- 近日，在北京市科委先导与优势材料创新发展专项支持下，北京大学彭练矛教授团队在世界上首次研制出10纳米碳纳米管互补金属氧化物半导体(CMOS)器件。与同尺寸硅基器件相比，该器件速度是其5倍，而功耗仅为1/5。该团队还在世界上首次成功制备出含有100个晶体管的碳纳米管集成电路。
下一步，该团队将继续优化碳纳米管CMOS器件制备工艺，建立标准的碳基CMOS器件技术加工平台，并基于该平台开发碳纳米管CPU，最终推动碳基集成电路在下一代通用芯片和消费电子等领域的应用。
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碳纳米管 CMOS
- 人有五官，用来辨别和感受外界环境的变化，而传感器是电子行业的五官，什么是传感器？传感器关键厂商专利布局重点有那些？技术要项又有那些？
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传感器 CMOS
- “TTL电平”最常用于有关电专业，如：电路、数字电路、微机原理与接口技术、单片机等课程中都有所涉及。在数字电路中只有两种电平(高和低)高电平+5V、低电平0V.同样运用比较广泛的还有CMOS电平、232电平、485电平等。
TTL电路
TTL集成电路的主要型式为晶体管-晶体管逻辑门(transistor-transistor logic gate)，TTL大部分都采用5V电源。
1.输出高电平Uoh和输出低电平Uol
Uoh≥2.4V，Uol&le
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TTL CMOS
- 当射频电路一切都按预先设定的方案设计完成之后，其性能不一定就会完全达标，其中会导致射频性能不达标的一个重要因素有可能就是电磁干扰，而电磁干扰并不一定是因为射频范畴内电路布局、布线不合理造成，亦可能是因为其它方方面面的原因。大多数情况导致干扰出现都是当和其它电路，如数字电路部分、电源电路部分等组合后才产生的。
处理干扰问题是做设计工作必须的、更是射频设计、预研工作重点之一。在此简单谈谈我们对射频方面电磁干扰的理解与认识。
电磁干扰(EMI)在电子系统与设备中无处不在，在射频领域表现却特别突出
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RF EMC
- 1 引言
AT89S52是一种低功耗、高性能CMOS8位微控制器，具有8K 在系统可编程Flash 存储器。AT89S52使用Atmel 公司高密度非易失性存储器技术制造，与工业80C51 产品指令和引脚完全兼容。片上flash允许程序存储器在系统可编程，亦适于常规编程器。在单芯片上，AT89S52拥有灵巧的8 位CPU 和在系统可编程Flash，使得AT89S52为众多嵌入式控制应用系统提供高灵活、超有效的解决方案。AT89S52具有以下标准功能： 8k字节Flash，256字节RAM，32
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AT89S52 CMOS
- AT89C51是一种带4K字节FLASH存储器(FPEROM—Flash Programmable and Erasable Read Only Memory)的低电压、高性能CMOS 8位微处理器，俗称单片机。本文为您介绍基于AT89C51单片机技术详解、设计技巧、应用案例大全，仅供参考。
基于AT89C51的操控键盘的设计
本文以PC机通用键盘为例，阐述研制小型一体化专用键盘的方法。 采用小型一体化专用键盘不但可完成按键的功能，而且要求根据仪器外形进行一体化优化设计，使产品
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CMOS 微处理器
- 随着模数转换器(ADC)的设计与架构继续采用尺寸更小的过程节点，一种新的千兆赫ADC产品应运而生。能以千兆赫速率或更高速率进行直接RF采样且不产生交织伪像的ADC为通信系统、仪器仪表和雷达应用的直接RF数字化带来了全新的系统解决方案。
最先进的宽带ADC技术可以实现直接RF采样。就在不久前，唯一可运行在GSPS (Gsample/s)下的单芯片ADC架构是分辨率为6位或8位的Flash转换器。这些器件能耗极高，且通常无法提供超过7位的有效位数(ENOB)，这是由于Flash架构的几何尺寸与功耗限
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ADC RF 转换器 LVDS FPGA
- 无线网格网络得到了越来越广泛的采用，因为这类网络能够利用功率相对低的无线电设备在节点之间转发信息，并覆盖很大的区域，还能够使用替代的通路和途径以克服干扰问题，保持很高的可靠性。尤其是有一种称为时间同步通道跳频 (TSCH) 的网格网络技术，该技术由凌力尔特的 Dust Networks 率先提出，并已纳入 WirelessHART 工业标准。TSCH 经过实用验证，可提供工业物联网所需性能。TSCH 网络一般提供 >99.999% 的数据可靠性，而且所有无线节点 (甚至路由节点) 的小型锂电池之
