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【OEM亮点】中国无锡市批准领克Z10车型测试其L3级自动驾驶汽车系统

  • 领克旗下的领克Z10车型日前已正式获得无锡市L3级自动驾驶汽车道路测试牌照。据盖世汽车报道,Z10在五类场景、超过18项科目测试中均取得了100%的通过率。Source:Getty Images分析观点深度解析领克Z10于9月5日正式上市,共推出5款配置车型,售价区间为196,800元至288,800元,在发布后24小时内就收到了超过5,000个预售订单。这款车型的内饰采用极简美学设计,车内配备一块12.66英寸的全液晶仪表盘和一块15.4英寸的中控触摸显示屏,并内置LYNK Flyme Auto车机系统
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【OEM亮点】欧盟再次下调特斯拉、吉利电动汽车的进口关税

  • 由于部分汽车制造商提供了更多新信息,欧盟计划再次对部分中国产纯电动汽车征收的进口关税进行调整。一位知情人士向路透社透露,对特斯拉拟定的关税税率将从8%下降至7.8%,针对吉利的关税税率将从此前拟定的19.3%下降至18.8%。此外,对于未配合调查的汽车制造商(包括上汽在内),关税税率将从36.6%下降至35.3%。特斯拉和欧盟委员会均未就此发表评论。路透社还报道,中国政府已重新努力与欧盟委员会就此事展开讨论。本周早些时候,中国商务部副部长李飞在比利时布鲁塞尔与欧盟委员会贸易总司总司长举行的会谈上表示,中国
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【预测与分析亮点】比亚迪上半年净利润同比增长24.4%

  • 2024年上半年,比亚迪在营收和净利润方面均有所增长,这主要得益于其汽车和手机业务板块的强劲销售表现。报告期内,比亚迪总营收同比增长15.8%,达到3,011亿元人民币(约合423亿美元)。其中,汽车业务部门2024年上半年在总营收中的占比达到了75.8%。归属于上市公司股东的净利润达到136.3亿元,同比增长24.4%。2024年上半年比亚迪的毛利率为20%,其中汽车业务的毛利率达到了23.9%。比亚迪的研发投入同比增加42%,达到201.8亿元。2024年上半年的营业利润达到173亿元,较2023年同
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Hawk Point 有望再战一年:AMD 被曝计划明年推出锐龙 200 处理器

  • IT之家 9 月 19 日消息,消息博主 @金猪升级包 昨晚爆料称,AMD 计划将现有的锐龙 8040“Hawk Point”系列 APU 于明年改名为不属于锐龙 AI 家族的锐龙 200 系列马甲处理器继续售卖。这位博主还表示,AMD 的这一考虑是为了应对将于 2024 年底发布的酷睿 200“Raptor Lake Refresh”处理器。双方将均以 200 系列在性价比移动端处理器市场展开正面对决。@金猪升级包 在回复中提到,酷睿 200 系列将包含 -H45 即“标压”产品线型号。AMD
  • 关键字: AMD.APU  锐龙  

【预测与分析亮点】玛鲁蒂铃木8月份产量同比增长2.1%,目标是到2030年将出口量增至三倍

  • 意义:得益于出口量的增加以及为其他汽车制造商(OEM)代工生产的汽车销量的上升,玛鲁蒂铃木8月份汽车产量同比增长2.1%,达到168,953辆。展望:S&P Global Mobility[标普全球汽车]预计,2024年玛鲁蒂铃木在印度的轻型汽车产量(包括为其他车企代工生产的产量)将同比增长6.5%,达到206万辆左右。
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【科技和移动性亮点】Lucid宣布将为Air电动轿车无线更新全新驾驶辅助及便利功能

  • 美国电动汽车制造商Lucid于2024年9月9日针对Lucid Air豪华轿车发布了Lucid UX 2.4软件无线更新(OTA),包括对驾驶辅助系统、语音控制系统以及其他功能的更新。根据公司发布的一篇新闻稿,Lucid UX 2.4软件更新包括了可选DreamDrive Pro高级驾驶辅助系统的最新版本,引入了三维(3D)车道可视化功能。此外,此次更新还引入了名为Lucid Assistant的全新语音控制系统、更加易读的地图设计以及其他功能。高速辅助功能现在使用具有更多详细信息的高清地图,包括高占用车
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扫地机器人哪个牌子好?实用性更高的扫地机器人评测

  • 从诞生至今,扫地机器人品类早已经过了多重迭代,技术配置层层叠加、黑科技不断加码之后换来的却是投诉率的逐年上升。扫地机器人哪个牌子好?诸多扫地机器人们争相植入的新功能到底有没有智商税成分?扫地机器人品牌功能这么多谁的实用性更高?斐纳TOMEFON斐纳TOMEFON是在德国销量第一的扫地机器人品牌,不仅配置着品质精良的德系无刷电机,而且在实用性设计上也更懂消费者需求。首先,斐纳TOMEFON的操控门槛低,遥控器的配置令不会用智能机的用户也能轻松操控人工智能,无论是设置个性化功能还是设置自动清洁时间都是一看就会
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苹果 iPhone 16 Pro Max 充电实测:日常工况下依旧只有 27W

  • IT之家 9 月 18 日消息,苹果 iPhone 的充电速度一直备受批评,相较于动辄支持 100W、120W 快充的安卓旗舰,苹果仅提供 27W 的充电功率。最新的 iPhone 16 系列是否有所改进呢?遗憾的是,并没有。据爱范儿的测试,iPhone 16 Pro Max 在极端工况下(低电量、高输出 + 背夹散热)可以短暂维持 33W 的充电功率(约 10 分钟),瞬时功率可达 38-39W。然而,在日常工况下,充电功率基本维持在 27W
  • 关键字: iPhone  充电  Apple  

