在过去的几十年中，混合信号集成电路(IC)设计一直是半导体行业最令人兴奋、且在技术上最具挑战的设计之一。在这期间，尽管半导体行业取得了不少的进步，但是一个永恒不变的需求是保证我们所处的模拟世界能够与可运算的数字世界实现无缝对接，当前无处不在的移动环境和迅速崛起的物联网(IoT)“再创新”的要求尤为如此。
当今全球半导体的市场份额约为3，200亿美元，数字和存储器IC约占这个市场的三分之二。摩尔定律(Moore‘s Law)和先进的CMOS处理技术驱动着这些IC
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RF 混合信号
当前VLSI技术不断向深亚微米及纳米级发展，模拟开关是模拟电路中的一个十分重要的原件，由于其较低的导通电阻，极佳的开关特性以及微小封装的特性，受到人们的广泛关注。模拟开关导通电阻的大小直接影响开关的性能，低导通电阻不仅可以降低信号损耗而且可以提高开关速度。要减小开关导通电阻，可以通过采用大宽长比的器件和提高栅源电压的方法，可是调节器件的物理尺寸不可避免地会带来一些不必要的寄生效应，比如增大器件的宽度会增加器件面积进而增加栅电容，脉冲控制信号会通过电容耦合到模拟开关的输入和输出，在每个开关周期其充放电过
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CMOS 模拟开关
美国记忆体技术开发商Nantero最近宣布进行新一轮融资，并准备“浮出水面”──因为该公司认为其独家的非挥发性随机存取记忆体(non-volatile random access memory，NRAM;或称Nano-RAM)，已经准备好取代企业应用或消费性应用市场上的储存级记忆体。
Nantero已经向新、旧投资人募得3,150万美元资金，可用以加速NRAM的研发;该公司执行长Greg Schmergel在接受EE Times 美国版编辑电话访问时表示，NRAM是以碳奈
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NRAM，CMOS
随着智能手机的兴起，对于声音品质和轻薄短小的需求越来越受到大家的重视，近年来广泛应用的噪声抑制及回声消除技术均是为了提高声音的品质。相比于传统的驻极体式麦克风(ECM)，电容式微机电麦克风采用硅半导体材料制作，这便于集成模拟放大电路及ADC(∑-ΔADC)电路，实现模拟或数字微机电麦克风元件，以及制造微型化元件，非常适合应用于轻薄短小的便携式装置。本文将针对CMOS微机电麦克风的设计与制造进行介绍，并比较纯MEMS与CMOS工艺微导入麦克风的差异。
电容式微麦克风原理
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CMOS
当前VLSI技术不断向深亚微米及纳米级发展，模拟开关是模拟电路中的一个十分重要的原件，由于其较低的导通电阻，极佳的开关特性以及微小封装的特性，受到人们的广泛关注。模拟开关导通电阻的大小直接影响开关的性能，低导通电阻不仅可以降低信号损耗而且可以提高开关速度。要减小开关导通电阻，可以通过采用大宽长比的器件和提高栅源电压的方法，可是调节器件的物理尺寸不可避免地会带来一些不必要的寄生效应，比如增大器件的宽度会增加器件面积进而增加栅电容，脉冲控制信号会通过电容耦合到模拟开关的输入和输出，在每个开关周期其充放电过
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CMOS 模拟开关
在电子设计中，模拟/RF设计一直是最让设计师头疼的部分，传统上，模拟射频器件供应商一般只提供器件的datasheet以及若干参考设计，但 是，要让器件运转正常，设计师需要更多实际电路的评估和测试，这方面需要时间和经验的积累，也是非常耗费精力财力的，有没有什么办法让设计师可以加快这方 面的设计呢?或者能实现模拟射频电路的复用?ADI的实验室电路给出了一些探索。
“ADI的实验室电路不同于参考设计，是更接近实际应用的 电路。”ADI电路工程师胡生富在接受电子创新网采访时表示，
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ADI RF
高速ADC的性能特性对整个信号处理链路的设计影响巨大。系统设计师在考虑ADC对基带影响的同时，还必须考虑对射频(RF)和数字电路系统的影响。由于ADC位于模拟和数字区域之间，评价和选择的责任常常落在系统设计师身上，而系统设计师并不都是ADC专家。
还有一些重要因素用户在最初选择高性能ADC时常常忽视。他们可能要等到最初设计样机将要完成时才能知道所有系统级结果，而此时已不太可能再选择另外的ADC。
影响很多无线通信系统的重要因素之一就是低输入信号电平时的失真度。大多数无线传输到达ADC的信号
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ADC CMOS
近日，在北京市科委先导与优势材料创新发展专项支持下，北京大学彭练矛教授团队在世界上首次研制出10纳米碳纳米管互补金属氧化物半导体(CMOS)器件。与同尺寸硅基器件相比，该器件速度是其5倍，而功耗仅为1/5。该团队还在世界上首次成功制备出含有100个晶体管的碳纳米管集成电路。
