- 英飞凌科技公司在2004年IEEE（电子和电气工程师学会 2004年12月13～15日于美国旧金山举行）国际电子器件会议（IEDM）上，展示了该公司具有高生产性的、适合未来DRAM产品的70 nm工艺技术，此技术以在300 mm晶圆上的深沟（DT）单元为基础。目前全球25％的DRAM生产都是以沟槽技术为基础的。在其报告中，英飞凌阐述了全部集成计划和主要技术特征――包括首次在基于沟槽技术的DRAM生产流程中使用高介电常数物质。英飞凌70 nm DRAM程序堪称重大技术突破，显示了沟槽技术的可伸缩性。
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DRAM 存储器
- iSuppli最新发布的报告指出，今年上半年全球DRAM市场规模比去年同期增长66%，中国市场增长88%，其次为亚太地区(不含中国)的81%。日本经济情况改善，其DRAM销售增 长70%。美国仅仅增长48%，远不及全球的66%。 在主要供货商方面，Hynix、Elpida Memory与大部份台湾地区供货商在上半年的占有率都比去年有所增长；而三星、美光与英飞凌的市场份额则在下降。中国是全球增长最迅速的DRAM市场，Hynix是该地区的领导厂商，市场占有率高达42%，去年同期为40%。
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DRAM 存储器
- 企业网路设备厂商 - 美商凯创(Enterasys Networks)表示，日内发表其获奖产品Dragon入侵侦测系统（Intrusion Detection System；IDS）的最新版本。Dragon 5在其基础架构中加入更好的延展性、可用性与弹性，以强化企业网路的安全
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IDS 凯创 DDR2 DRAM
- 1993年，第一块256K DRAM在中国华晶电子集团公司试制成功。
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华晶 DRAM
- 1985年，第一块64K DRAM在无锡国营742厂试制成功。
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芯片 DRAM
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