- 随着智能手机和TWS等移动设备日趋小型化和高功能化，设备和集成电路（IC）对ESD（静电放电）和浪涌的抗扰性越来越弱。此外，这些移动设备被要求支持触摸操作和可穿戴设计的机会也逐渐增多，因此采取ESD保护措施变得空前重要，这也极大地促进了ESD保护元件的应用。随着智能手机和TWS等移动设备日趋小型化和高功能化，设备和集成电路（IC）对ESD（静电放电）和浪涌的抗扰性越来越弱。此外，这些移动设备被要求支持触摸操作和可穿戴设计的机会也逐渐增多，因此采取ESD保护措施变得空前重要，这也极大地促进了ESD保护元件的
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TDK LED ESD
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，采用新一代Cyllene 2 IC升级红外遥控应用TSOP2xxx、TSOP4xxx、TSOP57xxx、TSOP6xxx和 TSOP77xxx系列红外（IR）接收器模块。配置新型IC旨在确保产品长期供货并缩短交货期，有助于设计人员大幅降低更宽电源电压范围内的供电电流，同时提高抗ESD和阳光直射的可靠性。日前发布的增强型Vishay Semiconductors接收器可用于电视机、机顶盒（STB）、音响和游戏机、空调等电器，以及
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Vishay 红外接收器 ESD
- 在电子产品开发中ESD静电防护是不可或缺的一环，下面就为大家简单介绍一下，核心板产品开发时有用的ESD二极管知识和技巧。ESD管的介绍ESD（Electrostatic Discharge Protection Devices），静电保护元器件，又称瞬态电压抑制二极管阵列（TVS Array），是由多个TVS晶粒或二极管采用不同的布局设计成具有特定功能的多路或单路ESD保护器件，主要应用于各类通信接口静电保护，比如USB、HDMI、RS485、RS232、VGA、RJ11、RJ45、BNC、SIM、SD等
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ZLG 嵌入式 ESD
- 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia宣布Nexperia TrEOS产品组合再添新产品，即PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM极低钳位电压ESD保护二极管。这些器件兼具高浪涌耐受性、非常低的触发电压和极低的钳位电压以及宽通带，浪涌抗扰度出众，出众的IEC61000-4-5浪涌等级。 Nexperia高级产品经理Stefan Seider表示：“Nexperia开发了TrEOS产品组合，专门用于为我们的客户提供一系列适用于USB3.2、USB4™、Thunderbolt
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Nexperia 高速数据线 TrEOS ESD 保护器件
- TDK的多层贴片式压敏电阻产品阵容齐全，可保护设备因受ESD（静电放电）影响而引发的故障和误动作，能帮助客户有效解决ESD问题。但随着用户设备的小型化、轻量化和高功能化，以前效果出众的多层贴片式压敏电阻产品也出现了无法充分发挥保护效果的情况。为了查明原因，我们以客户设备的小型化为前提进行了ESD实验，本期推文就来为您详细介绍通过此次实验得出的各数据与结果。5G技术的发展实现了设备之间的相互协作和实时通信，也对设备的设计提出了更高的要求，比如更小、更轻、更低功耗、更高功能、长期运行、高可靠性、更高的EMC耐
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TDK ESD
- ESD，是静电放电(Electrostatic Discharge)是指具有不同静电电位的物体互相靠近或直接接触引起的电荷转移。ESD是一种常见的近场危害源，可形成高电压，强电场，瞬时大电流，并伴有强电磁辐射，形成静电放电电磁脉冲。静电的来源在电子制造业中，静电的来源是多方面的，如人体、塑料制品、有关的仪器设备以及电子元器件本身。人体是最重要的静电源，这主要有三个方面的原因：1、人体接触面广，活动范围大，很容易与带有静电荷的物体接触或摩擦而带电，同时也有许多机会将人体自身所带的电荷转移到器件上或者通过器件
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ESD 静电放电
- 将一个电容充电到高电压（一般是2kV至8kV），然后通过闭合开关将电荷释放进准备承受ESD冲击的“受损”器件（图1）。电荷的极性可以是正也可以是负，因此必须同时处理好正负ESD两种情况。 (1)HBM(Human Body Model)，人体放电模型； 指带电荷的人体与集成电路产品的管脚接触并发生静电荷转移时，产生的ESD现象。 人体等效电阻约1500欧姆，等效电容值为lOOpF，Ls与Cs寄生电感和电容。该ESD放电产生电流波形的上升时间在2~10ns范围内，持续时间在150~200ns范围内
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ESD 静电放电
- ESD（Electrostatic discharge），中文释义为静电放电。 造成静电放电有多种原因，但最常见的是静电和静电感应。静电通常是通过摩擦充电产生的，而静电感应则是作为物体的电荷重新排列而产生的。通常，当一个物体的表面获得负电子而另一个物体失去电子并带正电时，就会产生摩擦充电。当带相反电荷的物体相互接触时，电子传递能量然后分离，形成一种电荷接触带电。 在工业生产中静电放电会导致两种类型的电气设备损坏，具体如下： 灾难性的：造成永久性伤害。 潜伏性的：几乎检测不到，已经对组件造成损伤
