- 固定输出集成稳压器如78times;times;系列，只需外接两只电阻，就能方便地提升输出电压V0(见下图)，其输出电压表达式如下：
V0=VR1+VR2
=VR1+I0R2
=Vtimes;times;+(Vtimes;times;/R1+Id)R2
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电压 技巧 输出 电路 IC 稳压 三端
- 摘要：详细介绍接触式IC卡读写原理；结合一个基于不同读写芯片、可以同时操作6片接触式IC卡的系统，对包括并行通信、半双工串行通信和I2C通信的几种不同接口形式的IC卡读写芯片进行了详细的对比分析。引 言IC卡
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实现 方式 对比 不同 原理 IC 接口 接触式
- 摘要：应变片传感器具有可靠、可重复性好等特性，并且非常精确，广泛用于制造、工艺控制以及研究领域。它将应变转换为电信号，用于压力传感、重量测量、力和扭矩测量，以及材料分析等。应变片是一个简单的电阻，其阻
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应变 传感器 驱动 IC 信号 调理 采用
- 摘要：利用远程温度传感器监测高性能微处理器和图象处理器的管芯温度现已成为一种很普通的技术，被用于系统的功率和热量等工况的管理。随着时钟速度、电路密度和功率水平的提升，管芯工作温度可能会超出常规温度传感
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IC 检测 温度
- 开关电源因具有良好的输入电压调整率和负载调整率、高转换效率以及体积小巧等优势，如今几乎为所有电子系统采用。不过，由于开关电源属于非线性元件，因此可产生与输入电压异相的高幅度窄脉冲。电流脉冲的高谐波含量与电源的无功输入同时存在，容易降低AC电源的供电效能，从而造成EMI问题和能源损耗。
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AC电源 PFC IC
- ADI全球领先的高性能信号处理解决方案供应商，最近推出一款高集成度电源管理IC ADP5034调节器/LDO。它在一个小型 LFCSP（引脚架构芯片级）封装中集成两个3 MHz 的高效率1.2 A 降压调节器和两个300 mA LDO（低压差）调节器。此外还推出与 ADP5034相似的 ADP5024调节器/LDO，但它只含有一个300 mA LDO 调节器。ADP5034和 ADP5024降压调节器/LDO 总共仅占用69mm2 的电路板面积，设计用于满足处理器和 FPGA 日益缩小的电路板空间要
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ADI 调节器 IC ADP5034
- 全球领先的高性能模拟IC设计者及制造商奥地利微电子公司今天推出两款新的LED驱动器 IC，新产品具有优化的性能和功能，非常适用于最新型LCD电视的需求。这些新的驱动器是第三代驱动器产品系列的首批产品，可以在优化图像质量的同时将能耗降至最小。
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奥地利微电子 LED驱动器 IC
- 1993年世界上第一只GaN基蓝色LED问世以来，LED制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的GaN基LED均是...
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LED芯片 硅衬底 GaN
- Ⅲ族氮化物半导体材料广泛用于紫、蓝、绿和白光发光二极管，高密度光学存储用的紫光激光器，紫外光探测器，...
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MOCVD GaN LED芯片
- 过去几年，用作高清电视机(HDTV)显示器背光照明的LED一直是LED市场增长的主要驱动力。不过，随着LED普通照明应用在商用和住宅环境中引起越来越大的关注，LED的增长将显著加速。 LED照明高增长率背后的主要驱动力是
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LED 要求 IC 驱动器 灯对
- 高性能模拟与混合信号IC领导厂商Silicon Laboratories 今日宣布其广播收音机IC出货量已达十亿颗，缔造了广播音频市场的重要里程碑。Silicon Labs的数字CMOS广播收音机芯片广泛应用于手机、便携式媒体播放器(PMP)、个人导航装置(PND)、汽车信息娱乐系统、桌面和床头收音机、便携式收音机、音响和许多其他消费电子产品。
Silicon Labs公司于2005年推出业界首颗单芯片FM接收器。作为业界最小、最高性能和集成度的FM广播收音机IC，Si4700 IC重构了消
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Silicon-Labs IC CMOS
- 利用曼码调制的非接触IC卡读写程序编制, 导 言 IC卡又称集成电路卡，它是在大小和普通信用卡相同的塑料卡片上嵌置一个或多个集成电路构成的。集成电路芯片可以是存储器或向处理器。带有存储器的IC卡又称为记忆卡或存储卡，带有微处理器的IC卡又称为智能
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程序 编制 读写 IC 调制 非接触 利用
- 日前，来自英国ABI公司的AT系列全品种集成电路筛选测试仪正式进入中国市场，AT系列产品目前推出2款型号:AT192/AT256;它们分别可以一次测试192管脚和256管脚的器件。全品种IC测试，是这个产品的突出优势，无论被测器件是数字IC、模拟IC、还是数模混合电路，都可以在这个设备上顺利快捷地完成测试筛选。
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ABI IC
- 摘要：氮化镓功率管的宽带隙、高击穿电场等特点，使其具有带宽宽，高效特性等优点。为了研究GaN功率放大器的特点，使用了Agilent ADS等仿真软件，进行电路仿真设计，设计制作了一种S波段宽带GaN功率放大器。详述了电
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GaN S波段 宽带 放大器
- 摘要：为了实现GaN基量子阱红外探测器，利用自洽的薛定谔-泊松方法对GaN基多量子阱结构的能带结构进行了研究。考虑了GaN基材料中的自发极化和压电极化效应，通过设计适当的量子阱结构，利用自发极化和压电极化的互补
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设计 探测器 红外 量子 GaN
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