带SPI接口、尺寸最小的1Mb FRAM器件诞生,它到底有多小?-富士通半导体(上海)有限公司日前宣布,成功推出拥有1 Mb内存的FRAM产品---MB85RS1MT。由于该器件采用晶圆级芯片尺寸封装(WL-CSP),使得其体积仅为3.09× 2.28 × 0.33 mm,一举成为业内拥有SPI接口的、尺寸最小的1 Mb FRAM器件。
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富士通 fram spi
高性能RFID标签是怎样炼成的?-开车的朋友可能会有这样的经历,当您经过高速公里收费站时,您的交通收费卡在进站和出站的时候偶尔会无法读取,原因是您的交通卡使用的频率比较高,超过了他的读写次数。目前,这些交通卡大部分是采用内嵌EEPROM的RFID制造,而如果将智能交通卡中的EEPROM换成FRAM,问题就迎刃而解了。
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富士通 fram rfid
20张图文告诉您什么是智能水/气表存储关键数据的最佳解决方案-在今天的举办的2015智能水/气计量及管网执行力论坛上,富士通半导体(上海)有限公司市场部高级经理蔡振宇作了“智能水/气表存储关键数据的最佳解决方案”的主题分享。水/气表存储关键数据最佳解决方案是什么?与传统方案的优势是啥?有哪些应用案例?……带着这些问题,今天我们将通过20张图文与大家深度分享。
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富士通 fram
产品设计中,那些可能被你“熟视无睹”的器件-确实,通常我们习惯于集中关注如主控芯片、驱动、信号处理等系统级关键器件,而常常忽视掉那些被认为是“旁枝末节”的周边元器件的选型与应用。事实上,这些“熟视无睹”的器件,很多时候会决定你的产品成败!
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fram 双电层电容 继电器
次世代记忆体换当家?关于新当家的那点事-据韩媒BusinessKorea报导,IBM 和三星在电机电子工程师学会(IEEE)发布研究论文宣称,两家公司携手研发的STT-MRAM 的生产技术,成功实现10 奈秒(nanosecond)的传输速度和超省电架构,理论上表现超越DRAM。韩国半导体业者指出,16纳米将是DRAM微缩制程的最后极限,包括FRAM在内的多种次世代存储(其它包括MRAM)备受期待。
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在前不久巴塞罗那举行的奥迪首届全球品牌峰会上,奥迪新一代A8旗舰级轿车正式首发,成为世界上第一款L3级自动驾驶量产车。至此,自动驾驶技术第一次真真切切地接管了人类手中的方向盘!尽管奥迪表示新A8仅在60km/h以下的低速条件实现了自动驾驶,但仍然赚足了全球车友的“眼球”。在消费者为之狂欢的同时,新A8也进一步引发了消费者与业界对自动驾驶系统“可靠性”的思考——你真的敢坐自动驾驶开的车么? 图1:奥迪A8自动驾驶技术采用多
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富士通 FRAM
《华尔街日报》前不久的一篇文章指出,近年来智能手机、PC、平板电脑等设备的进化并没有以往那么快速,不过它们正以新的方式推进创新,硬件厂商更多针对特定任务采用定制芯片。没错,技术的多样性正在为各种应用带来类似 “定制化”的更优化设计选项。而嵌入式系统数据存储领域也是如此,以不同独特性能的各种存储技术正在为许多应用需求提供“定制化”的方案,其中富士通在FRAM、NRAM以及ReRAM技术上正在这样做。 “作为系统关键组成部分,存储性能至关重要。” 富士通电子元器件(上海)有限公司产品
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在最近热映的影片《环太平洋》中,面对怪兽的冲击波,采用数字电路控制的机甲战士瞬间就瘫痪了,而只有模拟电路扛了下来。这可以形象地用来说明,电子元器件能否抗辐射有时候是人命关天的事儿!回到现实,在医疗电子应用领域,将能够抵抗高达50kGy伽玛射线消毒的非易失性随机存储器FRAM用于一些与生命息息的关键医疗设备就再合适不过
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铁电存贮器是一种全新的存贮器,它的核心技术是铁电晶体材料。铁电存贮器的最大特点是可以跟随总线速度无限次的写入,而且写入功耗极低。文中给出了 FRAM铁电存贮器与普通存贮器的性能比较。指出了FRAM的主要应用领域。最后列出了RAMTRON串行和并行铁电存贮器的主要型号和参数。
