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cmos-ttl 文章 进入cmos-ttl技术社区

CMOS数字隔离器为智能电表中的应用

  • 未来几年由于消费者对传统机电式电表的更新换代,智能电表市场预计将以每年两位数的速度增长。智能电表使用最新的集成电路(IC)技术进行精确测量并报告消耗的电量,智能电表比机电式电表复杂,但更加注重测量数据的完
  • 关键字: CMOS  数字隔离器  智能电表  中的应用    

单片TTL触摸式开关电路简介

  • 这里只用一片集成电路块T065的触摸式开关。它小巧,功耗较低,适宜给晶体管收音机之类的小电流用电器作无触点开关。下图中为工作原理图。YF3和YF4以及C3、R3组成单稳态触发器。这种电路只有一个稳定状态。外加触发信
  • 关键字: 电路  简介  开关  触摸式  TTL  单片  

CMOS单片集成电路MT8816AE各种相关知识解析方案

  • 1、引言小型会议系统或语音群聊系统是由多路音频电路组成的.为了使通话井然有序,需要通过音频交换电路来控制各路音频信号的输出。音频交换电路主要用于完成语音信号的切换。以实现同频终端的话音通信。经对可靠性、经
  • 关键字: 知识  解析  方案  相关  各种  单片  集成电路  MT8816AE  CMOS  

跟我学:液晶屏的接口形式―LVDS&TTL

  • 液晶屏与驱动板之间有很多种不同的接口形式,其中TTL和LVDS是最常见的。常见的LVDS 接口一般是 20PIN 和30PIN两种,兼容性很强,相应的屏线也容易购买到,且价格低廉,市场上销售的液晶电视改装板也主要是针对LVDS接
  • 关键字: LVDS&TTL  形式  接口  液晶屏  跟我学  

基于CMOS多功能数字芯片的ESD保护电路设计

  • 摘要 基于CSMC 2P2M 0 6mu;m CMOS工艺设计了一种ESD保护电路。整体电路采用Hspice和CSMC 2P2M的0 6mu;m CMOS 工艺的工艺库(06mixddct02 x24)仿真,基于CSMC 2P2M 0 6mu;m CMOS工艺完成版图设计,并在一款多功能故
  • 关键字: ESD  保护  电路设计  芯片  数字  CMOS  多功能  基于  

一种带有增益提高技术的高速CMOS运算放大器设计

  • 摘要:设计了一种用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS运算放大器。主运放采用带开关电容共模反馈的折叠式共源共栅结构,利用增益提高和三支路电流基准技术实现一个可用于12~14bit精度,100MS/s采样频率的高速流
  • 关键字: CMOS  增益提高  运算  放大器设计    

CCD传感器与CMOS传感器区别在哪里

  • CMOS针对CCD最主要的优势就是非常省电,不像由二极管组成的CCD,CMOS 电路几乎没有静态电量消耗,只有在电路接通时才有电量的消耗。这就使得CMOS的耗电量只有普通CCD的1/3左右,这有助于改善人们心目中数码相机是ld
  • 关键字: 传感器  哪里  区别  CMOS  CCD  

CMOS摄像机,什么是CMOS摄像机

  • CMOS传感器的感光度一般在6到15Lux的范围内,CMOS传感器有固定比CCD传感器高10倍的噪音,固定的图案噪音始终停留在屏幕上好像那就是一个图案,因为CMOS传感器在10Lux以下基本没用,因此大量应用的所有摄像机都是用了
  • 关键字: CMOS  摄像机  什么  

CMOS传感器/SDDS,什么是CMOS传感器/SDDS

  • CMOS传感器CMOS传感器是一种通常比CCD传感器低10倍感光度的传感器。光度一般在6到15Lux的范围内,CMOS传感器有固定比CCD传感器高10倍的噪音,固定的图案噪音始终停留在屏幕上好像那就是一个图案,因为CMOS传感器在10
  • 关键字: /SDDS  传感器  CMOS  什么  

利用CMOS功率放大器优化单芯片手机方案

  • 每年生产10多亿部手机的手机市场已成为半导体产业中竞争最激烈的领域。一直有这种说法:诸如砷化镓(GaAs)、横向 ...
  • 关键字: CMOS  功率放大器  单芯片手机  

AMD明年启用28nm CMOS工艺

  •   AMD公司高级副总裁兼首席技术官Mark Papermaster表示,AMD在2013年芯片生产工艺将有重大变化,将完全从现有的SOI制造工艺切换到28nm Bulk CMOS工艺。至于GPU制造,AMD并不打算作出任何改变。目前南方群岛系列GPU,已经采用台积电28nm工艺,而AMD秋季即将推出的海岛系列GPU将继续采用相同工艺,海岛系列GPU已经进入样品试生产阶段,在2012年年底开始生批量生产,在2013年第一季度正式发布。   在评论异构系统架构(HSA)联盟,是否用来应对英特尔和NVIDI
  • 关键字: ARM  CMOS  

CMOS器件抗静电措施的研究

  • 摘要:由于CMOS器件静电损伤90%是延迟失效,对整机应用的可靠性影响太大,因而有必要对CMOS器件进行抗静电措施。本文描述了CMOS器件受静电损伤的机理,从而对设计人员提出了几种在线路设计中如何抗静电,以保护CMOS
  • 关键字: 研究  措施  抗静电  器件  CMOS  

CMOS工艺多功能数字芯片的输出缓冲电路设计

  • 摘要:为了提高数字集成电路芯片的驱动能力,采用优化比例因子的等比缓冲器链方法,通过Hspice软件仿真和版图设计测试,提出了一种基于CSMC 2P2M 0.6mu;m CMOS工艺的输出缓冲电路设计方案。本文完成了系统的电原理
  • 关键字: 输出  缓冲  电路设计  芯片  数字  工艺  多功能  CMOS  

一种新型高速CMOS全差分运算放大器设计

  • 摘要:设计了一种基于流水线模/数转换系统应用的低压高速CMOS全差分运算放大器。该运放采用了折叠式共源共栅放大结构与一种新型连续时间共模反馈电路相结合以达到高速度及较好的稳定性。设计基于SMIC 0.25mu;m CM
  • 关键字: CMOS  全差分  放大器设计  运算    

联电与星国微电子开发TSV技术

  •   联华电子与新加坡科技研究局旗下的微电子研究院今天宣布,将合作进行应用在背面照度式CMOS影像感测器的TSV技术开发,透过这项技术,包括智慧手机、数位相机与个人平板电脑等行动电子产品,里面所采用的数百万像素影像感测器,都可大幅提升产品效能、降低成本、体积减少。   联电指出,市场上对于持续缩小像素,又能兼顾效能的需求,日益增强,带动CMOS影像感测技术兴起,而背面照度式技术则普遍被视为能够让微缩到微米级大小的像素,仍保有优异效能的解决方案。   联电指出,这次专案目标,希望提影像感测器灵敏度,支援更
  • 关键字: 联华  CMOS  微电子  
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