CMOS工艺具有价格便宜、集成度高、功耗低的特点。随着CMOS工艺的发展，器件特征频率大幅提高，采用CMOS工艺实现超高速集成电路成为可能。本文给出了使用CMOS工艺设计的单片集成超高速4：1复接器。
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0.18 CMOS 超高速 复接器
凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出 1.1A 3 端子 LDO LT3080，该器件可以轻松并联以散布热量，并可用单个电阻器调节。这种新型架构稳压器采用电流基准，允许以一小段印刷电路板布线作为镇流器和共用多个稳压器的电流，从而在所有没有散热器的表面贴装系统中实现多重放大线性调节。
LT3080 没有任何折衷地实现了高性能。该器件具有 1.2V 至 40V 的宽输入电压能力，满负载时低压差电压仅为 300mV。输出电压是可调的，具有 0V 至 40V 的
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凌力尔特 LDO LT3080 计量标准仪器 传感器
日前，Sipex公司发布SP6260，一个用来为射频系统供电的低噪LDO，该装置用一个简单的创新电路而不必使用旁路电容，适用于低输出噪声要求的应用，如手机和便携式设备。
SP6260在没有必要的旁路电容时产生最小输出噪声30uvm为(10kHz-100khz)，使其成为对电路板空间的要求最小的LDO稳压器。其最小压差为150mv@ 100mA,关闭电流0.1uA，而静态电流仅为25uA，从而最大化电池寿命。
此外,SP6260还具有出色的70dB的电源抑制比，进而隔绝与其它应用电路间的噪声
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模拟技术 电源技术 Sipex LDO SP6260 电容器
Sipex公司公布SP6260，一个用来为射频系统供电的低噪LDO，该装置用一个简单的创新电路而不必使用旁路电容，适用于低输出噪声要求的应用，如手机和便携式设备。 SP6260在没有必要的旁路电容时产生最小输出噪声30uvm为(10kHz-100khz)，使其成为对电路板空间的要求最小的LDO稳压器。其最小压差为150mv@ 100mA,关闭电流0.1uA，而静态电流仅为25uA，从而最大化电池寿命。 此外,SP6260还具有出色的70dB的电源抑制比，进而隔绝与其它应用电路间的噪声干扰
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模拟技术 电源技术 LDO Sipex 电容器
电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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LDO 美国国家半导体
富士通微电子（上海）有限公司近日宣布，富士通株式会社、富士通微电子美国公司（FMA）以及捷智技术公司的全资子公司捷智半导体公司（Jazz）将合作生产用于RF CMOS设备的片上系统（SoC）产品。根据各方签署的协议备忘录，此次合作旨在使捷智公司一流的RF及混合信号专业技术与富士通处于领先地位的90nm 及65nm生产技术相结合，使两家公司能够为SoC客户提供高性能的客户自有工具（COT）代工服务。此次联合将使富士通能够利用其自身先进的90nm 及65nm低漏电LSI生产工艺，提供给捷智高精度的RF模型
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65nm 90nm CMOS RF 代工 富士通 捷智
近年来，电子产品不断向小型化和便携式方向发展，需要低电压、低功耗的集成电路，以延长电池的使用寿命。CMOS技术可以将包括数字电路和模拟电路的整个系统同时封装和制造在一个芯片上。因此，低电压、低功耗的要求，不仅是对数字集成电路，也同样针对于模拟集成电路。由于数字集成电路工作在开关状态，通过合理减小电路尺寸，不难满足其要求。但是，对于模拟集成电路，由于场效应管的阈值电压(Vth)不随电源电压的降低而成比例地下降，如果采用低电压供电，将使输出范围大大减小，输出电流的信噪比(S/N)减小，共模抑制比(CMRR)降
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CMOS 低电压 电源技术 模拟技术 运算放大器 模拟IC 电源
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LDO 德州仪器
凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出微功率 LDO LT3009，该器件具有仅为 3uA 的超低静态电流。LT3009 还具有仅为 280mV 的低压差，提供高达 20mA 的输出电流，并具有 1.6V 至 20V 的宽 VIN 范围和 0.6V 至 19.5V 的可调输出。在整个电压、负载和温度范围内，输出容限严格调节在
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LDO LT3009 电源技术 凌力尔特 模拟技术
在DC-DC电源管理芯片中，电压的稳定尤为重要，因此需要在芯片内部集成欠压锁定电路来提高电源的可靠性和安全性。对于其它的集成电路，为提高电路的可靠性和稳定性，欠压锁定电路同样十分重要。
传统的欠压锁定电路要求简单、实用，但忽略了欠压锁定电路的功耗，使系统在正常工作时，仍然有较大的静态功耗，这样就降低了电源的效率，并且无效的功耗增加了芯片散热系统的负担，影响系统的稳定性。
基于传统的欠压锁定电路，本文提出一种CMOS工艺下的低压低静态功耗欠压锁定电路，并通过HSPICE仿真。此电
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CMOS 电源技术 模拟技术 锁定电路
目前，传统的电荷耦合设备（CCD）图像传感器技术已不能满足工业及专业图像抓取（image capture）应用的需要。基于标准CMOS技术的新型图像传感器技术以其高度灵活性、出色的静态和动态特性以及在各种系统环境下表现出的易集成性在医用电子产品行业中开创出了一个全新领域，为用户提供了更多选择。 从CCD到CMOS：大势所趋 在过去三十年左右的时间里，CCD技术一直被用于图像转换。CCD是一种成熟的技术，能够在低噪声的前提下提供优质图像，作为电荷耦合器件在像素间完成图像数据的串行传输。为
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CMOS 单片机 嵌入式系统 图形传感器 医疗 医疗电子
过去，由于缺乏低成本系统部件，或因全息多路技术过于复杂以及找不到合适的记录材料，使全息数据存储产品的开发受到限制。现在，已经进入消费类屏幕市场的数字微镜设备以及用于高速机器视觉应用、基于CMOS的有源像素探测器阵列将使这种状况得以改观。举例来说，由于微镜设备可被有效地用作空间光调制器（spatial light modulator），因此高速CMOS成像器可用来读取全息媒体中包含的数字数据。 在传统光学存储设备中，数
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CMOS 成像器 单片机 嵌入式系统 数据检索
摘要: 本文以使用标准CMOS技术和有源像素架构的CMOS有源像素传感器为研究对象。该传感器专为X射线成像系统而设计，具有噪声低和感光度高等特点。这种传感器已使用标准0.35μm技术和8″晶圆得到生产。传感器分辨率为每40 x 40μm2 面积3360 x 3348像素。其对角长度略大于190mm。本文对传感器的图纸设计、拼接图和已得到开发的电子光学性能进行了论述。 &nbs
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CMOS X射线 电源技术 晶圆级 模拟技术 图像传感器 有源像素 其他IC 制程 设备诊断类
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LDO TPS7510x 德州仪器
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