集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新研究显示，由于内存供应吃紧态势尚未改变，今年第一季合约价上扬近四成，第二季合约价更进一步上扬约一成水位;放眼第三季，出货至一线厂的32GB服务器模组价格将来到260美元大关，二线厂更会高于此价格水位，使得整体第三季价格将会持续季增3%~8%的幅度。
DRAMeXchange分析师刘家豪指出，受到服务器内存的传输带宽支持从2133MHz与2400MHz更进一步提升到2666MHz，且主流容量甚至向上提升至32GB的挹注，下半年单机容量上的提升与
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服务器 DRAM
差分时钟是DDR的一个重要且必要的设计，但大家对CK#（CKN）的作用认识很少，很多人理解为第二个触发时钟，其实它的真实作用是起到触发时钟校准的作用。
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DDR 差分时钟 DRAM DDR2
多数手机以不同存储规格来区别高配版、标准版，而不同版本之间的差价可达到几百元，这让我们看到了作为四大通用芯片之一的存储器的重要性。
半导体存储器是一个高度垄断的市场，其三大主流产品 DRAM，NAND Flash，NOR Flash 更是如此，尤其是前两者，全球市场基本被前三大公司占据，且近年来垄断程度逐步加剧。以DRAM和NAND两种主要存储芯片为例，2016年第一季度，DRAM市场93%份额由韩国三星、海力士和美国美光科技三家占据，而NAND Flash市场几乎全
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美光 DRAM
量子计算机如今已经成为科技巨头们争夺的新高地，IBM、谷歌都涉猎其中。
现在，微软也要在量子计算领域发挥能量了。
半导体技术公司Rambus最新宣布已经与微软达成合作，双方将研发一种能够在零下180摄氏度环境下稳定运行的DRAM系统，为未来的量子计算机服务。
Rambus研究所副总裁GaryBronner介绍称，与微软的合作旨在零下180摄氏度环境下提升DRAM系统的容量和运算效率，并且降低功耗。
同时，高速串行/并行链路也能够在低温和超导环境中有效运行，从而确保整个存储系统在
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微软 DRAM
集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)表示，2017年第一季度的DRAM产业营收表现再度创下新高。从价格方面来看，由于去年第四季严重供不应求，多数PC-OEM厂商选择提早在去年12月洽谈第一季的合约价以确保供货稳定，使得第一季合约价再度上涨超过三成，亦带动其他内存类别同步上扬，如服务器内存在第一季的价格上扬也相当可观，移动式内存价格也有近一成的涨幅。
DRAMeXchange研究协理吴雅婷指出，第一季DRAM总体营收较上季大幅成长约13.4%。从市场面来观察，原厂产能增加的效应最快在
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DRAM
据外媒报道，存储芯片市场上周出现降温杂音，麦格理分析师Daniel Kim提出反驳。
他认为下半年DRAM和NAND价格仍会续涨，有利美光、西部数据、三星、南亚科、力成、东芝和SK海力士股价。
据巴隆周刊(Barron's)报导，Daniel Kim发布报告说：「所有数据和消息都表明存储芯片市场今年下半年会比预期更强。 」他看好存储芯片价格会持续涨到今年底。
整体来说，Daniel Kim认为芯片价格上涨，即暴露看空论点的瑕疵。
他指出，建构数据中心的厂商「重视的是系统的表现而
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DRAM Flash
全球硅晶圆缺货严重，已成为半导体厂营运成长瓶颈，后续恐将演变成国家级的战火，半导体业者透露，日本硅晶圆大厂Sumco决定出手下砍大陆NOR Flash厂武汉新芯的硅晶圆订单，优先供货给台积电、英特尔(Intel)、美光(Micron)等大厂，不仅加重NOR Flash短缺情况，日系供应商供货明显偏向台、美、日厂，恐让大陆半导体发展陷入硅晶圆不足困境。
硅晶圆已成为半导体产业的关键物资，过去10年来硅晶圆产能都是处于供过于求状态，如今硅晶圆却面临缺货，且已缺到影响半导体厂生产线运作，尤其是12吋规
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晶圆 DRAM
随着挑战 3D Xpoint 的非易失性存储技术逐渐出现，传统的 NAND Flash 依然有很长的路要走，直到 2025 年，这个技术都是安然无忧的。 因此，NAND Flash 暂时不会被 3D Xpoint 技术取代。
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内存 DRAM
