- 正在美举办的Flash Memory Summit首日已经结束，亮点颇多。 Keynote环节，倒数第二个出场(排在我国的长江存储前)的是SK海力士，它在NAND市场的全球份额排名第五，DRAM份额全球第二。 首先是3D NAND的技术路线选择，SK海力士称，CTF(Charge Trap Flash，电荷捕获型)比Floating Gate(浮栅型)存储单元面积更小、速度更快、更耐用(P/E次数多)。 其实三星从2013年的第一代V-NAND 3D闪存就开始使用CTF了，东芝/西数(闪迪)的B
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SK海力士 4D闪存
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