- DRAM产业景气到底复苏没?同样一个问题问上游芯片制造商和下游模组厂，可能会得到两极化的答案，再看看国际大厂财报，对比一下台湾DRAM厂财报，可能也会一头雾水;现在DRAM价格比起2010年第4季水准，或许大幅改善，但台系DRAM厂前债太多，成了继续往前走最大的阴影和阻碍，退出品牌、卖厂止血都是被逼到绝路的招数，但手上牌快出完，赛局却越来越不利，茂德的困境便是台湾DRAM产业的缩影。
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渝德科技 DRAM
- 台系DRAM厂茂德由于资金窘迫，17日董事会通过处分100%转投资的重庆渝德科技，全力将手上资源用来保住仅存的中科12寸晶圆厂命脉;茂德指出，规划将出售范围是渝德科技、8寸晶圆厂，至于建筑物和土地仍是属于重庆市政府，处分后至少暂时不需再认列渝德厂亏损，对于手上财务资金应用可较宽裕。
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茂德 芯片 DRAM
- DRAM 厂茂德科技日前公告，为集中资源在台湾母公司，董事会决议处分中国子公司重庆渝德科技股份，将暂时结束在大陆的投资。茂德是政府开放8吋晶圆厂赴大陆投资的3家公司之一，截至目前，除台积电已顺利在大陆量产运作外，力晶、茂德的西进路均不如预期顺利。
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茂德 DRAM
- DRAM合约价再度喊涨成功，虽然5月上半涨幅仅2~3%，但传出三星电子(Samsung Electronics)成功将2GBDDR3模块价格拉升至19美元，成为这次拉升合约价主要推手，次要因素则是近期传出海力士(Hynix)和尔必达(Elpida)40纳米制程良率不顺和设计问题，导致合约市场持续供给吃紧。不过，现货市场需求却再降温，现货和合约价格差距幅度逼近15%，是过去相当少见差距。
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三星 DRAM
- DRAM合约价再度喊涨成功，虽然5月上半涨幅仅2~3%，但传出三星电子(Samsung Electronics)成功将2GB DDR3模块价格拉升至19美元，成为这次拉升合约价主要推手，次要因素则是近期传出海力士(Hynix)和尔必达(Elpida)40纳米制程良率不顺和设计问题，导致合约市场持续供给吃紧。不过，现货市场需求却再降温，现货和合约价格差距幅度逼近15%，是过去相当少见差距。
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三星 DRAM
- 创见董事长束崇万看好下半年DRAM和NAND Flash市场景气都不错，对存储器模块厂而言，是风险不大的一年，但谈到台湾DRAM产业前景，他感慨表示，DRAM产业最大问题的关键不是在于景气波动，而是台湾没有自有DRAM技术，但现在专利都被国际大厂把持，一切都为时已晚。
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创见 DRAM
- 日经新闻12日报导，全球第3大DRAM厂尔必达(Elpida)已放弃和全球第7大DRAM厂茂德就加强合作关系的谈判。报导指出，尔必达于去年秋天就和台湾当局及台湾银行团针对包含入股茂德等方案在内的救济对策进行协商，惟未能获得共识，故尔必达决议放弃和财务体质恶化风险高的茂德进行合作谈判，转而将资源集中于具成长性的行动装置用DRAM事业。
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传尔必 DRAM
- 工业和信息化部日前对外公布了2011年标准化重点工作，其中3D电视等标准的制定被列进今年的标准化重点工作。
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3D 三网融合
- 据韩联社报导，三星电子(Samsung Electronics)半导体事业部社长权五铉在三星主要首长团会议中表示，日本DRAM制造厂尔必达(Elpida)虽然公开表示已开发出25纳米DRAM，但仍需持续观察至正式量产，表现出存疑的态度。
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尔必达 DRAM
- 台系DRAM厂茂德由于净值已低于股本10分之3，且会计师出具「继续经营假设有重大疑虑」之核阅报告，柜买中心在完成2010年和2011年第1季财报审阅后，将茂德从5月6月开始列为分盘交易处置;再者，茂德已决议办理私募，市场认为引进技术合作伙伴尔必达(Elpida)机率最高。
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茂德 DRAM
- 单片型3D芯片集成技术与TSV的研究,尽管晶体管的延迟时间会随着晶体管沟道长度尺寸的缩小而缩短，但与此同时互联电路部分的延迟则会提升。举例而言，90nm制程晶体管的延迟时间大约在 1.6ps左右，而此时互联电路中每1mm长度尺寸的互联线路，其延迟时间会
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TSV 研究 技术 集成 3D 芯片 单片
- 市场调研公司集邦科技日前发布的全球一季度DRAM内存芯片市场统计报告显示，DRAM内存芯片市场该季度营收83亿美元，相比去年第四季度的86亿美元下降4%。
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DRAM DDR3 WiMAX
- 5月6日-8日，深圳光电显示周暨中国（国际）彩电节“CODECTVF2011”在深圳召开，作为专业显示器展览会，三星电子在本...
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3D HD
- 针对存储器模块龙头厂金士顿(Kingston)创办人孙大卫呼吁政府出面集成DRAM厂，甚至应先拿出20亿美元(约新台币580亿元)集成现有 DRAM厂，经济部长施颜祥对此表示，政府对于DRAM产业已有2套方案，包括与日厂尔必达(Elpida)合作，以及与美商美光(Micron)合作，而且是集成不是整并，政府并没有要出资整并多家DRAM厂成为1家公司规划。
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金士顿 DRAM
- 日本尔必达存储器(Elpida Memory)宣布，将从2011年5月开始全面量产采用30nm工艺的DRAM。生产基地是该公司的广岛工厂和台湾瑞晶电子(Rexchip Electronics)的工厂。广岛工厂已经开始生产30nmDRAM，2011年4～6月将把比例扩大至20%、2011年7～9月扩大至30%。而瑞晶工厂则计划在2011年7～9月导入30nmDRAM技术，2011年7～9月将比例提高至50%、2011年10～12月迅速提高至100%。
尔必达从2010年9月开始开发30nmDRAM
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尔必达 30nm DRAM
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