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cmos-ldo 文章 最新资讯

德州仪器发布高精度CMOS电压基准产品系列

  • 日前,德州仪器(TI)宣布推出支持大输出电流的3ppm/℃最大温度漂移、高精度、低成本CMOS电压基准产品系列——REF50xx。该系列产品提供的超高精度与系统性能等级,先前只有成本高昂的掩埋齐纳技术才能提供。虽然REF50xx主要面向新一代工业过程控制,但是也广泛适用于多种应用,其中包括医疗仪器、高精度数据采集以及测试与测量等。     REF50xx具有+/-10mA的大输出电流范围,能够为ADC提供精确的电压基准,而无需额外运放缓冲器。高精度(0.05%最大
  • 关键字: 嵌入式系统  单片机  德州仪器  CMOS  电压基准  嵌入式  

奥地利微电子推出低压差稳压器LDO AS1360

  • 奥地利微电子公司推出了只需极低静态电流的LDO AS1360,进一步扩展了公司的低压差稳压器(LDO)产品列表。该器件可以延长低功耗应用的工作时间,并可采用价格较低廉的小尺寸、1µF陶瓷输出电容。  奥地利微电子公司标准线性事业部市场总监Walter Moshammer表示:“即便采用小电容,AS1360仍可实现最低的静态电流、精密的输出电压容限、低压差以及卓越的动态性能,从而降低了外部元器件成本并延长了电池寿命。这些特性组合极具吸引力,使 AS1360
  • 关键字: 模拟技术  电源技术  奥地利微电子  稳压器  LDO  AS1360  模拟IC  电源  

凌力尔特推出低噪声、低压 1.1A LDO LT1965

  • 凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出具有高功率密度的低噪声、低压 1.1A LDO LT1965。LT1965 在满负载时具有仅为 300mV 的低压差,并具有 1.8V 至 20V 的宽 VIN 能力和 1.2V 至 19.5V 的低可调输出。仅为 40uVRMS 
  • 关键字: 模拟技术  电源技术  凌力尔特  LDO  LT1965  模拟IC  电源  

小型的简单PWM降压控制器可以代替高电流LDO

  • 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
  • 关键字: 安森美半导体  LDO  PWM  

应用指南:带外部旁路控制的智能LDO调节器

  • 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
  • 关键字: 安森美半导体  LDO  MC33565  

富鼎先进推出新款300mA LDO APE8800A

  •     富鼎先进(APEC)推出一款高性能300mA低压降线性稳压器APE8800A。该款芯片具有极低压降(250mV@300mA),极低的静态电流(30uA)、低噪音、高稳定性及高PSRR值(60dB@120Hz)LDO电路,除适用于使用电池电源系统(BatteryPowerSystem)及数码相机(DSC)、LCDModule、卡片阅读机(CardReader)、个人数字处理机(PDA)、通讯产品和无线装置的产品(WirelessDevice),也可广泛应用于一般电子产品
  • 关键字: 模拟技术  电源技术  富鼎  300mA  LDO  APE8800A  

Vishay推出两种新系列4Ω四通道SPST CMOS模拟开关

  •   日前,Vishay Intertechnology宣布推出两种新系列四通道 SPST CMOS 模拟开关,这些器件将高开关速度与高信号带宽进行了完美结合,可用于众多开关应用,其中包括音频、视频、数据及电源。   Vishay Siliconix DG451 及 DG454 系列器件具有四个可独立选择的 44V SPST 开关,每个均具有 4Ω 的典型导通电阻及 0.2Ω 的典型平坦度,这两个参数是低失真音频信号开关的理想参数。   所有这些器件均可与 Vishay Siliconix DG411、
  • 关键字: Vishay  SPST  CMOS  开关  

超高速0.18μm CMOS复接器集成电路设计

  • CMOS工艺具有价格便宜、集成度高、功耗低的特点。随着CMOS工艺的发展,器件特征频率大幅提高,采用CMOS工艺实现超高速集成电路成为可能。本文给出了使用CMOS工艺设计的单片集成超高速4:1复接器。
  • 关键字: 0.18  CMOS  超高速  复接器    

