- 近日，格芯宣布基于22nm FD-SOI （22FDX）工艺平台，新型存储器eMRAM（嵌入式、磁阻型非易失性存储器）已投入生产。eMRAM属新型存储技术，与当前占据市场主流的DRAM和NAND闪存相比，具有更快的存取速度和更高的耐用性，在边缘设备中具有替代NAND闪存和部分SRAM的潜质。它在22nm工艺下的投产，将加快新型存储技术的应用进程，未来发展前景看好。
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存储 格芯 eMRAM
- 格芯近日宣布基于其22nm FD-SOI(22FDX)平台的嵌入式、磁阻型非易失性存储器(eMRAM)已投入生产。格芯正在接洽多家客户，计划2020年安排多次生产流片。此次公告是一个重要的行业里程碑，表明eMRAM可在物联网(IoT)、通用微控制器、汽车、终端人工智能和其他低功耗应用中作为先进工艺节点的高性价比选择。
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格芯 22FDX平台 eMRAM
- 甫于5/24-25举行的Samsung Foundry Forum Event发布的诸多technology roadmap中有一个乍看下不怎么起眼的消息：三星的28nm FD-SOI(Fully Depleted Silicon on Insulator)制程有RF (射频)与eMRAM (嵌入式磁性随机存取存储器)的选项，其中eMRAM的风险生产(risk production)为2018年;而18nm的FD-SOI制程风险生产将始于2020年，也有RF与eMRAM的选项。
之前于3月于
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eMRAM 晶圆
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