为了提高系统可靠性并降低保修成本，设计人员在功率器件中加入故障保护电路，以免器件发生故障，避免对电子系统造成高代价的损害。这通常利用外部传感器、分立电路和软件来实现，但是在更多情况下，设计人员使用完全
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器件 分析 功率 MOSFET 保护 完全
全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩展其PQFN封装系列，推出PQFN 2mm x 2mm和PQFN 3.3mm x 3.3mm封装。新型封装集成了两个采用IR最新硅技术的HEXFET® MOSFET，为低功率应用提供高密度、低成本的解决方案，这些应用包括智能手机、平板电脑、摄像机、数码相机、直流电动机、无线感应充电器、笔记本电脑、服务器、网通设备等
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IR MOSFET
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR)近日推出新的车用MOSFET系列，适合要求低导通电阻的一系列应用，包括传统内燃机 (ICE) 平台以及微型和混合动力汽车平台上的重载应用。
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IR MOSFET
全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR)近日推出新的车用MOSFET系列，适合要求低导通电阻的一系列应用，包括传统内燃机 (ICE) 平台以及微型和混合动力汽车平台上的重载应用。
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IR 栅级驱动 MOSFET
Diodes 公司推出一对互补性双 MOSFET 组合DMC4040SSD，可用于低压单相/三相无刷直流（BLDC）电机控制应用。该组合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道导通电阻（Rdson）性能，以确保平衡分配电机负载的直流损耗并将其减少到最小。
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Diodes MOSFET DMC4040SSD
S7-200简单模拟量编程程序,TITLE=//子程序1：数据采集部份 // Network 1 // // 初始化，采集模拟量输入电压信号 // LD SM0.0 MOVW AIW0, VW40 MOVW AIW8, VW50 MOVW AIW16, VW60 Network 2 // // 模拟量信号校准，75为
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程序 编程 模拟 简单 S7-200
Diodes 公司推出一对互补性双 MOSFET 组合DMC4040SSD，可用于低压单相/三相无刷直流(BLDC)电机控制应用。该组合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道导通电阻(Rdson)性能，以确保平衡分配电机负载的直流损耗并将其减少到最小。
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Diodes DMC4040SSD MOSFET
现代创新理论的提出者约瑟夫·熊彼特认为，企业家的职能就是实现“创新”，引进生产要素或生产条件的“新组合”，目的是最大限度地获取超额利润。创新催生利润，因此“创新”一词得到狂热追捧，几乎所有企业都在打出各式各样的创新口号。
不仅业内企业在摸索和实践着创新，作为“深圳(国际)集成电路技术创新与应用展览会”的组织机构——深圳市半导体行业协会也在积极行动。他们在深入调研了
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IC设计 MOSFET 音频解码器
电源工程师一直面对减小应用空间和提高功率密度的两个主要挑战，而在笔记本电脑、负载点、服务器、游戏和电信应用中，上述两点尤为重要。为了帮助设计人员应对这些挑战，全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发出FDMS36xxS系列功率级非对称双MOSFET模块。
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飞兆 MOSFET FDMS36xxS
全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩展其封装系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封装。新的封装采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技术，为一系列的低功耗应用，包括智能手机、平板电脑、摄像机、数码相机、笔记本电脑、服务器和网络通讯设备，提供超小型、高密度和高效率的解决方案。
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IR PQFN MOSFET
全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩展其封装系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封装。新的封装采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技术，为一系列的低功耗应用，包括智能手机、平板电脑、摄像机、数码相机、笔记本电脑、服务器和网络通讯设备，提供超小型、高密度和高效率的解决方案。
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IR HEXFET MOSFET
据IHS iSuppli公司的研究，2010年中国功率MOSFET市场快速增长，销售额达到23亿美元，比2009年的16亿美元增长43%。
直到去年第三季度，功率MOSFET在2010年多数时间都处于供应不足局面，难以满足中国各行业的需求，包括本地数据处理、消费与通信领域。功率MOSFET是为处理较高的功率级而设计的功率半导体器件，主要用于电源与DC-DC转换器中的低电压开关。
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MOSFET DC-DC转换器
在这篇《电源设计小贴士》中，我们将研究在同步降压功率级中如何对传导功耗进行折中处理，而其与占空比和 FET 电阻比有关。进行这种折中处理可得到一个用于 FET 选择的非常有用的起始点。通常，作为设计过程的一个组
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MOSFET 同步降压 电阻比
据IHS iSuppli公司的研究，2010年中国功率MOSFET市场快速增长，销售额达到23亿美元，比2009年的16亿美元增长43%。
直到去年第三季度，功率MOSFET在2010年多数时间都处于供应不足局面，难以满足中国各行业的需求，包括本地数据处理、消费与通信领域。功率MOSFET是为处理较高的功率级而设计的功率半导体器件，主要用于电源与DC-DC转换器中的低电压开关。
去年功率MOSFET在中国市场强劲增长，可能主要归功于中国政府的推动。为了鼓励投资和刺激经济，中国政府推出了一系
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MOSFET 无线通信
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