- 摘要:应用数字处理技术,研究了基于DSP的数字化控制的中频逆变电源。给出了基于IGBT的主电路拓扑结构,分析了其控制原理,采用基于TMS320F2407型DSP为核心的控制系统,实现串联谐振中频逆变电源的数字化控制,以满足系统控制的实时性和灵活性要求。研制了一台10kW/10kHz的逆变电源样机进行实验,实验结果验证了设计的有效性和可行性。
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逆变电源 DSP IGBT 串联谐振 DPLL 201310
- 中国北车集团日前在西安对外发布:大功率IGBT芯片(绝缘栅双极型晶体管)通过专家鉴定并投入批量生产。中国自此有了完全自主产权的大功率IGBT“中国芯”。
据介绍,作为新一代半导体器件,IGBT是自动控制和功率变换的关键核心部件,被广泛应用在轨道交通装备行业、电力系统、工业变频、风电、太阳能、电动汽车和家电产业中。此前,国内高端IGBT芯片基本依赖进口。此次大功率IGBT芯片的研制成功,不仅可以为我国高铁、动车组等轨道交通装备及其他相关行业提供强劲的“中国芯
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半导体器件 IGBT
- 引言随着电力电子器件制造技术的发展,高性能、大容量的绝缘栅双极晶体管(IGBT)因其具有电压型控制、输...
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IGBT 逆变器
- IGBT(绝缘栅双极性晶体管)是一种用MOS来控制晶体管的新型电力电子器件,具有电压高、电流大、频率高、导通电阻小等特点,因而广泛应用在变频器的逆变电路中。但由于IGBT的耐过流能力与耐过压能力较差,一旦出现意外就
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IGBT 保护电路 过流保护 设计方案
- 摘要:在大功率风机变流器中,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的工作可靠性对整个风电机组的安全运行有着直接影响。分析了驱动窄脉冲对风机变流器IGBT可靠运行的危害,并从理论上阐述了空间矢量调制(SVM)中窄脉冲出现的原理
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变流器 风机 绝缘栅双极型晶体管 窄脉冲
- 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)串联应用的关键技术是均压控制。峰值控制技术是保证串联运行中每个IGBT的集射极电压都不超过安全极限的有效技术。在介绍IGBT工作特性的基础上,对串联IGBT关断过程不同动态时段内的均压控制目标进行了分析,为设计不带RC缓冲回路的均压方法提供了理论基础。综合各阶段控制要点,采用基于稳压管箝位的峰值控制方法,在低压实验中实现了有效的串联均压,验证了理论分析的正确性。最后,针对该方法在高压应用时的缺点,提出了一种新的峰值控制方法,并通过仿真验证了该方法均压控制的有效性。
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绝缘栅双极型晶体管 均压 峰值控制
- 据市场研究机构Yole的最新报告,IGBT在电动车/动力混合汽车(EV/HEV)、再生能源(RenewableEnergies)、马达驱动器(MotorDrive)、不断电动力系统(UPS)及交通上的应用是该市场的成长动力来源。IGBT市场在2011~2012年少许反常性的下跌后,Yole分析师预期今年市场已回归稳定成长脚步,具体而言,市场预估将从今年的36亿美元,在5年后达到60亿美元。在Yole的报告中最广泛被分析的是IGBT在马达驱动器的应用,区分为工业、商业和住宅应用,马达驱动器是带动IGBT
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可再生能源 IGBT
- 英飞凌科技股份公司发布了2013财年第三季度(截至2013年6月30日)的财务数据。
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英飞凌 汽车电子 IGBT
- 英飞凌科技股份有限公司 (FSE:IFX / OTCQX:IFNNY) 推出完全符合汽车标准的全新 EconoDUAL™ 3 IGBT 模块。这一新产品可满足商用车、工程车、农用车等可靠性要求苛刻的应用。汽车级品质是指该模块可明显增加温度周次和抗热冲击能力,而且采用了全新的可改善 EMI 特性的软特性二极管。
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英飞凌 EconoDUAL IGBT
- 摘要:本文针对IGBT功率放大电路的保护问题,探讨了过流检测电路、驱动信号脉宽检测及过热保护的实现方法,通过仿真与试验,验证保护电路的效果。
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IGBT 保护电路 201307
- 英飞凌科技股份有限公司在上海PCIM Asia 2013 电力电子、智能运动、可再生能源管理展览会上突出展示了650V TRENCHSTOP™ 5。新一代的薄晶圆IGBT绝缘栅双极型晶体管——TRENCHSTOP™ 5自从2012年秋季推出以来,已经获得了巨大的市场关注,它被认为是一种革新的技术。
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英飞凌 TRENCHSTOP IGBT
- 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出坚固可靠的全新1200V超高速绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列,针对工业电机驱动及不间断电源 (UPS) 应用进行了优化。
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IR 电源 IGBT
- 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)持续扩充高性能绝缘门双极晶体管(IGBT)产品阵容,应用于消费类电器及工业应用的高性能电源转换(HPPC)。安森美半导体新的第二代场截止型(FSII) IGBT器件改善开关特性,降低损耗达30%,因而提供更高能效,并转化为更低的外壳温度,为设计人员增强系统总体性能及可靠性的选择。这些新器件针对目标应用进行了优化,相比现有器件能降低外壳温度达20%。
安森美半导体功率分立产品副总裁兼总经理Paul
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安森美,IGBT
- 英飞凌科技股份有限公司 (FSE:IFX / OTC QX:IFNNY) 日前推出新一代应用于新能源汽车的高压IGBT门级驱动器。有了专为混合动力/电动汽车 (HEV) 的主逆变器而设计的全新EiceDRIVER™ SIL和EiceDRIVER™ Boost驱动器,汽车系统供应商便能够更轻松地设计出更具成本效益的HEV电力传动传动子系统,该系统完全符合ASIL C/D功能安全要求标准 (ISO 26262)。
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英飞凌 EiceDRIVER 逆变器 IGBT
- 一、引言电力电子设备正朝着高频、高效、高可靠、高功率因数和低成本的方向发展,功率器件则要求高速、...
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IGBT MOSFET
绝缘栅双极型晶体管(igbt)介绍
您好,目前还没有人创建词条绝缘栅双极型晶体管(igbt)!
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