- _____在现代ULSI电路中沟道热载流子（CHC）诱导的退化是一个重要的与可靠性相关的问题。载流子在通过MOSFET通道的大电场加速时获得动能。当大多数载流子到达漏极时，热载流子（动能非常高的载流子）由于原子能级碰撞的冲击电离，可以在漏极附近产生电子—空穴对。其他的可以注入栅极通道界面，打破Si-H键，增加界面态密度。CHC的影响是器件参数的时间相关的退化，如VT、IDLIN和IDSAT。这种通道热载流子诱导的退化（也称为HCI或热载流子注入）在NMOS和PMOS器件上都可以看到，并会影响所有区域的器件
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- 每个芯片上更多器件和更快时钟速度的不断发展，推动了几何形状缩小、新材料和新技术的发展。由于更脆弱、功率密度更高、器件更复杂和新的失效机制，所有这些因素都对单个器件的寿命和可靠性产生了巨大的影响，曾经寿命为100年的器件的生产工艺现在可能只有10年的寿命，这与使用这些器件的预期工作寿命非常接近。较小的误差范围意味着，必须从一开始就考虑器件的寿命和可靠性，从设备开发到工艺集成再到生产不断进行监控，即使是很小的寿命变化，对今天的设备来说也可能是灾难性的。每个芯片上更多器件和更快时钟速度的不断发展，推动了几何形状
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