- 凌特推出业界首款采用纤巧型 3 引线 2mm x 2mm DFN 封装的精确系列电压基准LT6660。这些紧凑型器件将 0.2% 初始精度、20ppm 漂移与微功率操作结合在一起，仅需要不到一半的 SOT-23 封装空间。此外，LT6660 无需输出补偿电容，在 PC 板级空间非常宝贵或者需要实现快速稳定的场合，这是一个
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凌特 电容器
- ADI公司推出两种工作在+/-12V或+/-15V的单刀双掷(SPDT)模拟开关ADG1233和ADG1234,提供业界最低的电容和电荷注入.这两种器件的关态电容为1.5pF,电荷注入小于1pC,使它们非常适合需要低的尖峰和快速设定时间的高端数据采集以及取样保持应用,器件的快速开/关速度(120/40ns)以及-3dB带宽900MHz使它们也适合用在视频开关(可能需要外接视频缓冲器).开关的导通电阻为120欧姆,通道间电阻匹配为3.5
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ADI 关态电容 模拟开关 电容器
- 3M电子日前宣布，其先进层压、嵌入式电容材料达到RoHS指令要求，可帮助OEM和PCB制造商满足车载、便携式和军用产品等空间受限的应用设计需求。 3M介绍，其嵌入式电容材料的介质厚度达到8μs、电容密度达到每平方英寸大于10nF，使之成为现有电路板嵌入式平面电容中最薄、电容密度最高的材料。该层压材料使高速数字印刷电路板的设计人员
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3M 电容 嵌入式 电容器
- 根据C.F.KURTH和G.S.MOSCHYTZ采用z域四口等效电路对开关电容器网络进行双口分析的理论，以现场可编程模拟阵列实现的PID控制器为例
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SPICE 开关 电容器 仿真
- 3M电子日前宣布，其先进层压、嵌入式电容材料达到RoHS指令要求，可帮助OEM和PCB制造商满足车载、便携式和军用产品等空间受限的应用设计需求。 3M介绍，其嵌入式电容材料的介质厚度达到8μs、电容密度达到每平方英寸大于10nF，使之成为现有电路板嵌入式平面电容中最薄、电容密度最高的材料。该层压材料使高速数字印刷电路板的设计人员和制造商在实现高速设计的同时，简化了设计。 &
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3M 电容 嵌入式 电容器
- 近日，日本东芝公司已经在一个SOI（绝缘体上外延硅）晶圆上制造出一款128MB无输出电容器DRAM芯片，正在对这款芯片进行测试运作。 东芝公司报告称，去年二月份在最尖端半导体电路技术国际会议（ISSCC）上东芝公司报告了无输出电容器DRAM芯片的设计和模拟效果。在本周举行的电子装置国际会议上，东芝公司展示了这款芯片的运作。声称是全球最大储存密度无输出电容器DRAM芯片。 无输出电容器DRAM芯片是在绝缘薄膜下电池产生的浮体效
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东芝 电容器
- 近日，日本东芝公司已经在一个SOI（绝缘体上外延硅）晶圆上制造出一款128MB无输出电容器DRAM芯片，正在对这款 芯片进行测试运作。 东芝公司报告称，去年二月份在最尖端半导体电路技术国际会议（ISSCC）上东芝公司报告了无输出电容器DRAM芯片的设计和模拟效果。在本周举行的电子装置国际会议上，东芝公司展示了这款芯片的运作。声称是全球最大储存密度无输出电容器DRAM芯片。 无输出电容器DRAM芯片是在绝缘薄膜下电池产生的浮体效应取代了电容
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东芝 电容器
- AVX的TCJ系列钽电容近期新增几款大电容器件，据称可提供业内最高等级的电容，有助于缩小封装体积。 据介绍，TCJ系列电容的电容值(CV)比同类器件高出1至3级，工程师使用这些电容可以减小便携器件的尺寸。0805尺寸电容在4V时电容值为100μF，1206尺寸在6.3V时为47μF，1210尺寸在6.3V时为10μF。 TCJ电容的工作电压为12V，可在125℃高温下使用。这些电容经回流焊后仍能保持等效串联电阻值(ESR)，并可承受260℃回流焊温度
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AVX 电容器
- 凌特推出LT3485系列照相闪光灯电容充电器集成电路，该器件集成了完整的照相闪光灯电容充电器和 IGBT 驱动器。LT3485 已获得专利的控制技术允许它使用极小的“标准化”变压器。无需外部组件设置输出电压。在充电时，一个与电容器电压成正比的输出可用来进行监视。输入电流被严格控制以提供一致的充电时间。 该系列器件用 1.8V 至 10V 的输入电压工作，非常适用于由两节 AA 碱性、单节锂离子电池或