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无线网格网络 WSN RF 物联网 TSCH
- 说起Elmos，也许我们更了解它的竞争者英飞凌(Infineon)、美信半导体(Maxim)，因为相比之下，Elmos进入中国的时间并不长。但是，我们却早已开始使用Elmos的产品了：Elmos的超声波、被动红外以及马达控制器芯片在全球的出货量很大，仅超声波倒车雷达芯片全球出货量就高达5000万片。此次慕尼黑展商，Elmos展示的主要产品是停泊车系统传感器和马达控制器。Elmos亚洲区副总裁Ludger Kruecke Elmos亚洲区副总裁Ludger Kruecke介绍了此次展示的重点产品与应用
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Elmos 汽车 CMOS
- 社长平井一夫对于日本索尼的“一个索尼”改造，以失败告终。不过，在一个强势人物吉田宪一郎(现任CFO)的加盟之下，索尼的重组，正在取得进展，并看到曙光。周三，索尼股价在盘中，创出了六年新高。
根据日经新闻的报道，周三索尼在盘中的股价一度达到3787.5日元(相当于31.4美元)，这是过去六年零七个月中的最高纪录。
索尼最大的两个业务包袱是电视机和智能手机。这两个“困难户”的重振，尚未传出重大捷报。据媒体分析，索尼股价的利好，主要来自索尼目前在全
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索尼 CMOS
- 在大学的电子工程系课程中，我们曾经学过“全双工”(发送与接收)必须在不同的频率或在不同的时间(技术上来说是半双工)中进行。也就是说，如果不是在不同的频率下同时进行发射与接收，就是在不同的时间下以相同频率发射与接收。然而，根据美国纽约哥伦比亚大学(Columbia University)的研究人员指出，这种单向的“全双工”其实是骗人的。
哥伦比亚大学研究人员们最近展示一种称为“哥伦比亚高速与毫米波IC”(CoSMIC)的互补金
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5G CMOS
- 看准中国、印度等新兴国家中低阶智慧手机需求持续扩大，Sony据悉已研发出廉价版CMOS影像感测器产品、瞄准中低阶市场，期望借此于2015年将CMOS影像感测器全球市占率提高至50%以上水准。
日经新闻13日报导，Sony已研发出拥有高画质影像(1,300万及800万画素 )、惟降低自动对焦(AF)速度或省略HDR功能的廉价版CMOS感测器产品，目标为抢攻新兴国家中低阶智慧手机市场。
据报导，Sony该廉价版CMOS感测器产品售价虽不明，惟预估主要将提供给中国1,000元人民币或700元人民
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Sony CMOS
- CMOS影像传感器大饼诱人，吸引Sony(索尼)、三星等大厂积极卡位。据市调机构Yole Developpement统计，Sony(索尼)去年在CMOS市场抢取豪夺，共拿下27%的市占率，继续傲视群雄。
三星也不惶多让，奋力抢下19%的份额，排名超越豪威科技(OmniVision Technologies)成为第二。据EETimes报导，CMOS前三大厂两年前差距还只在3个百分点之间，但来到2014年，Sony(索尼)领先豪威已逾10%。 另外，CMOS市场还有集中化趋势，前三大厂2014年合计
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CMOS Sony
- 摘要：美国为保持技术优势，率先发起类脑计算芯片的相关研究工作，通过模仿人脑工作原理，使用神经元和突触的方式替代传统冯诺依曼架构体系，使芯片能够进行异步、并行、低速和分布式处理信息数据，并具备自主感知、识别和学习的能力。
在当今大数据时代，由于现有计算机硬件和架构限制，已无法满足更大规模数据的处理需求，世界各国开始着手寻找解决方案，并把目光转向能够以复杂方式处理大量信息的人脑神经系统，而且因为神经系统在时间和空间上实现了硬件资源的稀疏利用功耗极低，其能量效率是传统计算机的100万倍到10亿倍。为此
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类脑芯片 IBM CMOS 201504
- SK海力士(SK Hynix)决定采取选择与集中策略，聚焦于20纳米(nm)微细制程DRAM、三阶储存单元(Triple-Level Cell;TLC)的NAND Flash技术，以及固态硬碟(SSD)等优势领域。较弱势的系统芯片方面，将集中发展CMOS影像感测器(CMOS Image Sensor;CIS)。
据ET News报导，日前SK海力士社长朴星昱在创下史上最高业绩纪录之际，反而在组织内部强调危机意识，透过员工电子邮件与公司内部电视等管道，不断提醒现在不是放心的时刻，应透过强化根本竞争
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SK海力士 CMOS
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