产品：信号完整性工作室(SI Studio)。SI Studio是力科SPARQ应用软件包的附加产品，它不但可以和SPARQ串行网络分析仪协同工作，还可以作为一个独立的软件使用。
可完成信号完整性分析、建模和仿真的功能
SI Studio针对信号完整性工程师而开发，可让工程师使用一个软件包就能完成对
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力科 软件包 SI-Studio
- 7月10日，北京思比科微电子董事长陈杰在东莞松山湖IC创新高峰论坛上透露，公司已于去年12月完成公司股份制改造，现已进入创业板辅导流程。
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思比科 CMOS
- CMOS成像技术的领先创新厂商Aptina公司宣布其Aptina MobileHDR 技术最近在6Sight Mobile Imaging Summit上荣获国际成像行业协会(International Imaging Industry Association, I3A)颁发VISION 2020成像技术创新铜奖。
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Aptina CMOS
- 高性能模拟与混合信号IC领导厂商Silicon Laboratories 今日宣布其广播收音机IC出货量已达十亿颗，缔造了广播音频市场的重要里程碑。Silicon Labs的数字CMOS广播收音机芯片广泛应用于手机、便携式媒体播放器(PMP)、个人导航装置(PND)、汽车信息娱乐系统、桌面和床头收音机、便携式收音机、音响和许多其他消费电子产品。
Silicon Labs公司于2005年推出业界首颗单芯片FM接收器。作为业界最小、最高性能和集成度的FM广播收音机IC，Si4700 IC重构了消
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Silicon-Labs IC CMOS
- 目前，包括移动设备在内的很多多媒体设备上都使用了摄像头，而且还在以很快的速度更新换代。目前使用的摄像头分为两种：CCD(Charge Couple Device电荷偶合器件)和 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor互补
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Sensor CMOS 调试 经验
- 摘要：文中在应用对数域电路的基础上，提出了一种新型的连续小波变换方法，它通过对母小波的一种数值逼近得到小波函数的有理公式，并以Marr小波为例来模拟这个逼近过程，并用Matlab对逼近过程进行仿真。仿真结果显示
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变换 实现 小波 滤波器 SI 基于
- 1 引言 集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，并按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路。 一个典型的数字锁相环结构如图1 所示
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设计 振荡器 CMOS
- 制定行业公认的标准是研究纳米技术必不可少的先期工作
就像1849年出现的加利福尼亚淘金热一样，纳米技术的出现也带来了巨大机遇和极大风险。正如在淘金热时代出现了很多新技术、利益和挑战一样，人们对纳米技术的探索也将不可避免地促使人们开发一些新工具突破纳米关键技术，抓住创造巨大财
富的机遇，但是也存在给环境、健康和安全带来灾难性影响的可能性。尽管纳米技术将毋庸置疑地形成很多爆炸性的技术，催生很多新的研究领域，但是也可能对那些不了解
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纳米 CMOS
- 本文介绍了电荷俘获的原理以及直流特征分析技术对俘获电荷进行定量分析的局限性。接下来，本文介绍了一种超快的脉冲I-V分析技术，能够对具有快速瞬态充电效应（FTCE）的高k栅晶体管的本征（无俘获）性能进行特征分析。
先进CMOS器件高k栅技术的进展
近年来，高介电常数（高k）材料，例如铪氧化物（HfO2）、锆氧化物（ZrO2）、氧化铝（Al2O3）以及
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脉冲 CMOS
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