下一步，该团队将继续优化碳纳米管CMOS器件制备工艺，建立标准的碳基CMOS器件技术加工平台，并基于该平台开发碳纳米管CPU，最终推动碳基集成电路在下一代通用芯片和消费电子等领域的应用。
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碳纳米管 CMOS
人有五官，用来辨别和感受外界环境的变化，而传感器是电子行业的五官，什么是传感器？传感器关键厂商专利布局重点有那些？技术要项又有那些？
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传感器 CMOS
“TTL电平”最常用于有关电专业，如：电路、数字电路、微机原理与接口技术、单片机等课程中都有所涉及。在数字电路中只有两种电平(高和低)高电平+5V、低电平0V.同样运用比较广泛的还有CMOS电平、232电平、485电平等。
TTL电路
TTL集成电路的主要型式为晶体管-晶体管逻辑门(transistor-transistor logic gate)，TTL大部分都采用5V电源。
1.输出高电平Uoh和输出低电平Uol
Uoh≥2.4V，Uol&le
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TTL CMOS
当射频电路一切都按预先设定的方案设计完成之后，其性能不一定就会完全达标，其中会导致射频性能不达标的一个重要因素有可能就是电磁干扰，而电磁干扰并不一定是因为射频范畴内电路布局、布线不合理造成，亦可能是因为其它方方面面的原因。大多数情况导致干扰出现都是当和其它电路，如数字电路部分、电源电路部分等组合后才产生的。
处理干扰问题是做设计工作必须的、更是射频设计、预研工作重点之一。在此简单谈谈我们对射频方面电磁干扰的理解与认识。
电磁干扰(EMI)在电子系统与设备中无处不在，在射频领域表现却特别突出
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RF EMC
1 引言
AT89S52是一种低功耗、高性能CMOS8位微控制器，具有8K 在系统可编程Flash 存储器。AT89S52使用Atmel 公司高密度非易失性存储器技术制造，与工业80C51 产品指令和引脚完全兼容。片上flash允许程序存储器在系统可编程，亦适于常规编程器。在单芯片上，AT89S52拥有灵巧的8 位CPU 和在系统可编程Flash，使得AT89S52为众多嵌入式控制应用系统提供高灵活、超有效的解决方案。AT89S52具有以下标准功能： 8k字节Flash，256字节RAM，32
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AT89S52 CMOS
AT89C51是一种带4K字节FLASH存储器(FPEROM—Flash Programmable and Erasable Read Only Memory)的低电压、高性能CMOS 8位微处理器，俗称单片机。本文为您介绍基于AT89C51单片机技术详解、设计技巧、应用案例大全，仅供参考。
基于AT89C51的操控键盘的设计
本文以PC机通用键盘为例，阐述研制小型一体化专用键盘的方法。 采用小型一体化专用键盘不但可完成按键的功能，而且要求根据仪器外形进行一体化优化设计，使产品
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CMOS 微处理器
随着模数转换器(ADC)的设计与架构继续采用尺寸更小的过程节点，一种新的千兆赫ADC产品应运而生。能以千兆赫速率或更高速率进行直接RF采样且不产生交织伪像的ADC为通信系统、仪器仪表和雷达应用的直接RF数字化带来了全新的系统解决方案。
最先进的宽带ADC技术可以实现直接RF采样。就在不久前，唯一可运行在GSPS (Gsample/s)下的单芯片ADC架构是分辨率为6位或8位的Flash转换器。这些器件能耗极高，且通常无法提供超过7位的有效位数(ENOB)，这是由于Flash架构的几何尺寸与功耗限
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ADC RF 转换器 LVDS FPGA
无线网格网络得到了越来越广泛的采用，因为这类网络能够利用功率相对低的无线电设备在节点之间转发信息，并覆盖很大的区域，还能够使用替代的通路和途径以克服干扰问题，保持很高的可靠性。尤其是有一种称为时间同步通道跳频 (TSCH) 的网格网络技术，该技术由凌力尔特的 Dust Networks 率先提出，并已纳入 WirelessHART 工业标准。TSCH 经过实用验证，可提供工业物联网所需性能。TSCH 网络一般提供 >99.999% 的数据可靠性，而且所有无线节点 (甚至路由节点) 的小型锂电池之
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无线网格网络 WSN RF 物联网 TSCH
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