1 引言 锂电池产品以高能量密度、长循环寿命、快速充放电、高电池电压、工作温度范围广、无记忆等优异特性占据了市场很大份额。然而，锂电池产品在充放电过程中的过充电、过放电、放电过电流及其它异常状态(例如
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保护 电路设计 电池 聚合物 CMOS 工艺 基于
为数亿部数码相机提供SOC解决方案的全球领先供应商卓然公司﹝纳斯达克证券交易所代码：ZRAN﹞日前宣布，其高度集成的COACH 14数码相机处理器平台可用于3D、全高清视频、混合型及单电数码相机。
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卓然 CMOS COACH 14
手机高级功率放大器解决方案的新领军人 Amalfi Semiconductor日前宣布推出前端 GSM/GPRS 蜂窝手机用 CMOS 发射模块，该模块是世界上最经济的高性能模块。利用体效应互补金属氧化物半导体工艺自身的可扩展性，AdaptiveRF 体系结构可融合高度集成的派生功能，包括交换机和复合滤波器，可不断大幅降低前端产品的成本、体积和功耗。
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Amalfi CMOS
LDO是一种微功耗的低压差线性稳压器，它具有极低的自有噪声和较高的电源抑制比(PSRR)。SGM2007高性能低压差线...
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LDO PSRR RF电路
CCD和CMOS是当前主要的两项成像技术，它们产生于不同的制造工艺背景，就当前技术言仍各具优劣。选择CCD或CMOS摄像机应依据适用环境和要求，合适选用CCD或CMOS技术，便能使图像监控达到预期的效果。另外，还可看到，C
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分析 技术 主要 CMOS CCD
摘要：利用共源共栅电感可以提高共源共栅结构功率放大器的效率。这里提出一种采用共源共栅电感提高效率的5.25GHzWLAN的功率放大器的设计方案，使用CMOS工艺设计了两级全差分放大电路，在此基础上设计输入输出匹配网络
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CMOS 共源共栅 功率放大器 方案
摘要：传统基准电路主要采用带隙基准方案，利用二级管PN结具有负温度系数的正向电压和具有正温度系数的VBE电压得出具有零温度系数的基准。针对BJT不能与标准的CMOS工艺兼容的缺陷，利用NMOS和PMOS管的两个阈值电压VT
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CMOS VTH 电压基准
摘要：文章基于CMOS 0．18mu;m工艺，在Hspice下，对四利PMOS管基准电压源进行了分析和仿真，文中给出了每种电路仿真时的电路参数和仿真结果。
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仿真 分析 电压 基准 CMOS
在系统中，微控制器必须与在不同的电源电压运作外围设备进行通信。这种设计思路，介绍了如何为低功率负载，一个...
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绿色 LED LDO 稳压器
艾克赛利(Accelicon)，器件级建模验证以及PDK解决方案的技术领导者，宣布将出席于2011年10月3日到6日在美国亚利桑那州Tempe市举办的IEEE国际绝缘体上硅大会(2011 IEEE International SOI Conference)，并在会上介绍业内最新BSIM-IMG模型的应用情况。
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艾克赛利 CMOS
摘要：片上系统射频功率放大器是射频前端的重要单元。通过分析和对比各类功率放大器的特点，电路采用SMIC0．35-mu;mCMOS工艺设计2．4 GHz WLAN全集成线性功率放大器。论文中设计的功率放大器采用不同结构的两级放大
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4GHz CMOS 35 集成
图1中电路会根据一个脉冲，切换一个DPDT（双刀双掷）锁存继电器的状态。它包括一个瞬动开关至步进电压信号发生器，一个差分脉冲转换器，一个继电器驱动器，以及一个继电器线圈。 瞬动开关提供驱动电路的步进电压信
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研究 电路 CMOS 继电器
1 引言 随着集成电路规模的发展， 电子设备的体积、重量和功耗越来越小， 这对电源电路的集成化、小型化及电源管理性能提出了越来越高的要求。而随着片上系统（ SOC） 的不断发展， 单片集成的LDO 线性稳压器的应
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稳压 电路设计 线性 LDO 宽频 功耗
我们发现日益改进的静电学及晶体管传输有助于形成一种成熟的方法，这种方法能够降低有源和待机功耗。要做到这一点，新型晶体管结构和材料拓展了性能?功耗设计空间，使之超跃了传统的本体硅晶体管。最终，通过构成一个由多层系统-电路-器件电源管理生态系统构成的底层，晶体管的创新将会继续在定义下一代提高功效的策略时发挥关键作用。
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CMOS 器件 功效 功率 提高 MOSFET 方案 非传统
摘要：设计了一种用HHNEC 0.35mu;mBCD 工艺实现的LDO 线性稳压器， 该LDO 是一款低功耗，带宽大的低压差线性稳压器。对其结构和工作原理进行分析， 讨论了关键电路的设计， 模拟结果验证了设计的正确性。 1 引
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稳压 电路设计 线性 LDO 宽频 功耗
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