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用于相变存储器的GeSbTe MOCVD共形淀积

  • 为了达到PCM改进高性能/高密度发展进程中的下一个里程碑，正在采用的一个途径是在截面尺寸10-100nm的高深宽比 ...
  • 关键字： 相变  存储器  GeSbTe  MOCVD  
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