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flash fpga 文章 进入flash fpga技术社区

FPGA 发展之路: 将功耗和价格降低一万倍

  •   作者:Steve Trimberger,赛灵思公司,美国电子电气工程师协会 (IEEE) 研究员、美国计算机协会 (ACM) 院士、美国国家工程院院士  FPGA 器件自问世以来,已经经过了几个不同的发展阶段。驱动每个阶段发展的因素都是工艺技术和应用需求。正是这些驱动因素,导致器件的特性和工具发生了明显的变化。FPGA 经历了如下几个时代:  ● 发明时代;  ● 扩展时代;  ● 积累时代;  ●&n
  • 关键字: FPGA  功耗  

盘点+分析:Flash原厂2016年财报

  • 2016年Flash原厂加速向3D NAND切换,除了研发成本增加,切换过程中也很容易出现产能损失,同时还需要更新旧设备,增加新设备,以及扩大生产空间,从而导致Flash原厂NAND Flash产出减少,以及投资成本增加。
  • 关键字: Flash  三星  

经验总结:电路设计的误区

  •   现象一:这板子的PCB设计要求不高,就用细一点的线,自动布吧  点评:自动布线必然要占用更大的PCB面积,同时产生比手动布线多好多倍的过孔,在批量很大的产品中,PCB厂家降价所考虑的因素除了商务因素外,就是线宽和过孔数量,它们分别影响到PCB的成品率和钻头的消耗数量,节约了供应商的成本,也就给降价找到了理由。  现象二:这些总线信号都用电阻拉一下,感觉放心些。  点评:信号需要上下拉的原因很多,但也不是个个都要拉。上下拉电阻拉一个单纯的输入信号,电流也就几十微安以下,但拉一个被驱动了的信号,其电流将达
  • 关键字: FPGA  PCB  

用于RF收发器的简单基带处理器

  • 本文详细地描述了RF基带处理器的一般设计原则,并使用ADI公司的AD9361 FPGA参考设计讨论了BBP的实际硬件实施。本文中提出的相关基带处理器允许对数据进行处理,以使其在两个RF系统之间进行无线传输。
  • 关键字: RF基带  BBP  AD9361 FPGA  201701  

便携式伺服机构静态测试仪的系统设计

  • 本文基于某火箭配套各级伺服机构产品油面电压及充气压力的静态测试,设计了一套便携式伺服机构静态检测仪。系统硬件采用模块化设计,分为数据采集模块、数据显示存储模块和供电模块,采用FPGA+A/D芯片的方案对高速数据采集处理和控制,基于AM3359的嵌入式单板机开发平台对数据进行存储和实时显示,供电使用铅酸电池;系统软件采用基于Labview2011虚拟仪器技术,软件按功能分为数据采集模块、数据处理模块、数据存储模块和错误处理模块。系统具有测量精度高,实时性好,操作简单和便携等优点,满足伺服机构的生产、试验、外
  • 关键字: FPGA  便携式  模块化  201701  

大陆韩国扩产竞赛 Flash后年产能恐过剩

  •   储存型快闪存储(NANDFlash)军备竞赛再起,南韩存储大厂SK海力士决定再投资3.16兆韩元(约27亿美元),在南韩及大陆两地增加存储产能;紫光集团旗下的长江存储武汉厂,也预定本月底正式动土,都为2018年供给过于求再现,埋下隐忧。   目前各市调机构均看好明年NANDFlash仍处于供不应求局面,但南韩存储大厂SK海力士上周宣布将在南韩盖一座全新快闪存储厂,在中国大陆也将加码投资9,500亿韩元,扩充产能,希望市占率能赶上三星,但也为NANDFlash市场投下新变数。   稍早三星和美光也都
  • 关键字: Flash  晶圆  

高云半导体发布FPGA软件在线Debug工具—在线逻辑分析仪GAO

  •   广东高云半导体科技股份有限公司(以下简称“高云半导体”)近日宣布:高云半导体拥有完全自主知识产权的FPGA设计软件—云源Ⓡ软件设计系统发布在线Debug工具—在线逻辑分析仪Gowin Analysis Oscilloscope(简称:GAO)。   作为云源Ⓡ软件设计系统集成的实时在线Debug工具,GAO可为用户实时监测硬件电路的逻辑电平(高电平或低电平)并加以存储,同时以时序波形图直观显示,便于用户快速检测、分析电路设计中的错误。  “GAO是高云半导体为方便用户设计
  • 关键字: 高云  FPGA  

为满足NAND Flash市场需求 SK海力士建新厂

  •   SK海力士宣布将在忠清北道清州市新建一个存储器晶圆厂,满足NAND Flash市场增加的需求。新工厂将坐落在清州科技园。SK海力士下个月开始设计外部的建设,2017年8月到2019年6月期间完成洁净室的装备,总投资达2.2兆韩元(18.4亿美金)。     SK海力士表示,公司决定额外的新建一座Fab工厂,主要是为了确保能够满足NAND Flash市场需求的增长,以及引导向3D NAND发展。加之,考虑到通常建立一个半导体工厂需要超过2年,所以提前做好准备。   SK海力士曾在20
  • 关键字: NAND Flash  SK海力士  