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凌特 电容器
- Syfer Technology近日推出系列表面安装贴片电容，该产品采用传统的锡/铅端子，主要面向不受欧盟RoHS规范限制的应用，包括军事/航空、空间以及汽车等产品。 某些特殊应用目前还未受到欧盟RoHS规范的限制，虽然采用锡制产品的可行性还在调研当中，但Syfer相信一些特定的应用仍将继续使用锡/铅材料。 该公司提供的锡/铅端子中含有不超过10/%的铅，包括多种多层陶瓷贴片电容(MLCC)。容值范围从0.45pF至82μF，工作电压在16
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Syfer 电容器
- 日前，Vishay宣布推出钽电容器Sprague 592D系列，可在厚度仅2.5mm的封装中提供3300μF电容。提供的该解决方案可取代在超薄应用中使用多个低值电容器实现充足电容的方式。 Vishay采用“X”封装尺寸的Sprague 592D共形敷膜(Conformal-Coated)固体钽电容器主要面向PCMCIA卡、电源、线卡及手机等终端产品中的噪声抑制、滤波、耦合及定时应用。新型592D电容器使用户无需并行使用多个电容器来满足
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Vishay 电容器
- 带外杂散信号所引起的混叠现象是A/D 转换器应用中所面临的关键问题，如果没有适当的滤波处理，这些信号会严重影响数据转换系统的性能指标。本文主要讨论抗混叠滤波的原理及其对系统性能的影响。本文针对这一应用，提供了一个开关电容滤波器设计范例，该方案具有极高的性价比。本文几乎涵盖了所有与高性能系统设计有关的重要参数和实际问题。
产生混叠的来源：这一点在奈奎斯特定理中给出了说明。奈奎斯特定理指出：时间连续信号转换成离散信号时，需要在一个周期内的采样次数多于2 次。如果采样次数不够，将无法恢复丢失的信息。从
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开关电容滤波器 抗混叠滤波 电容器
- 典型开关式电容器充电泵不需要电感器，因此容易设计，且能将正电压加倍及将正电压转换成一个等效负电压。但在某些应用中，只有正电源可用，且电源系统必须产生一个幅度比正电源电压幅度更大的负电压。图1所示电路可将其输入电压反相的同时将所得负电压加倍。 通常，MAX889T电压反相器IC1可将一个正输入电压转换成一个绝对幅度低于其输入值的负输出电压。但此电路中，肖特基二极管D1、D2及电容器C4与C5可帮助产生一个更高的输出电压。该电路的额定输出为VOUT=-(2
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开关式电容器 MAX889T 电容器
- 2005 年 9 月 19 日 － 北京 － 凌特公司（Linear Technology）推出 LT3484 系列高效率、超快、照相闪光灯电容（典型值为 320V）充电器。这些集成电路设计成独立器件，无需通常与其他照相闪光灯充电器解决方案有关的微处理器负载和大量软件开发。
这个系列的照相闪光灯电容充电器 IC 是为空间十分宝贵的数码相机和移动电话应用而设计。LT3484 获得专利的控制技术允许它使用极小的变压器，而且其片上 NPN 电源开关无需外部肖特基二极管箝位，缩小了解决方案尺寸。由于变压
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凌特公司 电容器
- Linear高效照相闪光灯电容充电器凌特公司（Linear Technology）推出 LT3484 系列高效率、超快、照相闪光灯电容（典型值为 320V）充电器。这些集成电路设计成独立器件，无需通常与其他照相闪光灯充电器解决方案有关的微处理器负载和大量软件开发。 这个系列的照相闪光灯电容充电器 IC 是为空间十分宝贵的数码相机和移动电话应用而设计。LT3484 获得专利的控制技术允许它使用极小的变压器，而且其片上 NPN&n
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凌特公司（Linear Technology） 电容器
电容器介绍
电容器（capacitor）简称电容，也是组成电子电路的主要元件。它可以储存电能，具有充电、放电及通交流、隔直流的特性。从某种意义上说，电容器有点像电池。尽管两者的工作方式截然不同，但它们都能存储电能。电池有两个电极,在电池内部，化学反应使一个电极产生电子，另一个电极吸收电子。而电容器则要简单得多，它不能产生电子——它只是存储电子。它是各类电子设备大量使用的不可缺少的基本元件之一。各种电容器在电路 [
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