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ESD 静电放电
- 记得小学时候的自然课上老师用冬天脱毛衣时的火花向年少的我们描述静电的情形，那时候不禁对大自然肃然起敬。没想到很多年之后学习集成电路课程，又一次跟静电有了接触，只是这一次没有年少时的轻松与愉悦。静电放电（Electrostatic Discharge, ESD）很容易造成电子元件或电子系统遭受过度电应力而被永久破坏。静电放电破坏的产生，大多数是由于人为因素造成的，但又很难避免。在芯片制造、生产、测试、搬运等过程中，静电会积累在人体、仪器、设备之中，甚至芯片本身也会积累静电，这些静电一旦在某些情况下形放电通路
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ESD 静电放电
- 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布扩展其超低钳位和超低电容ESD保护二极管系列产品组合。该产品组合旨在保护USB 3.2、HDMI 2.0、LVDS、汽车A/V监视器、显示器和摄像头等高速数据线。此外，该产品组合还旨在解决未来高速视频链路以及开放技术联盟MGbit以太网应用。 新晋产品包括2引脚单线器件PESD5V0C1BLS-Q和PESD5V0C1ULS-Q，采用超紧凑型DFN1006BD-2封装，同时优化了布线灵活性。此外，还有两款采用DFN1006-3封装的3引脚
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Nexperia 超低电容 ESD 保护二极管 汽车数据接口
- 基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出两款经优化的静电放电(ESD)保护二极管件，适用于高速数据线中的重定时器和信号中继器。PESD2V8Y1BSF专为保护USB4 (Thunderbolt)接口而设计，而PESD4V0Y1BCSF可适用于USB4以及HDMI 2.1。这两款产品均使用Nexperia的成熟TrEOS技术，集低钳位、低电容和高稳健性优势于一身。 重定时器和信号中继器是设计高速USB4接口常用的器件。它们需要电路板走线变更短，从而降低寄生电感，但也会意外地降低整体系统
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Nexperia USB4 ESD 二极管件
- 高端变频空调在实际应用中出现大量外机不工作，经过大量失效主板分析确认是主动式PFC电路中IGBT击穿失效，本文结合大量失效品分析与电路设计分析，对IGBT失效原因及失效机理分析，分析结果表明：经过对IGBT失效分析及IGBT工作电路失效分析及整机相关波形检测、热设计分析、IGBT极限参数检测对比发现IGBT失效由多种原因导致，IGBT在器件选型、器件可靠性、闩锁效应、驱动控制、ESD能力等方面存在不足，逐一分析论证后从IGBT本身及电路设计方面全部提升IGBT工作可靠性。
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主动式PFC升压电路 IGBT SOA 闩锁效应 ESD 热击穿失效 202108 MOSFET
- 非对称双向可控硅（ADDSCR）是在考虑了保护环结构之后，为使I-V特性曲线对称而设计的非对称结构，但是其维持电压较低，容易闩锁。为了提高传统ADDSCR的维持电压，基于0.18 μm BCD工艺，设计维持电压高的HHVADDSCR。经TCAD仿真，证明HHVADDSCR具有高维持电压，避免了闩锁，且器件适用于传输电平在18~60 V的芯片信号端口的静电保护。
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202107 非对称可控硅 维持电压 ESD 闩锁效应
- 基础半导体器件领域的专家Nexperia宣布推出一系列ESD保护器件，专门用于保护汽车应用中越来越多的高速接口，特别是与信息娱乐和车辆通讯相关的车载网络(IVN)。 随着数据传输速率的提高和车载电子含量的增加，EMC保护的需求变得越来越重要，提供正确的保护类型已成为设计工程师的巨大挑战。Nexperia的TrEOS技术优化了ESD保护的三大关键参数（信号完整性、系统保护和鲁棒性），以提供具有低电容、低钳位电压和高ESD鲁棒性的理想组合的器件。 全新的PESD4USBx系列总共包括十二款采用Tr
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Nexperia 高速接口 ESD
- 半导体基础元器件领域的高产能生产专家Nexperia宣布推出全新产品PCMFxHDMI2BA-C，这款集成了ESD保护功能的共模滤波器具有超过10 GHz差分带宽。它适用于高达12Gbps 的最新HDMI 2.1标准，能够轻松通过眼图测试。 Nexperia高速保护和滤波产品经理Stefan Seider说：“HDMI 2.1使显示器具有更高的分辨率和更出色的色彩。但是，这需要更优秀的抗干扰保护，尤其是在紧凑的无线应用中，这些2合1的ESD和滤波组合器件的性能和小尺寸非常适合对性能和空间有要求
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Nexperia ESD
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