2016年度电子产品世界编辑推荐奖获奖名单

  •   2016年度电子产品世界编辑推荐奖,经过5个月的征集、评选和投票环节,最终获奖名单揭晓,恭喜27家厂商的26个产品获得2016年度电子产品世界编辑推荐奖。感谢74家厂商和2000多名受邀网友对本次活动的大力支持!奖项获奖产品获奖公司备注最佳本土芯片32 位HR8P506上海东软载波微电子​最佳MCUSTM32L011意法半导体​最佳FPGACrossLink 可编程桥接芯片莱迪思半导体​最佳模拟芯片低噪声心率及ECG模拟前端AD8233亚德诺半导体​最佳电源管理芯片用于USB&nb
  • 关键字: 芯片  FPGA  

MathWorks加快FPGA在环验证

  •   MathWorks今日发布了HDL Verifier中的新功能,用来加快 FPGA 在环(FIL)验证。利用新的 FIL 功能,可以更快地与 FPGA 板通信,实现更高的仿真时钟频率。现在,系统工程师和研究人员可以自信地快速确认和验证 FPGA 设计在系统中按预期方式工作,从而节省开发时间。  随着信号处理、视觉影像处理和控制系统算法的复杂度不断增加,在 FPGA 板上对硬件实现进行仿真,可以
  • 关键字: MathWorks  FPGA   

Xilinx FPGA将用于最新亚马逊EC2 F1实例以加速基因、金融分析、视频处理、大数据、安全和机器学习推断

  •   All Programmable技术和器件的全球领先企业赛灵思公司(Xilinx, Inc. (NASDAQ:XLNX))宣布,亚马逊云服务(AWS, Amazon Web Service)在亚马逊弹性云计算(Amazon EC2)F1 新实例中采用了赛灵思16nm UltraScale+ 现场可编程门阵列(FPGA),以加速基因、金融分析、视频处理、大数据、安全和机器学习推断等工作负载。  除Amaz
  • 关键字: Xilinx  FPGA  

Flash数据为何不翼而飞

  •   芯片贴板后跑不起来?Flash里面的数据在使用过程中莫名改变或不翼而飞?程序丢失可能无法正常运行,从而造成整个系统崩溃,下面我们来看看是什么原因让数据异常变化。        1、用户代码对Flash的误操作不当引起程序丢失或被错误改写  例如,在有对Flash写入或擦除操作的代码中,如果用户误调用了写入或擦除函数或者由于程序跑飞而恰好执行了Flash擦除或写入函数,这自然会导致数据丢失或改变。针对以上情况,可以在程序中设置多个允许操作的变量,当执行写入或擦除操作时,对
  • 关键字: Flash  芯片  

美议员敦促政府阻止中资支持公司收购莱迪思半导体

  •   美国议员警告奥巴马政府,不要批准一项中资支持的半导体行业收购交易,这将增大对中国政府的压力,就在数日前,奥巴马阻止了一家中国公司收购另一家拥有重要半导体资产的科技公司。   22名众议员周二联名致信财政部长雅各布﹒卢(JacobLew),对莱迪思半导体(LatticeSemiconductor,LSCC)收购交易表达了不同寻常的严重关切。卢领导一个评估外资收购交易的小组。   总部位于俄勒冈州波特兰的莱迪思半导体在上月表示,该公司已接受CanyonBridgeCapitalPartnersInc.
  • 关键字: 莱迪思  FPGA  

NAND Flash供不应求,第三季品牌商营收大幅季成长19.6%

  •   TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)最新调查显示,受惠于智能手机需求强劲,及供给端2D-NAND 转进3D-NAND 所导致的整体产出减少,第三季NAND Flash开始涨价,使得NAND Flash原厂营收季成长19.6%,营业利益率也较上季大幅进步。   DRAMeXchange研究协理杨文得表示,第四季各项终端设备出货进入今年最高峰,预估整体NAND Flash供不应求的市况将更为显著,各项NAND Flash产品的合约价涨幅将更高,厂商的营收
  • 关键字: NAND Flash  英特尔  

Flash缺货,存储器成为三星的摇钱树

  •   NAND Flash缺货,加上SSD可能是新款电子产品的重要选择,缺货现象可能延续到2017Q1。(法新社)   根据DIGITIMES的报导,NAND Flash缺货,加上SSD可能是新款电子产品的重要选择,缺货现象可能延续到2017Q1以后。估计2017年DRAM供应量成长率是15%,比2016年的32%低很多,而Flash更是从67%暴跌至35%。更值得注意的是,2016年投资金额为10兆韩元的记忆体产业,2017年将增加至13兆韩元,其中4兆韩元用于DRAM,Flash则约9兆韩元,远不如原
  • 关键字: Flash  存储器  
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