- 从3月23日开始，三星出货4Gb容量的LPDDR2 RAM，该芯片为30纳米制程，采用该芯片的设备主要为手机和平板电脑，有望带来手机和平板运行速度上的提升。
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三星 RAM
- 针对显示信息在垂直循环显示时存储器的使用效率低、存储器占用量大等问题，基于双RAM思想，用静态显示数据组织方式来组织动态显示数据，达到降低存储器占用率的目的。将组织好的数据按奇偶规则存放在一块带有SPI接口的串行Flash中，并使用高速单片机VRS51L3 074控制数据输出显示。
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控制系统 设计 显示屏 LED 技术 RAM
- 摘要：为了实现多光谱可见光遥感图像高质量压缩的要求，提出以JPEG2000压缩标准为理论，将FPGA与专用压缩芯片ADV212相结 合的空间遥感图像压缩方法。该系统设计采用ADV212，通过小波变换及熵编码实现对大数据量的空间
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RAM FPGA AD
- 世界领先的低功耗铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation (简称Ramtron) 和全球领先的高性能模拟IC设计商与生产商奥地利微电子公司(austriamicrosystems)宣布提供用于评测第三代数据丰富自动识别应用的MaxArias无线存储器套件。Ramtron的MaxArias无线存储器评测套件在德国慕尼黑electronica 2010展会上首次展出。
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Ramtron F-RAM RFID
- 为何电子式电能表需要使用铁电存储器(F-RAM), 自从1889年匈牙利工程师 Otto Blathy 发明全世界第一个电能表 (瓦特瓦时表)原型之后，电能表经过一个世纪多的演进：由机械式电表到今日的各种不同型式的电子电能表，包含新的预付费电能表 (pre-paid) 复费率电能
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存储器 F-RAM 使用 需要 电子 电能表 为何
- 在各种单片机应用系统中，存储器的正常与否直接关系到该系统的正常工作。为了提高系统的可靠性，对系统的可靠性进行测试是十分必要的。通过测试可以有效地发现并解决因存储器发生故障对系统带来的破坏问题。本文针对
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RAM 单片机系统 测试方法
- 高阶智能型手机和平板计算机应用逐渐侵蚀笔记型计算机(NB)市场，全球存储器大厂包括三星电子(Samsung Electronics)、尔必达(Elpida)、美光(Micron)纷重兵部署Mobile RAM市场，由于生产标准型DRAM利润减少，国际存储器大厂持续将产能移往Mobile RAM产品。台系DRAM厂加入Mobile RAM战局时间点较晚，其中，南亚科Mobile RAM已送客户认证，预计2011年第1季放量，茂德2011年亦将在尔必达授权下加入战局，而华邦Mobile RAM更是目前营运
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三星电子 存储器 RAM
- 高阶智能型手机和平板计算机应用逐渐侵蚀笔记型计算机(NB)市场，全球存储器大厂包括三星电子(Samsung Electronics)、尔必达(Elpida)、美光(Micron)纷重兵部署Mobile RAM市场，由于生产标准型DRAM利润减少，国际存储器大厂持续将产能移往Mobile RAM产品。台系DRAM厂加入Mobile RAM战局时间点较晚，其中，南亚科Mobile RAM已送客户认证，预计2011年第1季放量，茂德2011年亦将在尔必达授权下加入战局，而华邦Mobile RAM更是目前营运
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三星电子 RAM 智能手机
- 在众多组合导般系统中，INS/GPS组合导航系统更是发展迅速，在军用和民用领域均已获得广泛应用，而且愈来愈受到重视。就INS/GPS组合导航系统而言，除了要完成大量的导航解算工作外，还要完成控制、人机接口、与外
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组合 导航 系统 INS/GPS CY7C028 RAM 芯片 双口
- 摘要：为了解决PCI9052和双口RAM之间读写时序不匹配的问题，本设计采用可编程器件来实现它们之间的接口电路。此电路可以使系统更加紧凑。核心逻辑部分采用有限状态机实现，使控制逻辑直观简单，提高了设计效率。
通
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FPGA PCI9 RAM PCI
- 双端口RAM的并口设计应用,摘要：IDT7132/IDT7142是一种高速2k×8双端口静态RAM,它拥有两套完全独立的数据、地址和读写控制线。文中分析了双端口RAM（DPRAM）的设计方案。并以IDT7132/7142为例介绍了双端口RAM的时序、竞争和并行通讯接口设计以
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应用 设计 并口 RAM 双端口
- 引言
高性能和环保是当前技术创新的两大要求。二者共同推动半导体元器件的发展，同时也为全球众多企业和消费者所耳熟能详。
若系统设计需要采用半导体存储器技术，工程师有(但不限于)以下选择：电池备份静态随机存储器(battery backed static random access memory, BBSRAM);非易失性SRAM;铁电随机存取存储器(F-RAM);以及其它noVRAM技术。在从工厂自动化和电信到计量和医疗技术的每一种应用中，要确定最适合的存储器选择，是一项重要的设计考虑事项。
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Ramtron F-RAM BBSRAM
- MAXQ8913及其它MAXQ®微控制器采用的Harvard存储器映射架构为用户提供了极大的灵活性，可根据需要将不同的物理内存(例如数据SRAM)映射为程序或数据内存空间。在特定环境下，从数据SRAM执行一个程序的部分代码能够
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MAXQ 8913 RAM 微控制器
- 基于0.13微米CMOS工艺下平台式FPGA中可重构RAM模块的一种设计方法,1. 引言
对于需要大的片上存储器的各种不同的应用，FPGA 需要提供可重构且可串联的存储器阵列。通过不同的配置选择，嵌入式存储器阵列可以被合并从而达到位宽或字深的扩展并且可以作为单端口，双端口
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RAM 重构 模块 设计 方法 FPGA 平台 0.13 微米 CMOS 工艺
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