- 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”，该模型提升了收敛性和仿真速度。功率半导体的损耗对系统整体效率有重大影响，因此在设计阶段的仿真验证中，模型的精度至关重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1（L1）”，通过提高每种特性的复现性，满足了高精度仿真的需求。然而另一方面，该模型存在仿真收敛性问题和运算时间较长等问题，亟待改进。新模型“ROHM Level 3（L3）”通过采用简化的模型
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ROHM SPICE模型 ROHM Level 3 SiC MOSFET模型
- 在设计功率转换器时，可以使用仿真模型在多个设计维度之间进行权衡。使用有源器件的简易开关模型可以进行快速仿真，带来更多的工程洞见。然而，与制造商精细的器件模型相比，这种简易的器件模型无法在设计中提供与之相匹敌的可信度。本文探讨了功率转换器设计人员该如何结合使用系统级模型和精细模型，探索设计空间，并带来高可信度结果。本文使用MathWorks的系统级建模工具Simulink® 和 Simscape™，以及精细的英飞凌车规级MOSFET SPICE子电路），对该过程进行示范性展示。 引言在开发功率转换
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英飞凌 高可信度 MOSFET模型 基于模型 功率转换器设计
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