LDO的种类 LDO是新一代的集成电路稳压器，它与三端稳压器最大的不同点在于，LDO是一个自耗很低的微型片上系统(SoC)。 LDO按其静态耗流来分，分为OmniPowerTM / MicroPowerTM / NanoPowerTM三种产品。 Omn
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应用 结构 原理 LDO
据路透社援引俄罗斯当地报纸的一则报道称，俄罗斯一家名为Sistema的公司最近呼吁俄罗斯当局禁止其对手厂商生产的同类IC芯片产品进口到俄罗斯市场。Sistema目前与意法半导体公司有合作关系，双方正在合作生产90nm制程的电视，GPS,手机，电子护照等产品用的IC芯片。这家公司的国企背景深厚，着名的俄罗斯国有半导体企业俄罗斯纳米技术集团(Rusnano)便是这家公司的大后台之一，目前Rusnano正在全力支持在俄罗斯国内架设一条90nm制程CMOS产线的项目。据《俄罗斯日报》报道，俄罗斯总理普京9月2
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IC芯片 90nm CMOS
O 引言 电路中的功率消耗源主要有以下几种：由逻辑转换引起的逻辑门对负载电容充、放电引起的功率消耗;由逻辑门中瞬时短路电流引起的功率消耗;由器件的漏电流引起的消耗，并且每引进一次新的制造技术会导致漏
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CMOS 单相 乘法器 能量 能量回收
佳能今天展示了全球最高像素值的CMOS传感器：1.2亿像素的APS-H尺寸产品，它比目前旗舰单反EOS 1D Mark IV的影像传感器还大7.5倍，可拍摄全幅13280x9184图像，并可实现9.5FPS的连拍和1080p视频的录制(仅需要用到1/60的有效像素)。这款变态级别的传感器目前似乎还没有应用到任何产品的计划，之前，佳能在2007年展示了5000万像素的传感器样本。
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佳能 CMOS 传感器
CMOS数字集成电路具有输入阻抗高、低功耗、电源电压范围广以及输出电压摆帐大等优点。除了在数字化装置中广泛应用外，亦可用于线性电路，发挥它低功耗的特点。
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CMOS 门电路 放大电路图 微功耗
日前，瑞典皇家科学院宣布，博伊尔和史密斯因发明了CCD图像传感器而与高锟分享了2009年的诺贝尔物理学奖。CCD图像传感器如今已经大规模应用于数码相机、手机、摄像机、扫描仪、工业领域以及医学设备中，年出货量在亿颗以上。不过，随着照相手机市场的大规模增长，八十年代开始出现的CMOS图像传感器的出货量在2004年超越了CCD，并开始逐步蚕食数码相机等CCD传统应用市场。
图像传感器领域的这一变化只是传感器技术变化的一个缩影。传感器技术的最大特点就是不断引入多学科的新技术发展新功能，现在，随着电子、M
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传感器 CMOS
Micrel公司是全球模拟、高带宽通信和以太网集成电路解决方案的行业领导者，该公司于2008年推出了业界第一款汽车级应用的120V LDO——MAQ5280。
MAQ5280的结构及特征
MAQ5280内部结构主要由两部分组成，如下所示：
输入电压比较低的LDO结构如上图的Post Regulator，输出电压经过运放采样后，来控制P型晶体管的导通程度，从而达到稳定输出电压的目的。
MAQ5280能够承受的输入电压高至120V，所以需要在Post R
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Micrel LDO
摘要：此振荡器专门针对恒压恒流(CV-CC)控制、频率抖动(Frequency Shuffling)技术。采用电流模脉宽调制控制方案的电池充电芯片设计，锯齿波信号的线性度较好，当负载电路减小时，自动进入Burst Mode状态提高系统的效
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控制器 振荡器 电路 DC AC CMOS 绿色 模式 一种
摩尔定律在自1965年发明以来的45年中，一直引领着世界半导体产业向实现更低的成本、更大的市场、更高的经济效益前进。然而，随着半导体技术逐渐逼近硅工艺尺寸极限，摩尔定律原导出的“IC的集成度约每隔18个月翻一倍，而性能也将提升一倍”的规律将不再适用。为此，国际半导体技术路线图组织(ITRS)在2005年的技术路线图中，即提出了“后摩尔定律”的概念。近年的技术路线图更清晰地展现了这种摩尔定律与“后摩尔定律”相结合的发展趋势，并认为&
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摩尔定律 MEMS CMOS
赛普拉斯公司日前宣布，推出一款用于高端机器视觉市场的高敏感度、高速CMOS图像传感器。全新的250万像素VITA25K传感器拥有市场上单器件最大的数据吞吐能力，并带有流水线和触发式全域快门。该传感器具有32个10-bit数字低压差分信号(LVDS)输出，可以允许图像数据通过标准的工业协议进行低功耗、低噪声传输。每个通道以620Mbps的速率运行，从而实现53帧每秒(fps)的无畸变高帧频和快速读出。VITA25K是高端机器视觉应用的理想选择，适用于检验机、生物检测(如下一代掌纹读取仪)以及智能交通系统
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Cypress 图像传感器 CMOS
瑞萨电子开发出了一种新型SRAM电路技术，可克服因微细化而增加的CMOS元件特性不均现象，还能在维持速度的同时，以更小的面积实现合适的工作裕度。以上内容是在半导体电路技术相关国际会议“2010 Symposium on VLSI Circuits”上发布的(论文序号：10.2)。作为40nm工艺的产品，该公司试制出了bit密度达到业界最高水平的SRAM，并确认了其工作性能。主要用于实现40nm工艺以后SoC(system on a chip)的低成本化及低功耗化。
在So
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瑞萨电子 SRAM CMOS
接地电流或静态电流 （IGND 或 IQ）、电源波纹抑止比 (PSRR)、噪声与封装大小通常是为便携式应用决定最佳LDO选择的要素。在选择低压降线性调节器(LDO) 时，需要考虑的基本问题包括输入电压范围、预期输出电压、负载电
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LDO 选择 如何 应用 便携
1. 输入输出电压差输入输出电压差是低压差线性稳压器最重要的参数。在保证输出电压稳定的前提下，该电压差越低，线性稳压器的性能越好。比如，5.0V的低压差线性稳压器，只要输入5.5V，就能使输出电压稳定在5.0V。2.
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应用 原则 选用 LDO
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