凌力尔特推出 1.1A 3 端子 LDO LT3080

  •   凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出 1.1A 3 端子 LDO LT3080,该器件可以轻松并联以散布热量,并可用单个电阻器调节。这种新型架构稳压器采用电流基准,允许以一小段印刷电路板布线作为镇流器和共用多个稳压器的电流,从而在所有没有散热器的表面贴装系统中实现多重放大线性调节。   LT3080 没有任何折衷地实现了高性能。该器件具有 1.2V 至 40V 的宽输入电压能力,满负载时低压差电压仅为 300mV。输出电压是可调的,具有 0V 至 40V 的
  • 关键字: 凌力尔特  LDO  LT3080  计量标准仪器  传感器  

Sipex发布创新的无旁路电容低噪LDO-SP6260

  •   日前,Sipex公司发布SP6260,一个用来为射频系统供电的低噪LDO,该装置用一个简单的创新电路而不必使用旁路电容,适用于低输出噪声要求的应用,如手机和便携式设备。   SP6260在没有必要的旁路电容时产生最小输出噪声30uvm为(10kHz-100khz),使其成为对电路板空间的要求最小的LDO稳压器。其最小压差为150mv@ 100mA,关闭电流0.1uA,而静态电流仅为25uA,从而最大化电池寿命。   此外,SP6260还具有出色的70dB的电源抑制比,进而隔绝与其它应用电路间的噪声
  • 关键字: 模拟技术  电源技术  Sipex  LDO  SP6260  电容器  

Sipex发布新型无旁路电容低噪LDO

  • Sipex公司公布SP6260,一个用来为射频系统供电的低噪LDO,该装置用一个简单的创新电路而不必使用旁路电容,适用于低输出噪声要求的应用,如手机和便携式设备。   SP6260在没有必要的旁路电容时产生最小输出噪声30uvm为(10kHz-100khz),使其成为对电路板空间的要求最小的LDO稳压器。其最小压差为150mv@ 100mA,关闭电流0.1uA,而静态电流仅为25uA,从而最大化电池寿命。   此外,SP6260还具有出色的70dB的电源抑制比,进而隔绝与其它应用电路间的噪声干扰
  • 关键字: 模拟技术  电源技术  LDO  Sipex  电容器  

面向高要求应用的先进技术和新型LDO功能

  • 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
  • 关键字: LDO  美国国家半导体  

富士通与捷智为90nm和65nm RF CMOS代工客户提供全套解决方案

  •   富士通微电子(上海)有限公司近日宣布,富士通株式会社、富士通微电子美国公司(FMA)以及捷智技术公司的全资子公司捷智半导体公司(Jazz)将合作生产用于RF CMOS设备的片上系统(SoC)产品。根据各方签署的协议备忘录,此次合作旨在使捷智公司一流的RF及混合信号专业技术与富士通处于领先地位的90nm 及65nm生产技术相结合,使两家公司能够为SoC客户提供高性能的客户自有工具(COT)代工服务。此次联合将使富士通能够利用其自身先进的90nm 及65nm低漏电LSI生产工艺,提供给捷智高精度的RF模型
  • 关键字: 65nm  90nm  CMOS  RF  代工  富士通  捷智  

低电压CMOS运算放大器输入级的研究

  • 近年来,电子产品不断向小型化和便携式方向发展,需要低电压、低功耗的集成电路,以延长电池的使用寿命。CMOS技术可以将包括数字电路和模拟电路的整个系统同时封装和制造在一个芯片上。因此,低电压、低功耗的要求,不仅是对数字集成电路,也同样针对于模拟集成电路。由于数字集成电路工作在开关状态,通过合理减小电路尺寸,不难满足其要求。但是,对于模拟集成电路,由于场效应管的阈值电压(Vth)不随电源电压的降低而成比例地下降,如果采用低电压供电,将使输出范围大大减小,输出电流的信噪比(S/N)减小,共模抑制比(CMRR)降
  • 关键字: CMOS  低电压  电源技术  模拟技术  运算放大器  模拟IC  电源  

高效电荷泵,将5V电压转换为3.3V

  • 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
  • 关键字: MaximIntegratedProducts  LDO  
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