- 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子集团近日宣布，推出四款全新高可靠性、高性能产品，以加强其传统宏基站（BTS）射频产品组合，为客户带来完整射频信号链解决方案。此次扩展包括业界首款四通道F4482/1 TX可变增益放大器（VGA）和F011x系列双通道一级低噪声放大器（LNA）。新系列产品还包括F1471 RF驱动放大器——首款P1dB超过1/2W的大功率前置驱动器，以及采用更小的封装、具有更高隔离度、适用于DPD反馈路径的F2934 RF开关。扩展后的产品组合可提供5G宏基站系统所需的高性能、高可靠性、灵活
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LNA BTS VGA
- 半导体基础元器件领域的高产能生产专家Nexperia宣布推出全新产品PCMFxHDMI2BA-C，这款集成了ESD保护功能的共模滤波器具有超过10 GHz差分带宽。它适用于高达12Gbps 的最新HDMI 2.1标准，能够轻松通过眼图测试。 Nexperia高速保护和滤波产品经理Stefan Seider说：“HDMI 2.1使显示器具有更高的分辨率和更出色的色彩。但是，这需要更优秀的抗干扰保护，尤其是在紧凑的无线应用中，这些2合1的ESD和滤波组合器件的性能和小尺寸非常适合对性能和空间有要求
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Nexperia ESD
- 半导体基础元器件领域的高产能生产专家Nexperia推出四款全新的TrEOS ESD保护器件，这些器件通过了AEC-Q101认证，适用于车规级应用，并且可承受高达175°C的高温。同时，与所有TrEOS器件一样，这些新的车用器件具有很低的电容，可确保高信号完整性，并具有很低的钳位电压和高稳健性，适用于新的车载接口。具体的车载应用包括采用USB 3.2、HDMI、LVDS、SerDes和SD卡接口的信息娱乐、多媒体与ADAS系统。 Nexperia的TrEOS ESD保护技术利用有源可控硅整流来克服传统保护
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Nexperia 车用TrEOS ESD
- 无线技术在过去的20年里快速从3G发展到4G，现在已到了5G的时代。有一个技术问题一直贯穿这一发展的过程，即高频器件的自动校准测试。
RF ATE和现场测试系统面临的最困难的挑战是校准、可重复性和测试结果的关联度。未来的无线技术的发展需要5G NR器件。Teledyne e2v的四通道多输入端口ADC利用非并行片上高频交叉点开关输入电路技术，使用户可在RF ATE和/或现场测试环境中使用自动校准和测量技术。
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RF 5G LNA CPS ADC CPS
- 航空航天系统依赖于引擎控制单元、环境控制、仪器和执行器中的数字和逻辑功能与电路才能完成关键的工作。数据中心、5G基础设施和通信系统同样依赖于复杂的电路，而这些电路需要得到妥善保护。即便有闪电、太阳活动和电磁事故引起的电压浪涌和尖峰，系统仍必须保持连续运行。Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）今日宣布推出其最新瞬态电压抑制器（TVS）垂直阵列产品组合 — MDA3KP瞬态电压抑制器（TVS）。 该3kW二极管系列拥有超过25款产品，具有不同的筛选级别、极性和认证标
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TVS SBD ESD EFT MSL RTCA
- 对性能、小型化和更高频率的需求,正挑战无线系统中两个关键天线连接元器件的限制:功率放大器(PA) 和低噪声放大器(LNA)。5G的发展以及PA 和LNA 在微波无线电链路、VSAT(卫星通信系统)和相控阵雷达系统中的使用正促成这种转变。这些应用的要求包括较低噪声(对于LNA)和较高能效(对于PA)以及在高达或高于10 GHz 的较高频率下的运行。为了满足这些日益增长的需求,LNA 和PA 制造商正在从传统的全硅工艺转向用于LNA 的砷化镓(GaAs) 和用于PA 的氮化镓(GaN)。本文将介绍LNA 和P
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LNA PA
- 射频(RF)元件需求急速增长。先进长程演进计划(LTE-Advanced, LTE-A)商转启动,下一代5G标准亦蓄势待发,驱动行动装置射频系统规格升级。系统厂为支援100MHz超大频宽、四十个以上频段并降低杂讯干扰,除计划增加低杂讯放大器(LNA)和功率放大器(PA)等射频元件用量外,亦将要求射频前端模组(FAM)提高功能整合度,吸引晶片商加紧展开卡位。 英飞凌(Infineon)电源管理及多元电子事业处射频暨保护元件协理麦正奇表示,随着多频多模LTE及LTE-A设计加温,手机厂对FAM各类元
