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用脉冲应力重新定义先进 CMOS 的可靠性测试

• 本文通过引入脉冲应力与电荷泵技术，解决了传统直流方法在先进 CMOS 及高K材料可靠性评估中的三大盲区：动态恢复效应、频率相关寿命、界面陷阱实时监测。对于研究半导体电荷捕获和退化行为来说，脉冲应力对典型的应力测试是一个有用的补充。NBTI（负偏置温度不稳定性）和 TDDB（随时间变化的介电击穿）试验包括应力 / 测量循环。所施加的应力电压通常是一个直流信号，使用它是因为它更容易映射到器件模型中。然而，结合脉冲应力测试提供了额外的数据，允许更好地理解依赖频率电路的器件性能。 传统上，直流应力和测量技术被广泛
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