2024年8月29日,SK海力士宣布,全球首次成功开发出采用第六代10纳米级(1c)工艺的16Gb(Gigabit,千兆比特)DDR5 DRAM。由此,公司向世界展现了10纳米出头的超微细化存储工艺技术。SK海力士强调:“随着10纳米级DRAM技术的世代相传,微细工艺的难度也随之加大,但公司以通过业界最高性能得到认可的第五代(1b)技术力为基础,提高了设计完成度,率先突破了技术极限。公司将在年内完成1c
DDR5 DRAM的量产准备,从明年开始供应产品,引领半导体存储器市场发展。”公司以1b DRAM