- IA4420/21是射频收发一体芯片，IA4420工作在315/433/868/915MHz频段，IA4421工作在 433/868/915MHz频段。芯片的工作电压为2.2～5.4V，采用低功耗模式，待机电流为0.3mu;A，采用FSK调制模式，发射功率为 5～8dbm，接
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无线 数据传输 应用 及其 简介 芯片 IA4420 RF
- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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基准比较测试 RF WCDMA PXI RF仪器
- 设定相位同调 RF 量测系统：从 MIMO 到波束赋形概观自从传送出第一笔无线电波之后，工程师就持续发明新方法，以优化电磁微波讯号。RF 讯号已广泛用于多种应用，其中又以无线通信与 RADAR 的 2 项特殊应用正利用此常见
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MIMO RF 设定 量测系统
- AMD公司高级副总裁兼首席技术官Mark Papermaster表示，AMD在2013年芯片生产工艺将有重大变化，将完全从现有的SOI制造工艺切换到28nm Bulk CMOS工艺。至于GPU制造，AMD并不打算作出任何改变。目前南方群岛系列GPU，已经采用台积电28nm工艺，而AMD秋季即将推出的海岛系列GPU将继续采用相同工艺，海岛系列GPU已经进入样品试生产阶段，在2012年年底开始生批量生产，在2013年第一季度正式发布。
在评论异构系统架构(HSA)联盟，是否用来应对英特尔和NVIDI
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ARM CMOS
- 摘要：由于CMOS器件静电损伤90％是延迟失效，对整机应用的可靠性影响太大，因而有必要对CMOS器件进行抗静电措施。本文描述了CMOS器件受静电损伤的机理，从而对设计人员提出了几种在线路设计中如何抗静电，以保护CMOS
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研究 措施 抗静电 器件 CMOS
- 现代RF放大器既需要线性也需要高效率。线性要求是源于现代调制方法的使用，如QAM(正交幅度调制)和OFDM(正交频分多址调制，参考文献1)。这些放大器还需要效率，以降低功耗和减少散热。开发人员通常将现代RF放大器组件
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信号 修正 失真 RF
- 对于超薄介质，由于存在大的漏电和非线性，通过标准I-V和C-V测试不能直接提取氧化层电容(Cox)。然而，使用高频电路模型则能够精确提取这些参数。随着业界迈向65nm及以下的节点，对于高性能/低成本数字电路，RF电路
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测试 分析 RF 射频 芯片 IC
- 摘要：为了提高数字集成电路芯片的驱动能力，采用优化比例因子的等比缓冲器链方法，通过Hspice软件仿真和版图设计测试，提出了一种基于CSMC 2P2M 0．6mu;m CMOS工艺的输出缓冲电路设计方案。本文完成了系统的电原理
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输出 缓冲 电路设计 芯片 数字 工艺 多功能 CMOS
- 摘要：设计了一种基于流水线模／数转换系统应用的低压高速CMOS全差分运算放大器。该运放采用了折叠式共源共栅放大结构与一种新型连续时间共模反馈电路相结合以达到高速度及较好的稳定性。设计基于SMIC 0．25mu;m CM
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CMOS 全差分 放大器设计 运算
- 联华电子与新加坡科技研究局旗下的微电子研究院今天宣布，将合作进行应用在背面照度式CMOS影像感测器的TSV技术开发，透过这项技术，包括智慧手机、数位相机与个人平板电脑等行动电子产品，里面所采用的数百万像素影像感测器，都可大幅提升产品效能、降低成本、体积减少。
联电指出，市场上对于持续缩小像素，又能兼顾效能的需求，日益增强，带动CMOS影像感测技术兴起，而背面照度式技术则普遍被视为能够让微缩到微米级大小的像素，仍保有优异效能的解决方案。
联电指出，这次专案目标，希望提影像感测器灵敏度，支援更
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联华 CMOS 微电子
- 在可预见的未来，CMOS技术仍将持续微缩脚步，然而，当我们迈入10nm节点后，控制制程复杂性和变异，将成为能否驱动技术向前发展的关键，IMEC资深制程技术副总裁An Steegen在稍早前于比利时举行的IMEC Technology Forum上表示。
明天的智慧系统将会需要更多的运算能力和储存容量，这些都远远超过今天的处理器和记忆体所能提供的极限。而这也推动了我们对晶片微缩技术的需求。
在演讲中，Steegen了解释IMEC 如何在超越10nm以后继续推动晶片微缩。在10nm之后，或许还
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IMEC CMOS 10nm
- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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PLL DSP CMOS 环形振荡器
- 1.)噪声系数。共发和共基放大器噪声系数相同，当考虑内部反馈时，共发电路比共基电路还有低一点;2.)增益高。共发放大器的功率增益要比共基高得多;3.)稳定度高(稳定范围宽)。共基接法管子在相当大的范围内有潜在的不稳
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电路 原理 采用 放大器 信号 RF
- 背照式CMOS传感器详细解读时代发展，技术进步。数码相机的各种新技术层出不穷，导致消费者面对厂家宣传或者是相机参数列表中的一些专业词汇，一般都会感到非常难于理解，以致影响到购机前的判断。所以我们数码相机频
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原理 结构 传感器 CMOS 详解
- 超带宽UWB(Ultra-Wideband)技术具有抗干扰能力强、传输速率高、带宽极宽、功耗传输低等优势，近年来已成为国内外的研究热点，并在短距离传输、高速无线LAN和成像处理等领域得到了广泛应用[1]。不论在传统的无线接收结
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放大器 设计 噪声 宽带 5GHz CMOS 3GHz
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