- 按照摩尔定律的说法，2006年初半导体制造业就已经进入了65nm时代。不过，令所有人始料不及的是65nm的普及远远非预期的那样迅猛，在很多领域似乎根本不去考虑65nm制程的问题，比如MCU，再如多媒体解码芯片。于是，我们看到的结果是本该广泛应用的65nm制程在全面投产18个月之后的应用领域只局限在少数几个领域，这其中一向走在消费前沿的CPU和存储是最火爆的领域，而FPGA则是另一个热衷于追逐65nm的拥趸。
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- 5月底，半导体业又一重要事件发生了：意法半导体（ST）、英特尔和Francisco Partners宣布合资创立一家新的独立半导体公司，组成新公司的原主营业务部门去年创造年收入共计约36亿美元。新公司的战略重点将专注于提供闪存解决方案。
Intel是NOR闪存的数一数二厂商，ST是NOR闪存第三大公司。二虎能够坐在一个山头上谈如何共赢，恐怕也是迫不得已的事。ST副总裁兼大中国区总经理Bob Krysiak解释说：“作为闪存或DRAM行业，要想成功，必须量产和大规模的制造能力。过去两年来，两家公司
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- 进入2007年，全球半导体市场明显呈现增长乏力的态势。与此同时，受产品结构调整、市场竞争加剧的影响，国内电子信息产业也出现增长放缓、效益下滑的情况。在这两方面因素影响下，中国集成电路产业发展速度也明显放缓。据统计，1-3月份国内集成电路总产量为85.29亿块，同比增长12.3%。全行业销售收入总额为271.21亿元人民币，同比增长27.4%，其增幅与2006年四季度相比回落8.7个百分点。 从一季度国内集成电路设计、芯片制造与封装测试三大行业的发展情况看，均不同程度的受到
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- 立锜科技(RichtekTechnology)针对单节锂离子和锂高分子电池应用推出创新设计的充电IC─RT9502。该产品提供了简单的外部线路架构、整合性的MOSFET、自动选择ADAPTER和USB双输入来源，且充电指示灯号不会因为拿掉电池而产生微亮的错误信号，具备简单的充电电流设定，在简化了整机电路和软件设计的同时，更提供高达18V的过电压保护。 目前便携式的电子产品已经走向轻薄短小的趋势，而锂离子及锂高分子电池正是符合该趋势的应用，RT9502正是专门为为锂离子及锂高分子电池而
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- 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列适用于低压及中压电机驱动应用的200V IC，这些应用包括电动工具、低压伺服驱动系统、电动园艺设备，以及像起重机、高尔夫球车和滑板车的电动车。 IRS200x系列半桥、高侧和低侧驱动IC系列是为低压 (24V 、36V 和48V ) 及中压 (60V 、80V 和100V ) 电机
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- 盛群半导体(Holtek)新推出HT1087泛用型低电压差电源稳压IC。该组件500mA电流输出的规格，可以广泛应用于各种产品，例如PC/NBcameramodule，PC外围产品，低电压MCU，DSP等需求电源转换的应用。 除了保证输出电压误差在2%以内，HT1087拥有极佳的负载稳定度及线性稳定度。噪声阻绝度(RippleRejection)可达到60dB。内建的保护功能有过电流及过热保护，为系统及IC提供必要的保护。 HT1087除了提供1.5V、1.8V、2.5V、
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- Vishay(威世)近日宣布推出可提供2A峰值汇和源栅极驱动电流的高频75V半桥式n通道MOSFET驱动IC。这款新型SiP41111适用于通常需要40V或60V电压的汽车应用。该75VMOSFET驱动器可用于汽车中的高强度放电管，以及各种终端产品中的高压降压转换器、推拉式转换器、全桥与半桥式转换器、有源钳位正向转换器、电源、电机控制及D类音频系统。 该款SiP41111具有75V的最大自举电源电压，可适应9V～13.2V的宽泛电源电压范围，能够以10ns的典型升降时间驱动1,000pF的负载。
