- 近日，应用材料公司推出Applied Producer® eHARP™ 系统，为32纳米及更小工艺节点上关键的STI（浅沟槽隔离）器件结构提供已被生产验证的HARP SACVD®空隙填充技术。eHARP工艺能够提供无孔薄膜，用于填充小于30纳米、长宽比大于12:1的空隙，从而满足先进存储器件和逻辑器件的关键制造要求。该系统拥有多项工艺创新专利，能提供强劲的高密度应力诱导薄膜，帮助推动传统的平坦化和新兴的3-D器件结构向更小的技术节点发展。
应用材料公司副总裁兼电介质系
- 关键字：
应用材料 eHARP 存储 晶圆
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