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超低功耗 远程控制 RF
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静电是物体表面的静止电荷。物体在接触、摩擦、分离、电解等过程中，发生电子或离子的转移，正电荷和负电荷在局部范围内失去平衡，就形成了静电。当物体表面的静电场梯度达到一定的程度，正电荷和负电荷发生中和，就出现了静电放电(ESD)。静电放电可以出现在两个物体之间，也可由物体表面经电荷直接向空气放电。
l 静电放电的危害
静电作为一种普遍物理现象，近十多年来伴随着集成电路的飞速发展和高分子材料的广泛应用，静电的作用力、放电和感应现象引起的危害十分严重，美国统计，美国电子行业部门每年因静电危
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ESD
静电在芯片的制造、封装、测试和使用过程中无处不在，积累的静电荷以几安培或几十安培的电流在纳秒到微秒的时间里释放，瞬间功率高达几百千瓦，放电能量可达毫焦耳，对芯片的摧毁强度极大。所以芯片设计中静电保护模块的设计直接关系到芯片的功能稳定性，极为重要。随着工艺的发展，器件特征尺寸逐渐变小，栅氧也成比例缩小。二氧化硅的介电强度近似为8×106V／cm，因此厚度为10 nm的栅氧击穿电压约为8 V左右，尽管该击穿电压比3.3 V的电源电压要高一倍多，但是各种因素造成的静电，一般其峰值电压远超过8 V
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CMOS ESD
2008年11月4日 – 全球领先的高性能、高能效硅解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)今日在台北举行的第七届静电放电保护技术研讨会上，针对如何防止静电放电(ESD) 所带来的损失，从元件、制造和系统三个层级的技术面加以探讨，为业界提供实质建议。要有效降低ESD所带来的损害，除了可选择在制程中直接控制ESD之外，也可以在电子元件中加强抵抗ESD的装置。安森美半导体长期投入于研发ESD保护技术，通过先进的ESD保护技术和完整的产品系列
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安森美半导体 ESD 电子
在全球半导体产业为IC领域的45nm、多核技术的飞速发展所吸引时，一向波澜不惊的无源器件在汽车电子的推动下正暗流涌动，7月31日，TDK宣布收购EPCOS，剑指汽车电子领域。而村田，也在7月拉开了中国九城市汽车技术研讨会的序幕。汽车电子给无源器件提出哪些新的需求？无源器件在这些新需求下出现什么新的变化？中国汽车电子设计工程师在无源器件的应用上应该注意什么？来自全球主要无源器件供应商将为你解读无源器件在汽车电子应用上的未来与新技术。
汽车电子如何推动无源器件发展
随着汽车电子化、
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半导体 TDK MCU ESD 汽车无源器件
日前，德州仪器 （TI） 宣布推出一款专门面向不断发展的闭环非接触式微型支付卡、会员卡、身份识别以及门禁应用市场领域的新型安全多用途非接触式芯片。被命名为 RF-HCT-WRC5-KP221 的 TI ISO/IEC 14443 Type B 芯片（同时提供模块版本）将极高的处理速度、高级射频 （RF） 性能以及业界标准安全性与高度灵活的可配置存储器完美结合在一起，能在同一张非接触式卡片或安全标记 （token） 上支持多达五种应用。
相当多的闭环应用都需要基于 ISO/IEC 14443 标准
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TI 射频 RF 安全
这篇文章简要地探讨了手机音频系统中ESD及EMI的起因及结果。接着研讨了ESD干扰抑制器和EMI滤波器的使用，以避免这些威胁。最后，比较了当前三种解决方案。
现代材料和技术引起静电放电(ESD)和电磁干扰(EMI)，并成为经常存在的危险。我们的穿着和我们接触的物品会引起静电放电。数字技术已有电磁干扰。静电放电会破坏手机里的电子部件。手机容易替换，但对用户的伤害很大。手机电路设计者必须确保采取必要的措施，以消除ESD的破坏。
在音频电路中如有电磁干扰(EMI)，会出现嘶嘶、噼
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手机 ESD EMI 音频
当移动设备SoC集成射频电路时，它们将需要可重用 RF IP。但是它们能够做到吗？
对于下一代智能手机、移动视频播放器以及 Web 漫游附件的整合，其含意不仅是要将多用途基带与应用处理器、加速器和内存一起放到同一片 SoC （系统单芯片）上，而且还要将许多小信号RF电路整合到SoC上。其中就存在一项重大难题。