据外电报道，高盛判断，DRAM价格涨势可能在未来几季降温， 2018年价格也许会转跌，决定调降内存大厂美光评等。
巴伦周刊8日报导，高盛的Mark Delaney报告表示，过去四个季度以来，DRAM毛利不断提高。 过往经验显示，DRAM荣景通常持续四到九季，此一趋势代表DRAM多头循环已经来到中后段。 业界整合使得本次价格高点，比以往更高。
Delaney强调，和DRAM业界人士谈话发现，DRAM现货价的成长动能放缓，价格似乎触顶或略为下滑。 NAND情况较不严重;产业人士表示，NAND价
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三星 DRAM
三星挟带存储器产业龙头优势，本季营收可望超越英特尔而荣登半导体产业王座，证明了后PC时代的到来，随着移动产业、物联网及智能汽车产业兴起，让原先并未扩产的存储器产业成为炙手可热的领域，也使得三星更加壮大。
三星本次挟带自家DRAM及NANDFlash报价急速攀升的气势，半导体制造事业可望跃居产业龙头，原因正是DRAM及NANDFlash都受惠于智能手机搭载需求倍增，在制程转换及产能已数年未扩充等因素作用下，带动存储器报价上涨。
从DRAM角度来看，存储器原厂中，有能力大量产出晶圆的仅有三星、
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英特尔 DRAM
三星上月底发布了2017年Q1季度财报,营收只增加1.5%的情况下净利润大增46%,其中贡献最多的就是闪存芯片部门,也就是DRAM内存和NAND闪存。时至今日,DRAM、NAND闪存缺货、涨价的情况都没有缓解,现在还是供不应求,好在三星、SK Hynix、美光等公司也加大了投资力度提升产能,其中三星也要斥资26.4亿美元扩产Line 17工厂,下半年加速10nm级DRAM内存生产。
三星前不久才宣布了全球最大的半导体工厂平泽工厂竣工,那个是针对NAND闪存的,主力产品将是64层堆栈的3D NAN
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三星 DRAM
内存是半导体的主力产品之一，目前主要由动态随机存取内存(DRAM)及具备非挥发特性的NAND闪存(Flash)为最重要的两项产品。 不过，由于DRAM必须持续上电才能保存数据，NAND Flash又有读写速度较DRAM慢，且读写次数相对有限的先天限制，因此内存业者一直试图发展出新的内存架构，希望能兼具DRAM的速度、耐用度和NAND的非挥发特性。
根据研究机构Tech Insights估计，包含STT-MRAM、FRAM、CBRAM、3D Xpoint等新世代内存，都已陆续进入小量生产阶段。 不
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内存 DRAM
2016年全球前十大半导体业者排名出炉。据IHSMarkit所搜集的数据显示，2016年全球半导体产业的营收成长2%，而前十大半导体业者的营收则成长2.3%，优于产业平均水平。以个别产品类型来看，DRAM与NANDFlash是2016年营收成长动能最强的产品，成长幅度超过30%;车用半导体的市场规模也比2015年成长9.7%。
IHS预期，由于市场需求强劲，2017年内存市场的营收规模可望再创新高，车用半导体市场的规模则有机会成长超过10%。整体来说，2017年半导体产业的表现将出现稳健成长。
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DRAM NANDFlash
量子计算机如今已经成为科技巨头们争夺的新高地，IBM、谷歌都涉猎其中。
现在，微软也要在量子计算领域发挥能量了。
半导体技术公司Rambus最新宣布已经与微软达成合作，双方将研发一种能够在零下180摄氏度环境下稳定运行的DRAM系统，为未来的量子计算机服务。
Rambus研究所副总裁Gary Bronner介绍称，与微软的合作旨在零下180摄氏度环境下提升DRAM系统的容量和运算效率，并且降低功耗。
同时，高速串行/并行链路也能够在低温和超导环境中有效运行，从而确保整个存储系统
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微软 DRAM
力晶创办人暨执行长黄崇仁表示，大陆扶植半导体以为撒钱就可以，但未来用补助研发费用来扶植新厂的策略很难再延续，必须要有技术在手才行，但现在美系存储器大厂美光(Micron)已经盯上大陆3家存储器，包括紫光长江存储、合肥长鑫和联电的福建晋华，预计进入大陆DRAM产业的脚步会放缓，配合韩国2018年冬季奥运率先展示5G技术，未来DRAM是长期缺货的走势!
黄崇仁进一步表示，全球DRAM产业已经5年没有新厂加入，三星电子(Samsung Electronics)盖厂也是针对10纳米晶圆代工和NAND F
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DRAM 5G
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