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三星主导垂直芯片研发：目标将HBM的 I/O 提升10倍、带宽提升 4 倍

  • 尽管 JEDEC 计划放宽 HBM 高度限制，将 HBM4 的上限从 775 微米上调至约 900 微米，行业仍在持续寻求突破传统 HBM 架构的结构瓶颈。据《ET News》报道，三星电子未来技术研究项目下一项基于垂直芯片（Vertical Die） 的先进封装研发已取得实质性进展。值得关注的是，该方案据称可将I/O 密度提升最高 10 倍、带宽提升约 4 倍。报道称，该项目由韩国科学技术院（KAIST）权志旼教授担任首席研究员，已取得重要学术里程碑：一篇关于 Vertical Die 架构的论文已被
  • 关键字： 三星  垂直芯片  Vertical Die  HBM  I/O  带宽  

MVA（Multi-domain Vertical Alignment）广视角技术的原理分析

  • 顾名思义，MVA（Multi-domain Vertical Alignment）模式的液晶显示器，其液晶分子长轴在未加电时不像TN模式那样平行於萤幕，而是垂直於萤幕，并且每个图元都是由多个这种垂直取向的液晶分子畴组成。当电压加到液晶上
  • 关键字： 技术  原理  分析  视角  Alignment  Multi-domain  Vertical  
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