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闸极驱动器 文章 最新资讯

基于onsemi NCP51752隔离式SiC MOSFET闸极驱动器评估板

  • NCP51752是隔离单通道栅极驱动器系列,源极和吸收峰电流分别为+4.5 A/-9A。 它们设计用于快速切换以驱动功率MOSFET和SiC MOSFET功率开关。 NCP51752提供短而匹配的传播延迟。为了提高可靠性、dV/dt免疫力,甚至更快地关闭,NCP51752具有嵌入式负偏置轨机制在GND2和VEE引脚之间。 本用户指南支持NCP51752的评估板。 它应该与NCP51752数据表以及onsemi的应用说明和技术支持团队一起使用。 本文档描述了孤立单体的拟
  • 关键字: onsemi  NCP51752  隔离式  SiC  MOSFET  闸极驱动器  评估板  

Diodes推出40V 闸极驱动器减少IGBT 开关损耗

  • Diodes 公司推出专为开关高功率 IGBT 设计的 ZXGD3006E6 闸极驱动器(gate driver) ,有助于提高太阳能逆变器、电机驱动和电源应用的功率转换效率。
  • 关键字: Diodes  闸极驱动器  ZXGD3006E6  

Diodes 40V闸极驱动器减少IGBT开关损耗

  •   Diodes 公司推出专为开关高功率 IGBT 设计的 ZXGD3006E6 闸极驱动器(gate driver) ,有助于提高太阳能逆变器、电机驱动和电源应用的功率转换效率。   当输入电流为 1mA 时,该闸极驱动器通常可提供 4A 的驱动电流,使其成为控制器的高输出阻抗和 IGBT 的低输入阻抗之间高增益缓冲级的最佳选择。ZXGD3006E6 拥有一个发射极跟随器配置,可防止闩锁效应(latch-up)及贯通问题(shoot-through),实现少于 10ns 的传输延迟时间。  
  • 关键字: Diodes  闸极驱动器  XGD3006E6  
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闸极驱动器介绍

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