- 本文采用CMOS数字集成电路实现了一种数字钟电路，该电路设计包括了时序逻辑电路、组合逻辑电路、数码管显示电路和脉冲信号产生电路等内容，内容涉及面宽、综合性强，是电子技术自主性实验教学的典型案例
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数字钟 CMOS CD4518 BCD-7
- 本文简要描述了基于摄像头的主动安全系统的应用、引入它的动机及好处。此外，本文还介绍了视觉处理的未来解决方案与技术进步，可确保在功率有限的情况下实现最大性能。适用于前照灯控制、车道保持、交通标志识别及防碰撞功能的多功能前置摄像头解决方案，目前使用分辨率高达120万像素、每秒30帧的CMOS成像仪。随着新一代传感器的推出，分辨率将进一步提高。要在恶劣的天气和照明条件下可靠地检测物体，需要复杂的算法。车道保持、自动紧急刹车或交通拥堵辅助等半自动驾驶员辅助功能需要带有算法冗余的ASIL D安全级别，但所有这些
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嵌入式 CMOS FPGA MAC
- 针对SOI二极管型非制冷红外探测器，设计了一种新型读出电路(ROIC)。该电路采用栅调制积分(GMI)结构，将探测器输出电压信号转化为电流信号进行积分。设计了虚拟电流源结构，消除线上压降(IR drop)对信号造成的影响。电路采用0.35μm 2P4M CMOS工艺进行设计，5V电源电压供电。当探测器输出信号变化范围为0~5mV时，读出电路仿真结果表明：动态输出范围2V，线性度99.68%，信号输出频率5MHz，功耗116mW。
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红外 ROIC CMOS SOI GMI 201404
- 由中国辰芯光电设计、以色列Towerjazz代工、世界上最高分辨率的1.5亿像素全画幅CMOS图像传感器GMAX3005面世。除了超高的像素分辨率，这颗感光器的其他参数也是相当了得......
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CMOS 传感器
- 本文设计了一种3.3V 14位210MSPS 电流型DAC。该转换器包括高速模拟开关、带隙参考电路、电流调整电路和高速锁存器等。采用了分段电流沉结构，同时还采取了电流源调整技术，改善了芯片的线性参数。电路基于0.35μm CMOS工艺设计，芯片面积3.8mm2。测试表明，其刷新率可达210MSPS，INL为±0.8LSB，DNL为±0.5LSB，SFDR@fclk=210MSPS为72dBC@fout=5.04MHz，在3.3V电压下工作时功耗小于120mW。
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DAC CMOS
- 本文提出了一种全新的数字化的双向微型无线内窥镜系统， 该系统具有可实时观察病人消化道图像、全消化道检查、提供三维深度图像数据等功能。
对消化道疾病的检查， 目前最常用和最直接有效的方法就是内窥镜检查， 它在消化道疾病的诊断中起着极为重要的作用。但现有的常用内窥镜系统都不得不带有引导插管， 给系统操作带来不便， 同时给检查病人也带来很大的痛苦， 而且检查的部位受到限制， 无法实现对小肠部分的检查。随着微电子技术的发展， 以色列人开发出了无线内窥镜系统[1]，其发展还在起步阶段， 存在一些局限性， 比如图像
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无线 CMOS
- 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，)推出新系列的互补金属氧化物半导体(CMOS) “电池电量监测器”集成电路(IC)，为智能手机、平板电脑及数码相机等多种便携电子产品中常用的单节锂离子(Li+)电池提供精确的剩余电量等级监测。新的LC709201F、LC709202F及LC709203F结合了高精度等级，以及业界最低能耗，优于执行此功能的竞争器件。这些器件还减少元件数量及降低系统成本，因为它们跟竞争器件不同，并不要求电流感测电阻来组成方案。 安森美半
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安森美 LC709201F CMOS 便携 电池监测
- 随着汽车部件电子化程度的不断提高,汽车工程师们正积极地寻求车辆系统中的先进控制和接口技术解决方案。目前,汽车系统中用来嵌入这些功能单元的空间和能源十分有限,汽车工程师们正借助于新颖的高压混合信号技术将复杂的——截至目前还不兼容的元件功能集成到一块芯片上。现在,应用与42V车载电压兼容的I3T高电压技术已经可以将复杂的数字电路(如传感器)、嵌入式微处理器以及功率电路(如激励源或开关驱动器)集成到一起。
LIN总线系统
由于其相对较低的造价,LIN总线正被广泛应用于汽车的分布式电气
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AMI CMOS
- 高通公司QFE2320和QFE2340芯片的成功商用，标志着移动射频前端技术的一个重大进展，两款芯片借助简化的走线和行业尺寸最小的功率放大器和天线开关，相信会在集成电路上实现前所未有的功能。
集成天线开关的QFE2320多模多频功率放大器(MMMBPA)和集成收发器模式开关的QFE2340高频段MMMBPA，以及首款用于3G/4GLTE移动终端的包络追踪(ET)芯片QFE1100，都是Qualcomm®RF360?前端解决方案的关键组件，并支持OEM厂商打造用于全球LTE移动网络的单
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高通 CMOS
- 本文设计了一种低插入损耗、高隔离度的全集成超宽带CMOS 射频收发开关芯片。该电路采用深N阱体悬浮技术，在1.8V电压供电下，该射频开关收发两路在0.1-1.2GHz内的测试结果具有0.7dB的插入损耗、优于-20dB的回波损耗以及-37dB以下的隔离度。本开关采用GLOBALFOUNDRIES 0.18μm CMOS工艺，芯片总面积为0.53mm2。
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射频开关 CMOS 开关芯片 201402
- 上一帖我们说到了IC的性能取决于R与C的乘积。看到留言后我发现还必须补充一个遗漏的事实：当器件的尺寸变得越来越小，连线在IC中越来越成为一个瓶颈。这是由于一个非常简单的原因：连线相对于器件的尺寸来说越来越长了。
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EDA CMOS CPU 反相器 PMOS
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