在今天的 SoC 中，要想满足时间表并维持合理的设计复杂性，硅 IP （知识产权）的重用是绝对必要的。但是，尽管 IP 的重用在数字行业人所共知，甚至已经成为一些甚高频模块的常见现象
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SoC RF 射频 MIPS
在高速数据率下，低电容 ESD 保护对于保持 USB 2.0、IEEE 1394 以及 ITV操作中使用的 DVI和HDMI 协议的数据完整性是很关键的。
全世界有数百万的家庭都已经在通过卫星电视、有线电视以及陆地广播享用互动式电视 (ITV)服务 。借助于计算机技术，ATSC ACAP协议正在通过数据广播 (PC 下载) 以及实时互动应用服务成为富有生命力的广播服务。
随着这些行业的汇聚联合，制造商必须对设备需求作出响应，以便容纳更高的数据率以及符合当前和拟议中的通信需求。另外，保护昂贵
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便携式 ESD 端口 IEEE
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出最新小型 4 线 ESD 保护阵列 --- VBUS054CV-HS3，该器件可在高浪涌电流情况下提供低电容，以保护两个高速 USB 端口或四个其它高频信号线，以免它们受到瞬态电压信号的损坏。
VBUS054CV-HS3 采用占位面积为 1.6mm×1.6mm 且具有 0.75mm 超薄厚度的无铅 LLP75 封装，可将众多便携式电子设备中的有源 ESD 保护所需的板面空间缩减至最小，这些系统包括便携式与手持式计算、通
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Vishay ESD 保护阵列 电容
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RF MEMS开关在隔离度、插入损耗、功耗以及线性度等方面，具有比FET或pin二极管传统微波固态开关无法比拟的优势，从而获得了广泛的关注，并显示出在微波应用领域的巨大潜力。自1979年K.E.Petersen第一次报道RF MEMS开关的应用以来，业界已研制出很多不同结构的RF MEMS开关。无论是在隔离度还是在插入损耗上，RFMEMS电容式并联开关在Ka到W波段都表现出了良好的性能。但是，RF MEMS电容式开关在低频段的较低隔离度限制了其在X波段的应用。为克服以上不足，J.B.
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MEMS RF 电容 开关
日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款支持高达4GHz RF输出传输率的高线性、超低噪声正交调制器，该解决方案不仅进一步壮大了高性能射频 (RF) 解决方案的产品阵营，而且还使服务供应商能够在单个RF收发器卡上轻松支持多种无线通信标准。TI的TRF370317 正交调制器是一种直接发射式RF发送设备，可为基站设备制造商提供得已改进的线性和更高的输出功率，从而可在降低功耗和服务供应商运作成本的同时，从总体上提高发送器的性能。
TI的 TRF370317 是一款高性能正交调制器，可满足对GSM、CD
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TI 正交调制器 RF 无线通信
Analog Devices, Inc.（ADI），最新推出一款集成RF Tx调制器与Rx模拟基带的单芯片器件--ADF9010，适合工作在900 MHz频率范围的应用，如RFID阅读器、ISM频段无线电通信设备、专业移动无线电、手机基站以及射频同轴传输（RF-over-coax）应用。ADF9010集成了高性能Tx正交调制器、整数N分频合成器，以及片上低相位噪声压控振荡器（VCO），可保持卓越的RF性能并降低系统成本。例如，在RFID应用中，与分立元件的解决方案相比，ADF9010集成度与性能的结合
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ADI RF 模拟前端 射频
AdaptivEnergy 公司推出采用 Joule-Thief? 技术开发的演示套件，用于进行能量收集，并为德州仪器 (TI) 超低功耗 MSP430 微控制器 (MCU) 与 RF 技术进行采集数据、控制系统操作或将感测数据传输至中心采集站提供核心动力。该套件充分展示了能量收集与射频 (RF) 技术在无线传感、监控或环境智能等方面的卓越优势。Joule-Thief 能量收集器是基于 AdaptivEnergy 公司 Ruggedized Laminated Piezo (RLP?) 技术之上。该技
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TI 低功耗 MCU RF
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