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- 冲电气(OKI)推出内建运算放大器的紫外线(UV)传感器IC——ML8511。该产品运用绝缘上覆硅(SOI)-CMOS，为该公司首款模拟电压输出、无滤光器的UV传感器。OKI将从6月份开始陆续针对可携式等用途产品，提供新款UV传感器样品。 OKI的UV传感器IC由于采用了容易高整合度的SOI-CMOS技术，适合于数字及模拟电路。OKI表示，该公司未来将灵活运用这一特长，加强与连接微处理器的数字输出电路，进而与感测式亮度控制传感器(AmbientLightSensor)构成单一芯片的商品阵容；未来
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- 远翔科技将在2007年第二季推出双组外推NMOS的DC/DC同步整流IC，将补齐产品系列现阶段从5A以上使用的负载规格；这颗编号FP5148的IC采用散热型低脚数SOP16及QFN-16L小型封装，IC本身具备较宽的操作电压范围，并可由使用者自行调整PWM工作频率和电源软激活时间，在保护机制上针对电源异常部分则提供有过电流、短路及欠压等保护功能，必要时亦可藉由HousekeepingIC直接关闭IC来达成待机或断电保护状态。 远翔科技并于该季另提供有1A-3A负载规格使用外推PMOS双组差相型I
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- 盛群半导体(Holtek)新推出HT1087泛用型低电压差电源稳压IC。该组件500mA电流输出的规格，可以广泛应用于各种产品，例如PC/NBcameramodule，PC外围产品，低电压MCU，DSP等需求电源转换的应用。 除了保证输出电压误差在2%以内，HT1087拥有极佳的负载稳定度及线性稳定度。噪声阻绝度(RippleRejection)可达到60dB。内建的保护功能有过电流及过热保护，为系统及IC提供必要的保护。 HT1087除了提供1.5V、1.8V、2.5V、
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- 半导体制程微细化趋势1965年Intel创始人Moore提出“随着芯片电路复杂度提升，芯片数目必将增加，每一芯片成本将每年减少一半”的规律之后，半导体微细化制程技术日新月异，结构尺寸从微米推向深亚微米，进而迈入纳米时代。半导体制程微细化趋势也改变了产业的成本结构，10年前IC设计产业投入线路设计与掩膜制程的费用，仅占总体成本的13%，半导体生产制造成本约占87%。自2003年进入深亚微米制程后，IC线路设计及掩膜成本便大幅提升到62%。当芯片结构体尺寸小于100纳米时，光学光刻技术便面临技术关键：硅晶制程
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- 据日本经济新闻4月21日报道，东芝最快将在本会计年度开始采用43纳米制程生产闪存芯片，以降低生产成本。 东芝为全球第二大闪存芯片制造商，仅次于韩国三星电子。报道指出，由于芯片价格料在2007/08年度挫跌50%，因此该公司急于提高晶片生产效率。 日经新闻称，使用43纳米制程，将可使东芝生产成本降低40%。 报道称，三星电子计划今年开始采用50纳米制程。
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43纳米 东芝 闪存芯片 消费电子 IC 制造制程 消费电子
- 设计技术：面向SoC设计成主流 面向SoC的设计方法将成主流 由于电子整机系统不断向轻、薄、小的方向发展，集成电路功能也由单一向复杂转变，并且向系统集成发展的方向已经明确。目前，SoC电路已经能在单一硅芯片上实现信号采集、转换、存储、处理和输入/输出等功能。由此可见，将数字电路、存储器、CPU、DSP、射频电路、模拟电路、传感器甚至微机电系统(MEMS)等集成在单一芯片上，实现一个完整系统功能的SoC设计将成为未来集成电路设计的主流。未来SoC芯片的设计将以IP复用为基础，把已优化的子系统甚至系统级模块纳
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- 记者从16日在京举行的“集成电路设计服务—封装测试论坛”了解到，北京集成电路设计业规模稳居国内第一。
北京市科委提供的数据显示，2006年，北京集成电路设计业以近60亿元的销售总额稳居国内第一，远远超过其他省市。在最近3年的全国十大集成电路设计企业排行榜上，北京每年均有4家企业入围。
目前北京的集成电路设计企业已超过100家，龙芯、众志、星光系列等一批“中国芯”都属于国家重大创新成果。在北京市科委支持下，北京华大泰思特半导体检测技术公司和北京自动化测试技术研究所共同承担的“北京集成电路设
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