日前,瑞典皇家科学院宣布,博伊尔和史密斯因发明了CCD图像传感器而与高锟分享了2009年的诺贝尔物理学奖。CCD图像传感器如今已经大规模应用于数码相机、手机、摄像机、扫描仪、工业领域以及医学设备中,年出货量在亿颗以上。不过,随着照相手机市场的大规模增长,八十年代开始出现的CMOS图像传感器的出货量在2004年超越了CCD,并开始逐步蚕食数码相机等CCD传统应用市场。
图像传感器领域的这一变化只是传感器技术变化的一个缩影。传感器技术的最大特点就是不断引入多学科的新技术发展新功能,现在,随着电子、M
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传感器 CMOS
Micrel公司是全球模拟、高带宽通信和以太网集成电路解决方案的行业领导者,该公司于2008年推出了业界第一款汽车级应用的120V LDO——MAQ5280。
MAQ5280的结构及特征
MAQ5280内部结构主要由两部分组成,如下所示:
输入电压比较低的LDO结构如上图的Post Regulator,输出电压经过运放采样后,来控制P型晶体管的导通程度,从而达到稳定输出电压的目的。
MAQ5280能够承受的输入电压高至120V,所以需要在Post R
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Micrel LDO
摘要:此振荡器专门针对恒压恒流(CV-CC)控制、频率抖动(Frequency Shuffling)技术。采用电流模脉宽调制控制方案的电池充电芯片设计,锯齿波信号的线性度较好,当负载电路减小时,自动进入Burst Mode状态提高系统的效
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控制器 振荡器 电路 DC AC CMOS 绿色 模式 一种
摩尔定律在自1965年发明以来的45年中,一直引领着世界半导体产业向实现更低的成本、更大的市场、更高的经济效益前进。然而,随着半导体技术逐渐逼近硅工艺尺寸极限,摩尔定律原导出的“IC的集成度约每隔18个月翻一倍,而性能也将提升一倍”的规律将不再适用。为此,国际半导体技术路线图组织(ITRS)在2005年的技术路线图中,即提出了“后摩尔定律”的概念。近年的技术路线图更清晰地展现了这种摩尔定律与“后摩尔定律”相结合的发展趋势,并认为&
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摩尔定律 MEMS CMOS
赛普拉斯公司日前宣布,推出一款用于高端机器视觉市场的高敏感度、高速CMOS图像传感器。全新的250万像素VITA25K传感器拥有市场上单器件最大的数据吞吐能力,并带有流水线和触发式全域快门。该传感器具有32个10-bit数字低压差分信号(LVDS)输出,可以允许图像数据通过标准的工业协议进行低功耗、低噪声传输。每个通道以620Mbps的速率运行,从而实现53帧每秒(fps)的无畸变高帧频和快速读出。VITA25K是高端机器视觉应用的理想选择,适用于检验机、生物检测(如下一代掌纹读取仪)以及智能交通系统
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Cypress 图像传感器 CMOS
瑞萨电子开发出了一种新型SRAM电路技术,可克服因微细化而增加的CMOS元件特性不均现象,还能在维持速度的同时,以更小的面积实现合适的工作裕度。以上内容是在半导体电路技术相关国际会议“2010 Symposium on VLSI Circuits”上发布的(论文序号:10.2)。作为40nm工艺的产品,该公司试制出了bit密度达到业界最高水平的SRAM,并确认了其工作性能。主要用于实现40nm工艺以后SoC(system on a chip)的低成本化及低功耗化。
在So
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瑞萨电子 SRAM CMOS
接地电流或静态电流 (IGND 或 IQ)、电源波纹抑止比 (PSRR)、噪声与封装大小通常是为便携式应用决定最佳LDO选择的要素。在选择低压降线性调节器(LDO) 时,需要考虑的基本问题包括输入电压范围、预期输出电压、负载电
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LDO 选择 如何 应用 便携
1. 输入输出电压差输入输出电压差是低压差线性稳压器最重要的参数。在保证输出电压稳定的前提下,该电压差越低,线性稳压器的性能越好。比如,5.0V的低压差线性稳压器,只要输入5.5V,就能使输出电压稳定在5.0V。2.
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应用 原则 选用 LDO
低压差线性稳压器(LDO)的基本电路如图1-1 所示,该电路由串联调整管VT、取样电阻R1 和R2、比较放大器A 组成。图1-1 低压差线性稳压器基本电路 取样电压加在比较器A的同相输入端,与加在反相输入端的基准电压Uref 相
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原理 基本 LDO
全球领先的芯片制造协会SEMATECH和先进无线芯片供应商Qualcomm宣布Qualcomm已与SEMATECH签署了合作协议,共同推进CMOS技术进一步发展。Qualcomm是第一家进入SEMATECH的芯片设计公司,Qualcomm将深入参与和SEMATECH的研发项目,共同探索延续摩尔定律的新技术。
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Qualcomm CMOS 芯片设计
本文的低压低功耗 CFOA,它在只需1V 电源电压情况下,仅产生0.7mW 功耗,84.2dB 的开环增益,62°的相位裕度,高达138dB 的共模抑制比, -0.85V~0.97V 的输出电压范围
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CMOS 0.5 um 电流反馈
用来计算TTL集电极开路输出电路静态功耗的公式如下:其中:VT=上拉电阻的有效端接电压 R=端接电阻的有效值 VHI=高电平输出(通常等于VT) VLO=低电平输出 VEE=输出晶体管的射极(或源极
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CMOS TTL 集电极开路 功耗
引言 本文采用±5V电源,设计出了一种以模拟乘法器为核心电路的输出信号与控制电压成高线性度的电路,并且实现了单端控制和单端输出。它在锁相环、自动增益控制、正弦脉宽调制(SPWM)、模拟运算等方面有着很好的使用
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CMOS 高线性度 调幅 电路技术
CMOS双向开关也称CMOS传输门。CMOS双向开关在模拟电路和数字电路应用非常广泛。集成电路CMOS双向开关产品有CC4066/4051/4052/4053等,性能优良,使用方便且成本低。每个开关只有一个控制端和两互为输入/输出信号端,
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CMOS 开关 工作原理
电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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PA 砷化镓 CMOS 单芯片手机 SiCMOS
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