- 日本知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都)开发出实现了业界最小※的待机电流6μA的、耐压达50V的车载用LDO稳压器“BD7xxL2EFJ-C系列”。
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罗姆 LDO 稳压器
- 未来几年由于消费者对传统机电式电表的更新换代，智能电表市场预计将以每年两位数的速度增长。智能电表使用最新的集成电路(IC)技术进行精确测量并报告消耗的电量，智能电表比机电式电表复杂，但更加注重测量数据的完
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CMOS 数字隔离器 智能电表 中的应用
- 应当可以这样理解：DC-DC的意思是直流变（到）直流（不同直流电源值的转换），只要符合这个定义都可以叫DC-DC转换器...
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LDO DC-DC
- LDO的种类 LDO是新一代的集成电路稳压器，它与三端稳压器最大的不同点在于，LDO是一个自耗很低的微型片上系统(SoC)。 LDO按其静态耗流来分，分为OmniPowerTM / MicroPowerTM / NanoPowerTM三种产品。 Omn
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简介 应用 结构 原理 LDO
- 1、引言小型会议系统或语音群聊系统是由多路音频电路组成的.为了使通话井然有序,需要通过音频交换电路来控制各路音频信号的输出。音频交换电路主要用于完成语音信号的切换。以实现同频终端的话音通信。经对可靠性、经
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知识 解析 方案 相关 各种 单片 集成电路 MT8816AE CMOS
- 电子应用设计人员现今面临的一项极重要挑战是将电子系统能耗降至最低。为了达到此目的，大多数系统利用不同的低功率模式，帮助降低整体功耗。在利用不同工作模式时，系统供电电流差异极大，低者如休眠模式下仅为数微安(μA)或不足1微安，高者如完整功率模式下达数十毫安(mA)甚至数百毫安。
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安森美 稳压器 LDO
- 摘要 基于CSMC 2P2M 0 6mu;m CMOS工艺设计了一种ESD保护电路。整体电路采用Hspice和CSMC 2P2M的0 6mu;m CMOS 工艺的工艺库(06mixddct02 x24)仿真，基于CSMC 2P2M 0 6mu;m CMOS工艺完成版图设计，并在一款多功能故
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ESD 保护 电路设计 芯片 数字 CMOS 多功能 基于
- 摘要：设计了一种用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS运算放大器。主运放采用带开关电容共模反馈的折叠式共源共栅结构，利用增益提高和三支路电流基准技术实现一个可用于12～14bit精度，100MS／s采样频率的高速流
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CMOS 增益提高 运算 放大器设计
- CMOS针对CCD最主要的优势就是非常省电，不像由二极管组成的CCD，CMOS 电路几乎没有静态电量消耗，只有在电路接通时才有电量的消耗。这就使得CMOS的耗电量只有普通CCD的1/3左右，这有助于改善人们心目中数码相机是ld
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传感器 哪里 区别 CMOS CCD
- CMOS传感器的感光度一般在6到15Lux的范围内，CMOS传感器有固定比CCD传感器高10倍的噪音，固定的图案噪音始终停留在屏幕上好像那就是一个图案，因为CMOS传感器在10Lux以下基本没用，因此大量应用的所有摄像机都是用了
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CMOS 摄像机 什么
- CMOS传感器CMOS传感器是一种通常比CCD传感器低10倍感光度的传感器。光度一般在6到15Lux的范围内，CMOS传感器有固定比CCD传感器高10倍的噪音，固定的图案噪音始终停留在屏幕上好像那就是一个图案，因为CMOS传感器在10
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/SDDS 传感器 CMOS 什么
- 每年生产10多亿部手机的手机市场已成为半导体产业中竞争最激烈的领域。一直有这种说法：诸如砷化镓（GaAs）、横向 ...
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CMOS 功率放大器 单芯片手机
- AMD公司高级副总裁兼首席技术官Mark Papermaster表示，AMD在2013年芯片生产工艺将有重大变化，将完全从现有的SOI制造工艺切换到28nm Bulk CMOS工艺。至于GPU制造，AMD并不打算作出任何改变。目前南方群岛系列GPU，已经采用台积电28nm工艺，而AMD秋季即将推出的海岛系列GPU将继续采用相同工艺，海岛系列GPU已经进入样品试生产阶段，在2012年年底开始生批量生产，在2013年第一季度正式发布。
在评论异构系统架构(HSA)联盟，是否用来应对英特尔和NVIDI
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ARM CMOS
- 摘要：由于CMOS器件静电损伤90％是延迟失效，对整机应用的可靠性影响太大，因而有必要对CMOS器件进行抗静电措施。本文描述了CMOS器件受静电损伤的机理，从而对设计人员提出了几种在线路设计中如何抗静电，以保护CMOS
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研究 措施 抗静电 器件 CMOS
- 摘要：为了提高数字集成电路芯片的驱动能力，采用优化比例因子的等比缓冲器链方法，通过Hspice软件仿真和版图设计测试，提出了一种基于CSMC 2P2M 0．6mu;m CMOS工艺的输出缓冲电路设计方案。本文完成了系统的电原理
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输出 缓冲 电路设计 芯片 数字 工艺 多功能 CMOS
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