新品发布 | ZJA3669: 270V共模电压,100dB CMRR精密差动放大器

  • 上海治精微电子有限公司(以下简称“治精微”),总部位于张江的高端模拟芯片方案供应商,宣布推出共模电压270V,CMRR 100dB,2.5kV静电保护能力(ESD HBM)精密差动放大器ZJA3669。它是继低功耗精密差动放大器ZJA3676系列产品、超高性能仪表放大器ZJA3600系列产品之后对集成放大器产品的扩充。ZJA3669可以用于高压环境下的电流、电压的精密检测,非常适合工业控制、半导体设备和新能源领域。ZJA3669 CMRR在高压下优于100dBZJA3669和国际竞品在常温和全温范围内主要
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AMD 面向 ADAS 和数字座舱推出尺寸更小、成本优化的车规级 FPGA 系列

  • 标签:加速器、自适应计算、Artix在汽车传感器和数字座舱中,尺寸更小的芯片器件正越来越盛行。根据咨询机构 Yole Intelligence 的数据,高级驾驶辅助系统( ADAS )摄像头市场规模在 2023 年估计为 20 亿美元,预计到 2029 年将达到 27 亿美元。为了满足这些市场需求,AMD 推出了 AMD 汽车车规级( XA )系列的最新成员
  • 关键字:   

第4讲:SiC的物理特性

  • 与Si材料相比,SiC半导体材料在物理特性上优势明显,比如击穿电场强度高、耐高温、热传导性好等,使其适合于制造高耐压、低损耗功率器件。本篇章带你详细了解SiC材料的物理特性。SiC作为半导体功率器件材料,具有许多优异的特性。4H-SiC与Si、GaN的物理特性对比见表1。与Si相比,4H-SiC拥有10倍的击穿电场强度,可实现高耐压。与另一种宽禁带半导体GaN相比,物理特性相似,但在p型器件导通控制和热氧化工艺形成栅极氧化膜方面存在较大差异,4H-SiC在多用途功率MOS晶体管的制备方面具有优势。此外,由
  • 关键字: 三菱电机  SiC  

什么是三防漆?如何正确使用?

  • 一、什么是三防漆?三防漆是一种特殊配方的涂料,用于保护线路板及其相关设备免受环境的侵蚀。三防漆具有良好的耐高低温性能;其固化后成一层透明保护膜,具有优越的绝缘、防潮、防漏电、防震、防尘、防腐蚀、防老化、耐电晕等性能。在现实条件下,如化学、震动、高尘、盐雾、潮湿与高温等环境,线路板可能产生腐蚀、软化、变形、霉变等问题,导致线路板电路出现故障。三防漆涂覆于线路板的表面,形成一层三防的保护膜(三防指的是防潮、防盐雾、防霉)。在诸如含化学物质(例如:燃料、冷却剂等)、震动、湿气、盐喷、潮湿与高温的情况下未使用三防
  • 关键字: 三防漆  PCB  

运算放大器中,在输入端放上相等的阻抗一定是对的吗?

  • 作为工程师都知道741运算放大器吧,那应该经常听到平衡运算放大器输入端电阻。但是在运算器的两个输入端放上相等的阻抗一定是对的吗?在二十世纪六十年代和七十年代,第一代运算放大器采用普通双极性工艺制造。为了获得合理的速度,差分对尾电流一般在10µA 到20µA范围内。而β值为40到70,故输入偏置电流在1μA左右。然而,晶体管匹配度并不那么高,所以输入偏置电流不相等,导致输入偏置电流之 间有10%到20%的偏差(称为“输入失调电流”)。在同相接地输入端增加一个与输入电阻R1和反馈电阻R2的并联组 合相等的电阻
  • 关键字: 741运算放大器  输入端电阻  

盘点2021年5大流行开发板

  • 具体如下,排名不分先后。树莓派 Pico树莓派 Pico 是2021 年 1 月推出的第一款采用内部MCU的开发板。它采用具有成本效益的 RP2040 SoC,能够以 125-133 Mhz 的高频运行。因此,它可以适应涉及机器学习和数据收集的高计算应用程序。4 美元的售价使其成为量产的热门选择(当然现在这个价买不到),并且它仍然可胜任大多数开发板场景。具体规格如下:双核 Arm Cortex-M0 + @ 133MHz芯片内置 264KBSRAM 和 2MB的板载闪存通过专用 QSPI总线支持最高16M
  • 关键字: 开发板  

第5讲:SiC的晶体缺陷

  • SiC晶体中存在各种缺陷,对SiC器件性能有直接的影响。研究清楚各类缺陷的构成和生长机制非常重要。本文带你了解SiC的晶体缺陷及其如何影响SiC器件特性。在SiC晶体中存在各种缺陷,其中一些会影响器件的特性。SiC缺陷的主要类型包括微管、晶界、多型夹杂物、碳夹杂物等大型缺陷、以及堆垛层错(SF)、以及刃位错(TED)、螺旋位错(TSD)、基面位错(BPD)和这些复合体的混合位错。就密度而言,最近质量相对较好的SiC晶体中,微管是1〜10个/cm²,位错的密度约为10³~10⁴长达个/cm²。至今,与Si相
  • 关键字: 三菱电机  SiC  
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