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pnp 功率晶体管 文章 进入pnp 功率晶体管技术社区

NPN传感器PNP传感器原理和分类

  •   PNP与NPN型传感器其实就是利用三极管的饱和和截止,输出两种状态,属于开关型传感器。但输出信号是截然相反的,即高电平和低电平。PNP输出是高电平1,NPN输出的是低电平0。  PNP与NPN型传感器(开关型)分为六类:  1、NPN-NO(常开型)nomal open  2、NPN-NC(常闭型)nomal close  3、NPN-NC+NO(常开、常闭共有型)  4、PNP-NO(常开型)  5、PNP-NC(常闭型)  6、PNP-NC+NO(常开、常闭共有型)  PNP与NPN型传感器一般有
  • 关键字: NPN  PNP  

我的一些数字电子知识总结(2)

  •   1、PNP管做旁路晶体管时,虽然压降较小,但其输出阻抗大,需要特定的ESR的电容才能稳定,同时允许的功率耗散较小,应小心在重载条件下使用。   2、因为晶体管的基极电流较大,导致当晶体管做耗散管时,芯片的接地电流常常较大(几个mA甚至数十个mA),在电池供电的应用中,这可能会大大缩短电池的寿命!   3、因为线性稳压器是通过消耗功率来获得输出电压的稳定,功率的消耗将主要转化为热量,因此,当线性稳压器芯片太烫的时候,一定要考虑是否在其上消耗了过多的能量。   4、A/D转换器的类型和特点:   
  • 关键字: PNP  晶体管  

npn和pnp的区别

  •   导读:据我所知,大多数人在应用PNP与NPN的时候,都以为这两个是相同的类型。其实,PNP与NPN的区别是有很多的,但是区别到底有哪些呢?接下来就随小编一起学习一下吧~~~ 1.npn和pnp的区别--简介   晶体三极管是由形成二个PN结的三部分半导体组成的,其组成形式有PNP型及NPN型。pnp型三极管,是由2块P型半导体中间夹着1块N型半导体所组成的三极管,称为PNP型三极管。npn型三极管,是由2块n型半导体中间夹着1块p型半导体所组成的三极管,称为npn型三极管。我国生产的锗三极管多为P
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宜普电源转换公司(EPC)宣布推出面向高频应用的450 V增强型氮化镓功率晶体管

  •   宜普电源转换公司(EPC)宣布推出450 V并通常处于断开状态的增强型功率晶体管(EPC2027),可用于需要高频开关的应用,从而实现更高的效率及功率密度。受惠于采用高压并具备更快速开关特性的器件的应用包括超高频直流-直流转换器、医疗诊断仪器、太阳能功率逆变器及发光二极管照明等应用。   EPC2027器件具备450 V额定电压、400 mΩ最高导通电阻(RDS(on))及4 A输出电流。器件使用含焊条的钝化晶片,从而可以实现高效散热及易于组装。EPC2027器件的尺寸是1.95毫米 x 1.95毫
  • 关键字: 宜普  功率晶体管  EPC9044  

宜普电源转换公司(EPC)推出单片半桥式氮化镓功率晶体管

  •   宜普电源转换公司宣布推出60 V增强型单片半桥式氮化镓晶体管(EPC2101)。透过集成两个eGaN®功率场效应晶体管而成为单个器件,可以除去互连电感及电路板上元件之间所需的空隙,使得晶体管的占板面积减少50%。结果是增加效率(尤其是在更高频率时)及提高功率密度并同时降低终端用户的功率转换系统的组装成本。EPC2101最理想的应用领域是高频直流-直流转换。   在EPC2101半桥式元件内,每一个器件的额定电压是60 V。 上面的场效应晶体管的导通电阻(RDS(on))典型值是8.4 mΩ,
  • 关键字: 宜普电源  功率晶体管  EPC2101  

意法半导体(ST)的600W - 250V RF晶体管采用最新高压技术,实现体积更小、性能更可靠的E级工业电源

  •   意法半导体的13.6MHz RF功率晶体管STAC250V2-500E具有市场领先的稳定性和高功率密度 (power density) 。采用热效率 (thermally efficient) 极高的微型封装,可用于大输出功率的E级工业电源。   STAC250V2-500E的负载失匹率 (load-mismatch) 为20:1,处于市场最高水平,最大安全功率高达600W。与采用传统陶瓷封装的解决方案相比,0.55x1.35吋STAC® 气室封装 (air-cavity package)
  • 关键字: 意法半导体  功率晶体管  STAC250V2-500E  

