- 全球功率半导体和管理方案领导厂商， 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出完善的IGBT模块系列，适合电机驱动逆变器、开关模式电源、不间断电源、太阳能逆变器及焊接应用等高功率工业应用。
全新模块系列采用IR极为坚固可靠的IGBT技术(包括非击穿平面栅极和场截止沟道栅极技术)及成熟的二极管技术，提供一系列稳健的高效模块。这些产品采用了行业标准封装，加上宽泛的配置及电流额定值范围，有助于设计师灵活、轻易地部署高功率系统。这72款模块提供600V或1200V
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国际整流器 IGBT
- PCI(Perip heral Component Interconnect )是一种先进的高性能32/64位局部总线，支持线性突发传输，数据最大传输率可达132MB/s。
同时，PCI总线存取延误小，采用总线主控和同步操作，不受处理器限制，具有自动配置功能，非常适合于高速外设。所以，它正迅速取代原先的ISA总线成为微型计算机系统的主流总线。
随着工业控制pci设备的增多，需要开发大量专用WDM驱动程序。鉴于直接用ddk开发驱动程序难度大，周期长，本文介绍了用DriverStudio套件开
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PCI DriverStudio 驱动
- 上海先进半导体制造股份公司(ASMC)与中国北车股份有限公司(CNR)10月22日在上海就双方“建设战略产业联盟合作协议”签约，上海先进总裁王庆宇、中国北车总工王勇智分别代表双方在协议书上签字，上海先进董事长陈建明、中国北车副总裁孙永才均表示，通过双方战略联盟的合作，在充分利用各自竞争优势基础上联手打造出具有核心竞争力的国产化IGBT大规模商用产业生态链。
据悉，战略产业联盟合作主要包括4个方面：一是通过成立联盟形成从设计、制造到封装、测试的完整IGBT产业链;二是签订合
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北车 IGBT
- 在大规模的分布式可再生能源发电中，变频器在电力电子技术与信息通讯技术双方面都扮演着重要的角色。据发布的数据显示，全球再生能源用变频器市场在2011年为72亿美元的规模。预测今后5年该规模将会倍增，到2017年将超越190亿美元。变频器可使电机系统节电率达30%左右，甚至40%～60%。未来几年中低压变频器需求将保持20%以上的增速，高压变频器行业保持40%以上的增速。绝缘栅双极晶体管(IGBT)是变频器的核心部件，目前国内IGBT市场仍主要由外资企业所把控，拥有技术优势的企业有望率先实现进口替代。
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变频器工业 IGBT
- Tessel是什么 Tessel是一个针对软件开发者的可连接网络的微控制器。 嵌入式开发就像写一个网络应用或手机应用一样简单。只不过是建立一个真实产品的原型，改善遥感技术的体验以及通过WiFi来更新罢了。它创造了一种新与屏幕之外的生活互联的新方式。 JavaScript驱动 Tessel直接在设备上运行JavaScript，连服务器都不需要。用你自己的IDE和库去开发它，就像做网络开发一样。上传新的固件只需一句tessel 推送指令，非常简单。 Tessel支持npm的库，因此能够利用日益增
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Tessel 驱动
- 说玩转驱动这话，其实有点过头，玩驱动是个长期积累的过程，写出来是一回事，调试起来也是一种磨练。为了让大家明白玩驱动的乐趣和掌握编写驱动的捷径，我分享一些经验，算是抛砖引玉。不过正所谓一口吃不了个胖子，只有写够了足够多的代码，调试了足够多的模块，玩转驱动也不再话下。希望今天的唠叨对想踏入或者即将踏入驱动行业的你有些帮助。
我们很明白Linux 设备驱动的学习是一项浩大的工程，正是由于这个原因，一些人不免望而生畏，其实，只要我们有足够的积累和全面的知识，玩转驱动，也是早晚的事。闲话少说，开始来干货。
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Linux 驱动 SRAM
- 引言 刷卡消费随着人们生活水平的提高已经成为常用的支付方式之一。为了保证刷卡消费的安全性，将PSAM卡内嵌于各种终端刷卡设备中。 PSAM(Purchase SecureAccess Module，销售点终端安全存取模块)，由IC卡发行主管部门或者应用主管机构发行，是可以用于对IC卡进行脱机消费交易认证的安全认证卡，主要应用于商用POS、网点终端、直连终端等设备上，支持多级发卡机制，适用于多应用的环境，符合识别卡、带触点的集成电路卡标准、ISO/IEC 781
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STM32 PSAM卡 驱动
- 近日，三菱电机功率半导体制作所参加了上海2014年PCIM亚洲展，总工程师佐藤克己介绍了IGBT等功率器件的发展趋势。
IGBT芯片发展进程
