- V1—V4组成桥式逆变器，两端并联RCD吸收支路，L为限流电感，Co为储能电容，Lo用于限制Co对负载氙灯的放电电流，保护氙灯。此处将限流电感L放在变压器原边。这除了能实现功率管的零电压开通外，例如在V1，V4关断后，由于L的续流作用，D2...
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全桥型 IGBT 脉冲激光 电源电路
- JS为软启动控制,避免上电时浪涌电流对整流模块的冲击。IGBT变频电源电路:
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IGBT 变频电源
- 在VMOS管所有的工作方式中，共源极组态的驱动最简单。因为VMOS管是电压控制器件，输入阻抗极高，可以由多重逻辑电路直接驱动。
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VMOS 共源极 驱动
- VMOS管共漏极组态的驱动要比共源极组态的驱动困难些，但还是比双极晶体管共集电极组态的驱动容易，当需要负载一段接地时，或者需要有源推-拉输出电路时，场采用共漏极电路。...
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VMOS 共漏极 驱动
- VMOS管桥式电路如图1-29所示，它由四只VMOS管组成，是一种很有用的电路。在这种电路中，可方便地采用脉冲变压器驱动方式。
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VMOS管 桥式电路 驱动
- IGBT实在BDMOS型功率场效应管的基础上发展起来的。在VDMOS结构的漏极侧N+层下，增加一个P+层发射极而行程pn，如图1-31所示，就构成IGBT。
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IGBT 基本结构
- IGBT的静态特性包括伏安特性、转移特性和静态开关特性。IGBT的伏安特性如图1-33所示，与GTR的伏安特性基本相似，不同的是，控制参数是栅源电压，而不是基极电流。...
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IGBT 静态特性
- IGBT的保护措施，主要包括过压保护和过流保护两类。使用中，对于IGBT因关断而产生的开关浪涌电压，可以采用适当的缓冲回路抑制它，使器件免于损坏。...
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IGBT 电路图
- 驱动半桥自举电路自举元件设计自举二极管(VD1)和电容(C1)是IR2110在PWM应用时需要严格挑选和设计的元器件，应根据一定的规则对其进行调整，使电路工作在最佳状态。在工程应用中，取自举电容C1>2Qg/(VCC-10-1.5)。...
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驱动 半桥 自举电路
- 逆变器中的开关元件选用VMOS或IGBT时，组成的充电电路，比用晶闸管作开关元件的充电电路的工作频率高。
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VMOS IGBT 逆变充电 电路图
- 从BMOS管的等效电路（图1-19）可以看出，VMOS管的输入端是电容性的，其动态输入阻抗与静态输入阻抗有很大的差别，直流输入阻抗极高，但交流输入阻抗随频率而变化，由于这个原因，VMOS管的上升时间和下降时间与驱动电路的输出阻抗有关...
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VMOS管 驱动 电路图
- IGBT芯片技术含量极高，制造难度非常大，其研发、制造、应用是衡量一个国家科技创新和高端制造业水平的重要标志。
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IGBT
- 由综合放大电路板（ZHFD）产生的输出信号被送入SG3526，产生PWM脉冲，此信号与反馈信号进行逻辑运算后送入HL403B厚膜驱动器，当IGBT产生过流、短路故障时，借助于IGBT内部的短路、欠饱和、软关断、降栅压保护功能，保护信号通过光...
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IGBT 驱动 保护电路
- 图示出电源主电路，V1—V4组成桥式逆变器，两端并联RCD吸收支路，L为限流电感，Co为储能电容，Lo用于限制Co对负载氙灯的放电电流，保护氙灯。图全桥型IGBT电源主电路图...
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全桥型 IGBT 电源
- 图5示出IR2166驱动电子镇流器的典型应用电路，其输入为全桥整流器整流后的电压．输入电压范围为lOOV~250V，输入功率因数大于99％．THD小于15％。电流谐波满足GBl7625．1-1998C标准(照明设备)要求。IR2166驱动电子镇流器及荧光灯...
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IR2166 驱动 电子镇流器 荧光灯
门控管(igbt)驱动介绍
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