- 英特尔公司和美光科技公司日前宣布推出全球首款20纳米制程128 Gb多层单元(MLC)NAND设备，在NAND闪存技术领域树立了新的标杆。两家公司还宣布开始量产其20纳米制程64Gb NAND闪存，进一步扩展了双方在NAND制程工艺技术领域的领导地位。
单片容量达128Gb的全新20纳米制程NAND设备是由英特尔与美光的合资企业——IM Flash Technologies(IMFT)开发而成，它也是业内首款通过在指尖大小的封装中仅集成8块芯片来实现1Tb数据存储容量的N
- 关键字：
英特尔 NAND闪存技术
nand闪存技术介绍
您好，目前还没有人创建词条nand闪存技术!
欢迎您创建该词条，阐述对nand闪存技术的理解，并与今后在此搜索nand闪存技术的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
