- 恩智浦半导体(纳斯达克代码：NXPI)日前推出业内首款2 mm x 2 mm、采用可焊性镀锡侧焊盘的超薄DFN (分立式扁平无引脚)封装MOSFET。这些独特的侧焊盘提供光学焊接检测的优势，与传统无引脚封装相比，焊接连接质量更好。
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恩智浦 MOSFET
- 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出采用坚固耐用TO-220 fullpak封装的车用功率MOSFET系列，适合包括无刷直流电机、水泵和冷却系统在内的各类汽车应用。
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IR MOSFET
- 工程师在为汽车电子设计电源系统时可能会遇到在设计任何电源应用时都会面临的挑战。因为功率器件MOSFET必须能够承受极为苛刻的环境条件。环境工作温度超过120℃会使器件的结点温度升高，从而引发可靠性和其它问题。在
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情况 解析 方案 相关 MOSFET 电阻 下降 功率 能使导
- 开关电源由于体积小、重量轻、效率高等优点，应用已越来越普及。MOSFET由于开关速度快、易并联、所需驱动功率低等优点已成为开关电源最常用的功率开关器件之一。而驱动电路的好坏直接影响开关电源工作的可靠性及性能
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介绍 分析 电路 驱动 MOSFET 开关电源
- 由于能源成本上升和人们积极应对全球变暖，电力电子设备的能源效率已经变得越来越重要。为了提升电力电子设备的能源效率，具有较低功率损耗的功率半导体器件技术是关键所在。在半导体器件中，功率损耗的降低可以改善
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VCESAT 1200V 开关 碳化硅
- 目前，电源工程师面临的一个主要难题是，随着功能的日益增多，商用电子产品的尺寸不断缩小，留给电源电路的空间越来越少。解决这个难题的办法之一是充分利用在MOSFET技术和封装上的进步。通过在更小尺寸的封装内采用
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电源 设计 简化 封装 芯片 功率 MOSFET
- 恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. (纳斯达克：NXPI)日前宣布推出全新汽车级功率MOSFET器件系列，该系列采用恩智浦的Trench 6技术，具有极低导通电阻(RDSon)、极高的开关性能以及出色的品质和可靠性。恩智浦新型汽车级MOSFET已取得AEC-Q101认证，成功通过了175˚C高温下超过1,600小时的延长寿命测试(性能远超Q101标准要求)，同时具有极低PPM 水平。
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恩智浦 MOSFET
- 工程师在为汽车电子设计电源系统时可能会遇到在设计任何电源应用时都会面临的挑战。因为功率器件MOSFET必须能够承受极为苛刻的环境条件。环境工作温度超过120℃会使器件的结点温度升高，从而引发可靠性和其它问题。在
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MOSFET 车用 如何提高 能量
- 功率场效应晶体管（PowerMOSFET）是一种多数载流子导电的单极型电压控制器件，具有开关速度快、高频性能好、...
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MOSFET 驱动 保护电路
- 电阻值的测量通常比较简单。但是，对于非常小阻值的测量，我们必须谨慎对待我们所做的假定。对于特定的几何形状，如电线，Kelvin方法是非常精确的。可以使用类似的方法来测量均匀样本的体电阻率和面电阻率，但是所使
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MOSFET 精确测量 导通电阻
- 摘要：率场效应晶体管由于具有诸多优点而得到广泛的应用；但它承受短时过载的能力较弱，使其应用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驱动与保护电路的设计要求；计算了MOSFET驱动器的功耗及MOSFET驱动器与MOSFET的匹配
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设计 应用 电路 保护 驱动 MOSFET
- 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出PowIRaudio集成式功率模块系列，适用于高性能家庭影院系统及车用音频放大器。新器件将脉冲宽度调制控制器和两个数字音频功率MOSFET集成至单一封装，提供高效紧凑的解决方案，有助于减少零部件数量，缩小高达70% 的电路板尺寸，并能简化D类放大器设计。
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IR MOSFET PowIRaudio
- 铅酸电池具有安全、便宜、易维护的特点，因此目前仍然广泛的应用于电动自行车。但是铅酸电池污染大、笨重、循环次数少，随着世界各国对环保要求越来越高，铅酸电池的使用会越来越受到限制。磷酸铁锂电池作为一种新型
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电路设计 保护 锂电池 MOSFET 功率
- 便携设备的设计人员面临着在终端应用中节省空间、提高效率和应对散热问题的挑战。为了顺应这一趋势，飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发了FDZ661PZ和FDZ663P P沟道、1.5V规格的PowerTrench®薄型0.8mm x 0.8mm WL-CSP MOSFET器件。
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飞兆 MOSFET P沟道
碳化硅 mosfet介绍
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