- 摘要 基于CSMC 2P2M 0 6mu;m CMOS工艺设计了一种ESD保护电路。整体电路采用Hspice和CSMC 2P2M的0 6mu;m CMOS 工艺的工艺库(06mixddct02 x24)仿真，基于CSMC 2P2M 0 6mu;m CMOS工艺完成版图设计，并在一款多功能故
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ESD 保护 电路设计 芯片 数字 CMOS 多功能 基于
- 摘要：设计了一种用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS运算放大器。主运放采用带开关电容共模反馈的折叠式共源共栅结构，利用增益提高和三支路电流基准技术实现一个可用于12～14bit精度，100MS／s采样频率的高速流
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CMOS 增益提高 运算 放大器设计
- CMOS针对CCD最主要的优势就是非常省电，不像由二极管组成的CCD，CMOS 电路几乎没有静态电量消耗，只有在电路接通时才有电量的消耗。这就使得CMOS的耗电量只有普通CCD的1/3左右，这有助于改善人们心目中数码相机是ld
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传感器 哪里 区别 CMOS CCD
- CMOS传感器的感光度一般在6到15Lux的范围内，CMOS传感器有固定比CCD传感器高10倍的噪音，固定的图案噪音始终停留在屏幕上好像那就是一个图案，因为CMOS传感器在10Lux以下基本没用，因此大量应用的所有摄像机都是用了
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CMOS 摄像机 什么
- CMOS传感器CMOS传感器是一种通常比CCD传感器低10倍感光度的传感器。光度一般在6到15Lux的范围内，CMOS传感器有固定比CCD传感器高10倍的噪音，固定的图案噪音始终停留在屏幕上好像那就是一个图案，因为CMOS传感器在10
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/SDDS 传感器 CMOS 什么
- 自从传送出第一笔无线电波之后，工程师就持续发明新方法，以优化电磁微波讯号。RF 讯号已广泛用于多种应用，其中又以无线通信与 RADAR 的 2 项特殊应用正利用此常见技术。就本质而言，此 2 项应用的独到之处，即是利用电磁波的空间维度 (Spatial dimension)。直到今天，许多无线通信系统整合了多重输入/输出 (MIMO) 天线架构，以利用多重路径的讯号传播 (Propagation) 功能。
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NI RF MIMO
- 每年生产10多亿部手机的手机市场已成为半导体产业中竞争最激烈的领域。一直有这种说法：诸如砷化镓（GaAs）、横向 ...
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CMOS 功率放大器 单芯片手机
- IA4420/21是射频收发一体芯片，IA4420工作在315/433/868/915MHz频段，IA4421工作在 433/868/915MHz频段。芯片的工作电压为2.2～5.4V，采用低功耗模式，待机电流为0.3mu;A，采用FSK调制模式，发射功率为 5～8dbm，接
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无线 数据传输 应用 及其 简介 芯片 IA4420 RF
- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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基准比较测试 RF WCDMA PXI RF仪器
- 设定相位同调 RF 量测系统：从 MIMO 到波束赋形概观自从传送出第一笔无线电波之后，工程师就持续发明新方法，以优化电磁微波讯号。RF 讯号已广泛用于多种应用，其中又以无线通信与 RADAR 的 2 项特殊应用正利用此常见
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MIMO RF 设定 量测系统
- AMD公司高级副总裁兼首席技术官Mark Papermaster表示，AMD在2013年芯片生产工艺将有重大变化，将完全从现有的SOI制造工艺切换到28nm Bulk CMOS工艺。至于GPU制造，AMD并不打算作出任何改变。目前南方群岛系列GPU，已经采用台积电28nm工艺，而AMD秋季即将推出的海岛系列GPU将继续采用相同工艺，海岛系列GPU已经进入样品试生产阶段，在2012年年底开始生批量生产，在2013年第一季度正式发布。
在评论异构系统架构(HSA)联盟，是否用来应对英特尔和NVIDI
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ARM CMOS
- 摘要：由于CMOS器件静电损伤90％是延迟失效，对整机应用的可靠性影响太大，因而有必要对CMOS器件进行抗静电措施。本文描述了CMOS器件受静电损伤的机理，从而对设计人员提出了几种在线路设计中如何抗静电，以保护CMOS
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研究 措施 抗静电 器件 CMOS
- 现代RF放大器既需要线性也需要高效率。线性要求是源于现代调制方法的使用，如QAM(正交幅度调制)和OFDM(正交频分多址调制，参考文献1)。这些放大器还需要效率，以降低功耗和减少散热。开发人员通常将现代RF放大器组件
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信号 修正 失真 RF
- 对于超薄介质，由于存在大的漏电和非线性，通过标准I-V和C-V测试不能直接提取氧化层电容(Cox)。然而，使用高频电路模型则能够精确提取这些参数。随着业界迈向65nm及以下的节点，对于高性能/低成本数字电路，RF电路
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测试 分析 RF 射频 芯片 IC
- 摘要：为了提高数字集成电路芯片的驱动能力，采用优化比例因子的等比缓冲器链方法，通过Hspice软件仿真和版图设计测试，提出了一种基于CSMC 2P2M 0．6mu;m CMOS工艺的输出缓冲电路设计方案。本文完成了系统的电原理
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输出 缓冲 电路设计 芯片 数字 工艺 多功能 CMOS
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