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铁电存储器 FRAM 无限次写入
最新低功耗微处理器 (MCU) 集成降低安全应用成本与功耗所需的高性能以及各种特性,可帮助开发人员为低功耗应用提高安全性。此外,它们还采用非易失性 FRAM 替代 EEPROM 或闪存提供稳健统一的存储器架构,从而可简化安全系统设计。
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铁电存储器(FRAM)广泛应用于工业控制系统、工业自动化、关键任务空间应用、高可靠性军事和各种汽车应用。FRAM的特性不仅使其适用于上述应用,而且它还以其低功耗和高耐用性(图1)的固有特性成为了智能电表应用的可靠选择。 (图1):高端非易失性存储器对比 电子设计的一个主要考虑因素是降低总功耗的同时提高可靠性。设计人员必须考虑增加功能,同时减少系统的功率预算,以实现更长久的电池寿命。但是与此同时,嵌入式软件正变得日益复杂,需要配备更多的存储器,但这一点对功耗也有了进一步要求。 一般来讲,智能电表将
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FRAM 智能电表
「FRAM」是前景看好且正受到广泛关注的集成电路组件,然而,其制造过程中使用的原材料及化学物质颇多,制程也极为复杂。为了计算出在生产FRAM时的CO2排放量,富士通针对芯片生产工厂中化学原料、化学气体、晶圆等的用
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FRAM ICT CO2 方案
在前不久落下帷幕的深圳国际电子展现场,聚集了大量专业观众的富士通展台格外亮眼,而引发这场围观的“黑科技”之一就是已“上天入地”的铁电随机存储器(FRAM)。据富士通展台工程师介绍,从要抗宇宙辐射的卫星装置,到颇接地气的无电池舒适智能家居设备,已处处可见这种先进非易失性嵌入式存储技术的身影。除FRAM外,在本次展会上富士通还展示了继电器Relay、设计可追溯管理工具SQTRACER等领先技术。
图1:深圳电子展富士通展台。
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富士通 FRAM
对于很多人来说,第一次接触能量采集可能是在早期使用太阳能便携式计算器的时候,虽然如今这种类型的计算器已不再是主流,但是它所使用的技术和理念仍然应用于我们的日常生活中。目前,我们在许多的应用中都能看到能量采集的身影,例如传感器节点、风力涡轮机和室内供能应用等。不过,即使对于这项技术的讨论较之前已经有了很大的发展,当涉及到能量采集时,开发人员仍然面临着与数十年前一样的挑战。
为了在不带来负面影响的情况下产生出所需的能量,通常需要一块物理尺寸很大的太阳能板和一套巨大的热能采集装置,或者是通过设备发出不
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MSP430 FRAM
前些年随着一部轻喜剧的播出,“查水表”一词已被引申为调侃之语了。而伴随着智能化大潮的到来,这个曾与我们老百姓生活息息相关的词在日常生活中也正与我们渐行渐远,因为传统三表已经实现了智能计量和无线数据采集、数据实时存储和无线采集。作为其中的关键环节,数据存储的低功耗和可靠性越来越受到关注。在不久前闭幕的智能水/气计量产业链高峰论坛(WATER & GAS METERING China2016)上,富士通电子元器件(上海)有限公司亚太区市场部总经理王钰针对三表数据存储发表了专
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fram介绍
铁电存储器(FRAM)产品将ROM的非易失性数据存储特性和RAM的无限次读写、高速读写以及低功耗等优势结合在一起。FRAM产品包括各种接口和多种密度,像工业标准的串行和并行接口,工业标准的封装类型,以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。
非易失性记忆体掉电后数据不丢失。可是所有的非易失性记忆体均源自ROM技术。你能想象到,只读记忆体的数据是不可能修改的 [
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