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1γ dram 文章 进入1γ dram技术社区

2015台湾DRAM产值增长由正转负 晶圆代工增长下滑

  •   经济部统计处资料显示,台湾集成电路业产值虽持续成长,但去年增率却是近三年来首见个位数成长,也结束自2011年以来的上升走势,台湾经济部指出,去年台湾DRAM产值成长由正转负,加上晶圆代工成长下滑,整体集成电路业产值年增率仅6.2%。   台湾集成电路产值在2014年产值突破兆元大关,去年上半年延续荣景,较前年同期成长23.9%,但下半年因全球经济复苏力道疲弱,尤其新兴市场需求明显下降,抑制终端消费性电子产品销售成长动能,下半年衰退7.9%。   去年集成电路业产值增率6.2%,是自2011年低点反
  • 关键字: DRAM  晶圆  

紫光计划今年再收购2家IC公司 重心将放在IC、环保与新材料等方面

  •   清华紫光集团所属的清华控股董事长徐井宏,昨天在瑞士达沃斯的世界经济论坛现场,接受彭博访问时坦承,由于美国主管机关竖立的障碍,美光投资案过关的机会渺茫,但紫光集团仍持续推动与美光或其他公司的合作,希望藉此在记忆晶片与IC领域取得突破。   他表示,紫光集团可能寻求其他与美光的合作方式,例如成立中美合资企业。   徐井宏也透露,清华紫光集团旗下的3大平台之中,主攻DRAM的同方国芯,今年将投下约2000亿人民币,再买下两家海外IC业者,但没有透露可能购并对象。   徐井宏也提到,2016紫光集团的海
  • 关键字: 紫光  DRAM  

三星开始量产HBM2标准的TSV连接4GB DRAM芯片

  •   三星电子2016年1月19日宣布,已开始量产HBM2标准(HBM:High Bandwidth Memory,高带宽内存)的4GB DRAM芯片。JEDEC固态技术协会12日刚刚宣布HBM2成为JEDEC标准“JESD235A”。        HBM2标准的DRAM芯片的结构。   按照HBM2标准,DRAM芯片内可纵向层叠最大8Gbit的存储器裸片,裸片之间通过TSV(硅通孔)连接。三星于2014年8月发布了配备36颗2GB DRAM的64GB服务器用
  • 关键字: 三星  DRAM  

美光DRAM表现看弱 市场供需变化使然

  •   日前美光(Micron)公布最新1季结果表现不佳,截至2016年2月止第2季展望也不佳,消息传出后造成股价下跌5%,也让众多分析师跌破眼镜。   评论认为,由于传统第1季是DRAM价格淡季,而且PC与移动装置带动DRAM成长有限,因此DRAM厂商表现黯淡早已可期,但也凸显美光必须考虑加强布局3D XPoint技术必要性。   据SemiWiki网站报导,DRAM已成为半导体产业最终普遍性产品,因此,相当容易受到供需平衡变化而导致价格改变。加上目前正处于需求弱但供应强阶段,因此,DRAM厂商欲求好表
  • 关键字: 美光  DRAM  

盘点2015:中国海外收购起摩擦

  • 迅速迈向“大国”的中国也在世界上引发摩擦,自主的行为原则与现有的国际秩序不兼容,在经济减速局面下的经济改革时而动摇市场,中国的真实情况到底是什么呢。
  • 关键字: 紫光  DRAM  

2016年整体DRAM需求预估成长23%

  • 2016年中国持续发展半导体的策略不变,仍将有许多并购发生,记忆体方面更是中国发展的重点项目之一。
  • 关键字: DRAM  

DRAM惨跌拖累 美光营收衰退近3成

  •   DRAM市场供过于求,而分散营收的努力尚待开花结果,导致美光(Micron)最新一季营收、净利均大幅衰退,本季展望也并不乐观。   华尔街日报(WSJ)、彭博(Bloomberg)等媒体报导,美光于22日发布截至12月3日止的2016年会计年度第1季财报,营收衰退26.74%至33.5亿美元,净利衰退79.46%至2.06亿美元。   在展望方面,美光预测本季营收将介于29亿~32亿美元间,每股将亏损0.05~0.15美元,双双低于路透(Reuters)预估的34.6亿美元及0.22美元的每股盈余
  • 关键字: 美光  DRAM  

