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超低导通电阻 文章 最新资讯

英飞凌推出具有超低导通电阻的CoolSiC™ MOSFET 750 V G2

  • 全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司近日推出新型CoolSiC™ MOSFET 750 V G2。这款新型CoolSiC™ MOSFET 750 V G2专为提升汽车及工业功率转换应用的系统效率和功率密度而设计。它提供一系列精细化的产品组合,在25°C时R DS(on) 值为4至60 mΩ,广泛适用于车载充电器(OBC)、 DC-DC转换器、电动汽车(xEV)辅助设备等应用,以及电动汽车充电、光伏逆变器、储能系统、通讯和开关电源(SMPS)等工业应用。英飞
  • 关键字: 英飞凌  超低导通电阻  CoolSiC    

ROHM开发出超低导通电阻的Nch MOSFET

  • 新推出40V~150V耐压的共13款产品,非常适用于工业设备电源和各种电机驱动全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)新推出“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”共13款Nch MOSFET*1产品(40V/60V/80V/100V/150V),这些产品非常适合驱动以24V、36V、48V级电源供电的应用,例如基站和服务器用的电源、工业和消费电子设备用的电机等。近年来,全球电力需求量持续增长,如何有效利用电力已成为迫在眉睫的课题,这就要求不断提高各种电机和基站、服务器等工业设备的工作
  • 关键字: ROHM  超低导通电阻  Nch MOSFET  
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超低导通电阻介绍

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