IGBT芯片始于19世纪80年代中期。30年以来，就FOM(优点指数)来说，今日的IGBT芯片比第一代性能提升了20倍左右，其中改良技术包括：精细化加工工艺、栅式IGBT的开发(如三菱电机的CSTBT)，以及薄晶圆的开发等等。如今，三菱电机的IGBT芯片已经踏入第7代，正朝第8代迈进。
随着产品的更新换代，功耗越来越低，尺寸越来越小。从80
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三菱电机 IGBT 晶圆 201408
- IGBT产品集合了高频、高压、大电流三大技术优势，是电力电子技术第三次革命最具代表性的产品，中国市场的诸多因素将推进IGBT应用的发展，在电力领域、消费电子、汽车电子、新能源等传统和新兴领域，市场前景广阔。
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半导体 IGBT
- IGBT
是功率器件技术演变的最新产品，是未来功率器件的主流发展方向。IGBT器件(绝缘栅双极型晶体管)是一种MOSFET与双极晶体管复合器件。既有功率MOSFET易于驱动、控制简单、开关频率高的优点。又有功率晶体管的导通电压低、通态电流大、损耗小的优点。基于技术和功能上的优势，IGBT产品可以实现对以往功率器件产品的逐步替代。IGBT产品集合了高频、高压、大电流三大技术优势。IGBT能够实现节能减排，具有很好的环境保护效益。IGBT被公认为是电力电子技术第三次革命最具代表性的产品，是未来应
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半导体 IGBT
- IGBT是功率器件技术演变的最新产品，是未来功率器件的主流发展方向。IGBT器件(绝缘栅双极型晶体管)是一种MOSFET与双极晶体管复合器件。既有功率MOSFET易于驱动、控制简单、开关频率高的优点。又有功率晶体管的导通电压低、通态电流大、损耗小的优点。基于技术和功能上的优势，IGBT产品可以实现对以往功率器件产品的逐步替代。IGBT产品集合了高频、高压、大电流三大技术优势。IGBT能够实现节能减排，具有很好的环境保护效益。IGBT被公认为是电力电子技术第三次革命最具代表性的产品，是未来应用发展的必然
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功率器件 IGBT
- 意法半导体最新的1200V绝缘栅双极晶体管(IGBT,Insulated-Gate Bipolar Transistors)借助第二代沟栅式场截止型高速技术提升太阳能逆变器、电焊机、不间断电源和功率因数校正(PFC, Power-Factor Correction)转换器等应用的能效和耐用性。
意法半导体的新H系列1200V IGBT将关断损耗和导通损耗降低多达15%。饱和电压(Vce(sat))减低至2.1V (在标准集极电流和100°C下的典型值)，这能确保总体损耗降至最低，在20k
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意法半导体 IGBT H系列
- IGBT是MOSFET与双极晶体管的复合器件。它既有MOSFET易驱动的特点，又具有功率晶体管电压、电流容量大等优点。其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，故在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。
IGBT是电压控制型器件，在它的栅极-发射极间施加十几V的直流电压，只有μA级的漏电流流过，基本上不消耗功率。但IGBT的栅极-发射极间存在着较大的寄生电容(几千至上万pF)，在驱动脉冲电压的上升及下降沿需要提供数A的充放电电流，才能满足开通和关
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IGBT模块 驱动
- IGBT作为一种大功率的复合器件，存在着过流时可能发生锁定现象而造成损坏的问题。在过流时如采用一般的速度封锁栅极电压，过高的电流变化率会引起过电压，为此需要采用软关断技术，因而掌握好IGBT的驱动和保护特性是十分必要的。
IGBT是电压控制型器件，在它的栅极-发射极间施加十几V的直流电压，只有μA级的漏电流流过，基本上不消耗功率。但IGBT的栅极-发射极间存在着较大的寄生电容(几千至上万pF)，在驱动脉冲电压的上升及下降沿需要提供数A的充放电电流，才能满足开通和关断的动态要求，这使得它的驱
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LED 驱动 IGBT
- 6月20日上午，被业界认为现代变流工业“皇冠上的明珠”的关键 技术在中国南车取得产业化突破：公司投资近15亿元的IGBT产业化基地建成并即将投产。这是国内首条、世界第二条8英寸IGBT专业芯片生产线，首期将实现年产12万片8英寸IGBT芯片，配套生产100万只IGBT模块，真正实现IGBT的国产化。它的投产，将打破国外公司在高端IGBT芯片技术上的垄断。
国家多部委关注IGBT研发
IGBT，是一种实现电能转换和 控制的电力电子器件，中文名叫绝缘栅双极型晶体管。自从
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IGBT 芯片
门控管(igbt)驱动介绍
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