宜普电源转换公司全力支持工程师参加谷歌与美国电气电子工程师学会(IEEE)联合举办的「Little Box Challenge」挑战赛

  •   宜普电源转换公司可帮助参赛者于谷歌与IEEE合办的「Little Box Challenge」公开赛通过采用氮化镓(eGaN®)功率晶体管设计出超小型功率逆变器以胜出该挑战赛。   宜普电源转换公司宣布全力支持参加谷歌与IEEE合办的「Little Box Challenge」公开赛的工程师创建更小体积的功率逆变器并赢取100万美元奖金。由于氮化镓场效应晶体管 (eGaN®FET)具有可处理高功率功能、超快开关速度及小尺寸等优势,因此它是功率逆变器的理想晶体管。   「Little
  • 关键字: 宜普  功率逆变器  功率晶体管  

Microsemi提供S波段 RF功率晶体管

  •    致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation,纽约纳斯达克交易所代号:MSCC) 扩大其基于碳化硅衬底氮化镓(GaN on SiC)技术的射频(RF)晶体管系列,推出新型S波段 500W RF器件2729GN-500,新器件瞄准大功率空中交通管制机场监视雷达(ASR)应用,ASR用于监视和控制在机场大约100英里范围的飞机。   在2.7 至2.9 GHz频段上,2729GN-500晶体管具有无与伦比的500
  • 关键字: Microsemi  功率晶体管  

高频硅PNP晶体管3CG120高温失效机理研究

  • 摘要:为了保证在高温条件下,正确使用高频硅PNP晶体管3CG120,文中对3CG120在不同温度段的失效机理进行了研究。通过对硅PNP型晶体管3CG120进行170~340℃温度范围内序进应力加速寿命试验,发现在170~240℃,240~2
  • 关键字: PNP  3CG  120  CG    

如何保护汽车逆变器设计中的功率晶体管

  • 随着油电混合车和电动车技术的演进,逆变器驱动技术已经进入汽车领域,从空调机和加热系统等低功率应用,一直到驱动和再生制动系统等高功率应用,所有这些系统的共通点是需要通过保护逆变器设计中的功率开关晶体管来
  • 关键字: 保护  汽车逆变器  功率晶体管    

开关电源中功率晶体管的二次击穿现象及防护措施

  • 随着电子技术的不断发展和新型元器件的问世,开关电源以其体积小、重量轻、效率高、对电网电压适应范围...
  • 关键字: 功率晶体管  二次击穿  防护    

IC Insight:2010功率晶体管市场达到新高

  •   按IC Insight报道,在2009年下降16%之后, 全球功率晶体管销售额在2010年有望增长31%,达到创记录的109,6亿美元。自从功率晶体管在2000年达到创记录的增长32%后,此次的31%的增长也是相当亮丽。   IC Insight预测, 功率晶体管市场在2014年将达到145亿美元, 而2009年为84亿美元, 表示年均增长率CAGR达12%,并预计未来5年内出货量的CAGR达到14%, 从2009年的371亿个增加到713亿个。   在电池操作的移动电子产品增长以及全球更强调电子
  • 关键字: 电源  功率晶体管  电池  

DSP与ISA总线PnP卡的接口技术研究

  • DSP与ISA总线PnP卡的接口技术研究,为解决多个总线设备共享系统总线时所带来的系统底层资源的分配和再分配问题,Microsoft公司在1993年以后相继公布了即插即用PnP(Plug-and-Play)规范,包括的总线类型有ISA、EISA、PCMCIA、PCI、VESA及SCSI等。PnP技术提
  • 关键字: 技术  研究  接口  PnP  ISA  总线  DSP  ISA总线  即插即用(PnP)  DSP芯片  识别  配置  

中国功率器件市场增速放缓MOSFET是亮点

  •   在中国中,电源|稳压器管理IC仍旧占据市场首要位置,(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)位于第二位,大功率晶体管位于第三位,此三大产品销售额占整体市场的80%以上。IGBT(绝缘栅双极晶体管)销售额虽然不大,但随着其在工业控制、消费电子领域中应用的不断增多,其市场销售额保持着较快的增长,是中国功率器件市场中的新兴产品。   从应用领域上看,消费电子领域销售额位列第一位,工业控制居于第二,计算机领域销售额位于第三位。这三大领域销售额占整体市场的68.9%,是功率器件的重要应用市场。同时,凭借笔记本电脑
  • 关键字: MOSFET  功率晶体管  消费电子  IC  LDO  液晶电视  

英飞凌推出全新射频功率晶体管

  •   英飞凌科技股份公司(FSE/NYSE:IFX)在近期举行的IEEE MTT-S国际微波研讨会上,发布了专门面向700 MHz频段无线基础设施应用的全新射频功率晶体管系列。该频段在美国将用于承载4G(第四代)蜂窝、移动电视广播和其他移动宽带服务,其中包括LTE(长期演进)和下一代无线网络标准。这一全新系列产品拓展了英飞凌的射频功率晶体管组合,包括一个55 W驱动器及两个输出级晶体管(分别为170 W和240 W),在700 MHz频段提供业界最高水平的峰值功率。   基于英飞凌先进的LDMOS (横向
  • 关键字: 英飞凌  射频  功率晶体管  放大器  
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