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LNA/PA
- 近日，全球电子元器件与开发服务分销商e络盟推出全面的防静电产品系列以保护电子元器件免受静电放电（ESD）损坏，为客户的制造和供应流程提供有力支持。在电子元器件和产品制造、储存、装运及安装过程中，ESD可能会对其造成损坏。这种损坏往往无法通过质量控制检测、测试或老化测试检测出来，且会影响产品的质量和可靠性。供应链内的所有客户，包括原始设备制造商（OEM）、合约电子制造商 (CEM)、电子和测试工程师、ESD敏感器件仓储以及半导体和开发套件买家，都应在产品的整个制造和供应周期内采取措施防止ESD损坏。e络盟内
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ESD 防静电
- 奈梅亨，三月 10, 2020：Nexperia，分立器件、MOSFET器件及模拟和逻辑器件领域的生产专家，今日宣布推出PESD2V8R1BSF，这是业内首款专门针对USB4TM标准开发的ESD保护器件，具有行业领先的RF性能。新款器件采用Nexperia的TrEOS ESD技术与有源可控硅（SCR）技术，USB4TM和Thunderbolt接口设计工程师将会特别感兴趣。该器件可实现极低电容（低至0.1 pF）；极低钳位电压 动态电阻低至0.1 Ω）以及非常稳健的防浪涌与ESD性能（，最高可达20A 8/
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Nexperia USB4 ESD 保护器件
- 奈梅亨，2020年 2 月 11 日：分立元件、MOSFET 元件及模拟和逻辑 IC 的专业制造商 Nexperia，今天宣布针对 100BASE-T1 和 1000BASE-T1 汽车以太网系统推出业界领先且符合 OPEN Alliance 标准的硅基 ESD 防护器件 。 OPEN (One-Pair Ether-Net) Alliance Special Interest Group (SIG) 是由汽车工业和技术供应商组成的非营利联盟，他们相互协作，鼓励广泛采用基于以太网的网
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Nexperia 汽车以太网 OPEN Alliance ESD
- 硬件工程师在设计产品时，ESD抗扰度是一个重要的考虑指标。静电对于大部分电子产品来说都存在危害，射频模块对静电更加敏感。那么针对射频模块类产品，ESD抗扰度应当如何考虑和设计呢？
关于ESD抗扰度等级，不同产品不同行业对应着不同的标准，国际电工委员会所颁布的IEC61000-4-2标准适合于各种电气与电子设备做电磁兼容性的测试。在进行产品设计前需要先规定好产品的ESD抗扰度的等级，要么根据标准来定义要么根据产品实际需要来定义。这样才可以有依据的进行产品设计及测试。
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射频模块天线端 ESD
- 静电不能被消除，只能被控制。 控制ESD的基本方法： 堵; 从机构上做好静电的防护，用绝缘的材料把PCB板密封在外壳内，不论有多少静电都不能到释放到PCB上。 导; 有了ESD，迅速让静电导到PCB板的主GND上，可以消除一定能力的静电。 对于非金属外壳或有金属背板的产品我来分析一下ESD问题; 重点分析非金属外壳的内部电路及PCB的ESD的设计; 参考如下结构：(注意有的产品内部含有金属背板) 对于有穿过电路板PCB的干扰： (电场耦合和磁场耦合都存在系统无接地!) 一方面我们
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PCB ESD
- ESD(Electro-Static discharge)，即静电释放。静电是自然现象，其特点是长时间积聚、高电压、低电量、小电流和作用时间短等。人体接触、物体摩擦、电器
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PCB设计 ESD
- 引言由于其不断减少的处理节点，数字和模拟IC越来越容易受到静电放电 (ESD) 的损坏，因此为了保证充分的系统级ESD保护，离散式ESD保护二极管成为一种
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ESD VCC
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