大陆扶植DRAM供应链三部曲

  • 市场是开放了,技术依然要自己发展,包括华为等过去几十年发展起来的巨头没有一家是通过市场换技术换来而是通过自身努力崛起的。
  • 关键字: DRAM  

中美半导体战 美光到底打什么算盘?

  • 美光这次算盘打得好啊,曲线救国了,这下有了筹码,再也不不用提心吊胆了。
  • 关键字: 美光  DRAM  

三星在IEDM上宣布:DRAM工艺可达10nm

  •   韩国三星电子于2015年12月9日在国际学会“IEDM 2015”上就20nm工艺的DRAM开发发表了演讲(论文26.5)。三星此次试制出了20nm工艺的DRAM,该公司表示其特性非常良好,并表示“采用同样的方法,可以达到10nm工艺”。  最近,有技术人员指出DRAM的微细化极限是20nm。DRAM在单元中的电容器中储存电荷,对有电荷状态分配1、无电荷状态分配0,以此记录信息。但是,随着微细化发展,电容器的表面积越来越小,不能再如愿存储电荷。因此,业内通过将电容器做成细长的圆柱状来确保表面积,也就是
  • 关键字: 三星  DRAM  

外媒:中国终将成为高通的梦魇?

  • 外媒一天总是这么丧心病狂,为自家企业说话,已经到了明目张胆的地步了。
  • 关键字: 高通  DRAM  

美光关闭波多黎各DRAM模组厂 产线迁往大陆

  •   根据ComputerWorld报导,美国存储器大厂美光(Micron)有意在12月底结束在波多黎各的DRAM模组厂,将生产设备转移至大陆。  美光位于波多黎各Aguadilla的DRAM模组厂占地约4.8万平方英呎,雇用约200余名劳工。美光表示,迫于市场压力,该公司将在12月30日结束在波多黎各的DRAM模组厂,产线将迁移至大陆西安。  大陆半导体业对外购并的消息不断,甚至不惜倾政府之力投入,拉拔半导体产业,先前清华紫光有意出价230亿美元购并美光的消息也甚嚣尘上。美国国会议员Dana Rohrab
  • 关键字: 美光  DRAM  

跟随台积电登陆,美光DRAM厂也传迁厂中国

  •   中国倾全力提高芯片自制比率,对全球半导体业产生强烈磁吸效应,不仅台积电挡不住,美国内存大厂美光(Micron)7日也传出迁厂中国消息。   据ComputerWorld报导,美光月底打算收掉位在波多黎各的DRAM工厂,生产设备准备搬到中国,将导致185名当地员工失业,这对失业率已超过12%的波多黎各,无疑是雪上加霜。   美光已为岛上即将失业的员工申请政府救济,美光并在声明稿上表示,迁厂是受迫于市场压力,在寻无可行替代方案后所做成的决定。   虽然美光在声明稿上绝口不提中国,但中国绝对是美光迁厂
  • 关键字: 美光  DRAM   

半导体崛起之路:从参与者变成制定者

  • 中国“爆买”全球,先入股美商、吃下新加坡公司,再挖台湾人才,从山寨大王摇身一变,中国开始同时扮演游戏参与者与规则制定者的双重角色,对全亚洲而言,无法回避,大陆半导体的崛起要重新审视了。
  • 关键字: 半导体  DRAM  

三星宣布量产128GB内存芯片 玩游戏再不会卡

  • 表示8G已经老贵了,128想都不要想,还是老老实实升级个固态硬盘才是王道。
  • 关键字: 三星  DRAM  
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