- GLOBALFOUNDRIES今日宣布将公司的55纳米(nm)低功耗强化型(LPe)制程技术平台进行了最新技术强化,推出具备ARM公司合格的下一代存储器和逻辑IP解决方案的55nmLPe1V。“55nmLPe1V”是业内首个且唯一支持ARM1.0/1.2V物理IP库的强化型制程节点，使芯片设计人员能够在单一系统级芯片(SoC)中使用单一制程同时支持两个工作电压。
GLOBALFOUNDRIES产品营销副总裁BruceKleinman表示：“‘55n
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GF CMOS
- 宽动态监控摄像机CCD/CMOS-DSP解析,宽动态摄像机到现在为止，究竟经历了几代，没能讲得清楚。就技术而言，不算背光补偿技术，宽动态现有二种重要实现方式：CCD+DSP技术和CMOS+DPS技术。CCD+DSP技术：DSP芯片是一种特殊的微处理器，根据数字信号处理理论
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解析 CCD/CMOS-DSP 摄像机 监控 动态
- GLOBALFOUNDRIES今日宣布将公司的55 纳米(nm) 低功耗强化型 (LPe)制程技术平台进行了最新技术强化, 推出具备ARM公司合格的下一代存储器和逻辑IP解决方案的 55nm LPe 1V 。“55nm LPe 1V”是业内首个且唯一支持ARM 1.0/1.2V物理IP库的强化型制程节点，使芯片设计人员能够在单一系统级芯片(SoC)中使用单一制程同时支持两个工作电压。
GLOBALFOUNDRIES产品营销副总裁Bruce Kleinman表示：&ldqu
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GLOBALFOUNDRIES CMOS 55nm
- 摘要：本文介绍了CMOS图像传感器器件的原理、性能、优点、问题及应对措施，以及CMOS图像传感器的市场状况和一些...
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CMOS 图像传感器 电信号
- 过去，由于缺乏低成本系统部件，或因全息多路技术过于复杂以及找不到合适的记录材料，使全息数据存储产品的开...
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CMOS 成像器 全息数据检索
- 拥有模拟和数字领域的优势技术、提供领先的混合信号半导体解决方案的供应商 IDT®公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI)日前推出业界首款具备多同步输出的高性能四频MEMS振荡器。IDT的最新振荡器提供业界标准兼容封装尺寸内的可配置输出，从而节省通信、网络、存储、工业和FPGA等应用中的电路板面积和物料清单 (BOM) 成本。
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IDT MEMS振荡器 CMOS
- 全球无线通讯及数字多媒体IC设计领导厂商联发科技股份有限公司 (MediaTek, Inc.) ，日前宣布与CMOS影像传感器领先品牌美国豪威科技股份有限公司(OmniVision Technologies, Inc.)合作，于其最新双核及四核智能手机解决方案打造带有画中画、影中影 (Video-in-Video ; ViV™) 相机功能的手机参考设计。
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- 最新一代CMOS和CCD图像传感器具有更大的频谱宽度、更高的灵敏度、更低的工作噪声和更小的外形尺寸。更先进的制造工艺还实现了更低的成本。此外，创新架构也正在给电路设计带来更大的灵活性和通用性。 其结果是，
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- 所有MOS集成电路（包括P沟道MOS，N沟道MOS，互补MOS—CMOS集成电路）都有一层绝缘栅，以防止电压...
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MOS集成电路 CMOS NMOS
- 随着计算机科学和自动控制技术的发展，越来越多的不同种类的智能机器人出现在工厂、生活当中，机器人视觉系 ...
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- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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罗姆 RF-CMOS HEMS 特定小功率无线模块
- 中芯国际宣布在背照式CMOS成像传感技术研发领域取得突破性进展，首款背照式CMOS成像传感测试芯片一次流片即获得成功，在低照度下同样获得高质量的清晰图像。这标志着中芯国际自主开发的背照式CMOS成像传感芯片全套晶圆工艺核心技术接近成熟，步入产业化阶段，更好地满足高端智能移动终端的需要。该技术将于2013年与客户伙伴进行试产。
背照式CMOS成像传感芯片工艺技术开发的成功，有助于中芯国际进一步拓展晶圆代工业务，支持国内外客户500万像素以上高分辨率智能手机用图像传感芯片、以及高性能视频影像传感芯片
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- 中芯国际集成电路制造有限公司("中芯国际"，纽约证交所代码：SMI，香港联交所代码：981)，中国规模最大、技术最先进的集成电路代工厂，日前宣布在背照式 CMOS 成像传感技术研发领域取得突破性进展，首款背照式 CMOS 成像传感测试芯片一次流片即获得成功，在低照度下同样获得高质量的清晰图像。
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中芯国际 CMOS
- 摘要：给出了一种结构简单的低功耗振荡器电路的设计方法，该电路由RC充放电回路、偏置电路组成。与传统振荡器电路相比，该电路具有精度高、电路结构简单以及输出占空比可调等优点。采用0．35 mu;m BCD工艺并利用Cad
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振荡器电路 低功耗 RC振荡器 CMOS
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